离子源、系统和方法技术方案

公开了离子源、系统和方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及。
技术介绍
离子能够使用例如液态金属离子源或气体场离子源而形成。在一些实例 中，通过离子源形成的离子能够用于确定被暴露于离子的样品的某些特性， 或修改样品。在另外的实例中，通过离子源所形成的离子能够用于确定离子 源自身的某些特性。
技术实现思路
在一方面中，本专利技术的特征为一种包括气体场离子源的系统，所述气体场离子源能够与气体相互作用从而产生在样品的表面具有10nm或更小的尺 寸的斑点尺寸的离子束。在另一方面中，本专利技术的特征为一种包括气体场离子源的系统，所述气 体场离子源能够与气体相互作用从而产生在样品的表面具有3 nm或更小的 尺寸的斑点尺寸的离子束。在又一方面中，本专利技术的特征为一种包括气体场离子源的系统，所述气 体场离子源能够与气体相互作用从而产生在样品的表面具有1 x l09A/cm2sr 或更大的亮度的离子束。在另外的方面中，本专利技术的特征为一种包括气体场离子源的系统，所述 气体场离子源能够与气体相互作用从而产生具有在样品的表面具有5 x 108A/m2srV或更大的减小的亮度的离子束。在一方面中，本专利技术的特征为一种包括气体场离子源的系统，所述气体 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，包括：　通过将气体与气体场离子源相互作用而产生离子束；以及　使所述离子束与活性气体相互作用以便提高在样品的表面的化学反应。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2005-12-2 60/741,956;US 2006-3-20 11/385,215;US1.一种方法，包括通过将气体与气体场离子源相互作用而产生离子束；以及使所述离子束与活性气体相互作用以便提高在样品的表面的化学反应。2. 根据权利要求l的方法，其中所述离子束与所述样品相互作用，以 便引起二次电子离开所述样品。3. 根据权利要求2的方法，其中所述二次电子与所述活性气体相互作 用以便提高所述表面的化学反应。4. 根据权利要求l的方法，其中所述活性气体包括蚀刻气体。5. 根据权利要求4的方法，其中所述方法蚀刻所述样品。6. 根据权利要求l的方法，其中所述活性气体包括前驱体气体。7. 根据权利要求6的方法，其中所述方法沉积材料于所述样品上。8. 根据权利要求l的方法，其中所述离子束中的离子具有在所述样品 的表面1 keV或更大的能量。9. 根据权利要求l的方法，其中所述活性气体以导致在样品的表面的 所述活性气体的大致 一单层的流量被提供。10. 根据权利要求l的方法，其中所述离子束包括He气离子。11.根据权利要求l的方法，其中所述离子束包括Ar气离子。12. 根据权利要求1的方法，其中所述活性气体包括卣素。13. 根据权利要求l的方法，其中所述活性气体选自由Cl2、 02、 12、 XeF2、 F2、 CF4和H20构成的组。14. 根据权利要求l的方法，其中所述活性气体选自由XeF2、 F2和CF^ 和1-120构成的组。15. 根据权利要求14的方法，其中所述样品的表面包括金属氮化物。16. 根据权利要求15的方法，其中所述金属氮化物包括氮化钽。17. 根据权利要求1的方法，其中所述活性气体选自由(:12和02构成的组。18. 根据权利要求17的方法，其中所述样品的表面包括铬。19. 根据权利要求17的方法，其中所述样品的表面包括选自由铬、氧 化铬、氮化铬和氧氮化铬的组的材料。'20. 根据权利要求l的方法，其中所述活性气体选自由02和H20构成 的组。21. 根据权利要求20的方法，其中所述样品的表面包括含碳材料。22. 根据权利要求1的方法，其中所述离子束具有1 x 10cm、rV或更 小的减小的etendue。23. 根据权利要求1的方法，其中所述离子束具有5 x 10-2lcm2sr或更小 的etendue 。24. 根据权利要求1的方法，其中所述离子束在所述样品的表面具有5 x 108 A/m、rV或更大的减小的亮度。25. 根据权利要求l的方法，其中所述离子束在所述样品的表面具有1 x 109 A/cm2sr或更大的亮度。26. 根据权利要求1的方法，其中所述离子束在所述样品的表面具有10 nm或更小尺寸的斑点尺寸。27. 根据权利要求1的方法，其中所述方法使用气体场离子显微镜进行。28. 根据权利要求l的方法，其中所述方法使用氦离子显微镜进行。29. 根据权利要求l的方法，其中所述方法使用扫描离子显微镜进行。30. 根据权利要求1的方法，其中所述方法使用扫描氦离子显微镜进行。31. —种方法，包括通过将气体与气体场离子源相互作用而产生离子束； 使用所述离子束以便确定半导体物品的表面下信息；以及 根据所述表面下信息编辑所述半导体物品。32. 根据权利要求31的方法，其中所述方法不包括使用对齐掩模。33. 根据权利要求31的方法，其中所述离子束在所述半导体物品上具 有10nm或更小尺寸的斑点尺寸。34. 根据权利要求31的方法，其中所述离子束与所述半导体物品相互 作用以便？I起粒子离开所述样品，所述粒子包括一次中性粒子和光子。35. 根据权利要求34的方法，还包括探测所述粒子，以便提供所述粒子的信息，以及处理所迷粒子的信息以便提供所述半导体物品的表面下信自36. 根据权利要求35的方法，其中所述粒子包括一次中性粒子。37. 根据权利要求36的方法，其中所述方法包括确定所述一次中性粒 子的对应的角度和能量。38. 根据权利要求36的方法，其中所述方法包括确定所述粒子的总丰度。39. 根据权利要求35的方法，其中所述粒子选自由X射线光子、IR光 子、可见光子和UV光子构成的组。40. 根据权利要求39的方法 探测所述粒子。41. 根据权利要求39的方法 探测所述粒子。42. 根据权利要求31的方法43. 根据权利要求42的方法44. 根据权利要求43的方法 电路。45. 根据权利要求44的方法材料。46. 根据权利要求43的方法材料。47. 根据权利要求31的方法 更小的)咸小的etendue。48. 根据权利要求31的方法 小的etendue。49. 根据权利要求31的方法，其中所述离子束在所述样品的表面具有5 x 108 A/m^rV或更大的减小的亮度。50. 根据权利要求31的方法，其中所述离子束在所述样品的表面具有1 x09A/cm2sr或更大的亮度。51. 根据权利要求31的方法，其中所述离子束在所述样品的表面具有 10 nm或更小的尺寸的斑点尺寸。52. 根据权利要求31的方法，其中所述方法使用气体场离子显微镜进行。53. 根据权利要求31的方法，其中所述方法使用氦离子显微镜进行。,其中所述方法包括使用能量解析探测器，其中所述方法包括使用波长解析探测器,其中所述半导体物品包括电路。，其中所述方法包括编辑所述电路。,其中编辑所述电路包括添加材料至所述，其中编辑所述电路包括从所述电路去除，其中编辑所述电路包^从所述电路去除，其中所述离子束具有1 x 10cmVV或，其中所述离子束具有5x 10cm、r或更54. 根据权利要求31的方法，其中所述方法使用扫描离子显微镜进行。55. 根据权利要求31的方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：比利W沃德，约翰A诺特四世，路易斯S法卡斯三世，兰德尔G珀西瓦尔，雷蒙德希尔，克劳斯埃丁格，拉斯马克沃特，德克阿德霍尔德，乌尔里克曼茨，
申请(专利权)人：阿利斯公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]