【技术实现步骤摘要】
具有多像素检测器及部分隔离结构的图像传感器
[0001]本公开大体上涉及图像传感器，且特定来说而非排他地，涉及CMOS图像传感器及其应用。
技术介绍
[0002]图像传感器已变得无处不在且现在广泛用于数码相机、蜂窝电话、监控摄像头，以及医疗、汽车及其它应用中。随着图像传感器被集成到更广泛的电子装置中，期望通过装置架构设计以及图像获取处理两者以尽可能多的方式(例如，分辨率、功耗、动态范围等)增强其功能性、性能指标及其类似者。
[0003]典型的图像传感器响应于从外部场景反射的图像光入射在图像传感器上而操作。图像传感器包含具有光敏元件(例如光电二极管)的像素阵列，所述光敏元件吸收入射图像光的一部分并在吸收图像光之后生成图像电荷。像素中的每一者的图像电荷可经测量为每一光敏元件的输出电压，其依据入射图像光而变化。换句话说，所生成的图像电荷的量与用于产生表示外部场景的数字图像(即，图像数据)的图像光的强度成比例。
技术实现思路
[0004]在一个方面中，本申请案提供一种图像传感器的多像素检测器，所述多像素检测器...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种图像传感器的多像素检测器，所述多像素检测器包括：第一光电二极管区域，其安置在半导体衬底内以形成第一像素；第二光电二极管区域，其安置在所述半导体衬底内以形成相邻于所述第一像素的第二像素；部分隔离结构，其在所述第一光电二极管区域与所述第二光电二极管区域之间从所述半导体衬底的第一侧朝向所述半导体衬底的第二侧延伸，且其中所述第一光电二极管区域与所述第二光电二极管区域之间的所述部分隔离结构的横向部分的长度小于所述第一光电二极管区域的横向长度。2.根据权利要求1所述的多像素检测器，其中所述第一光电二极管区域、所述第二光电二极管区域及所述部分隔离结构定位于所述半导体衬底中，使得沿第一方向取得的所述多像素检测器的第一横截面延伸穿过所述第一光电二极管区域、所述第二光电二极管区域，及所述部分隔离结构，而沿平行于所述第一方向的第二方向取得的所述多像素检测器的第二横截面延伸穿过所述第一光电二极管区域及所述第二光电二极管区域，但不延伸穿过所述部分隔离结构。3.根据权利要求1所述的多像素检测器，其进一步包括：深沟槽隔离结构，其共同地横向包围所述第一光电二极管区域及所述第二光电二极管区域，且其中所述部分隔离结构耦合到所述深沟槽隔离结构。4.根据权利要求3所述的多像素检测器，其中所述深沟槽隔离结构及所述部分隔离结构分别从所述半导体衬底的所述第一侧朝向所述半导体衬底的所述第二侧延伸第一深度及第二深度，且其中所述第一深度基本上等于所述第二深度。5.根据权利要求1所述的多像素检测器，其进一步包括：第三光电二极管区域，其安置在所述半导体衬底内以形成第三像素；及第四光电二极管区域，其安置在所述半导体衬底内以形成相邻于所述第三像素的第四像素，且其中所述第一像素、所述第二像素、所述第三像素及所述第四像素以像素的二乘二阵列布置以形成包含在所述图像传感器中的相位检测自动聚焦传感器。6.根据权利要求5所述的多像素检测器，其进一步包括：深沟槽隔离结构，其横向包围所述第一光电二极管区域、所述第二光电二极管区域、所述第三光电二极管区域及所述第四光电二极管区域。7.根据权利要求6所述的多像素检测器，其进一步包括：多指隔离结构，其从所述半导体衬底的所述第一侧朝向所述半导体衬底的所述第二侧延伸，所述多指隔离结构包含：第一部分隔离结构，其安置在所述第一光电二极管区域与所述第二光电二极管区域之间，其中所述第一部分隔离结构对应于所述部分隔离结构；第二部分隔离结构，其安置在所述第二光电二极管区域与所述第三光电二极管区域之间；第三部分隔离结构，其安置在所述第三光电二极管区域与所述第四光电二极管区域之间；及第四部分隔离结构，其安置在所述第四光电二极管区域与所述第一光电二极管区域之间。
8.根据权利要求7所述的多像素检测器，其中所述第一部分隔离结构、所述第二部分隔离结构、所述第三部分隔离结构及所述第四部分隔离结构各自从所述深沟槽隔离结构朝向位于所述第一光电二极管区域、所述第二光电二极管区域、所述第三光电二极管区域与所述第四光电二极管区域之间的所述多像素检测器的中心区域横向延伸，且其中所述第一部分隔离结构、所述第二部分隔离结构、所述第三部分隔离结构及所述第四部分隔离结构中的每一者不延伸到所述中心区域中。9.根据权利要求7所述的多像素检测器，其中所述第一部分隔离结构与所述第三部分隔离结构沿第一共同方向对准，其中所述第二部分隔离结构与所述第四部分隔离结构沿第二共同方向对准，且其中所述第一共同方向垂直于所述第二共同方向。10...
【专利技术属性】
技术研发人员：艾群咏，渡边一史，熊志伟，V，
申请(专利权)人：豪威科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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