半导体装置和成像装置制造方法及图纸

根据本公开的半导体装置包括层叠的多个基板(100A、200A)；形成在所述多个基板(100A、200A)中的至少一个中的半导体元件(TR、AMP)；和保护层元件(TF、TS)，其在所述多个基板(100A、200A)中的至少一个中形成为具有PN结，并且保护所述半导体元件(TR、AMP)。AMP)。AMP)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置和成像装置


[0001]本公开涉及一种半导体装置和成像装置。

技术介绍

[0002]存在用于层叠多个半导体基板的三维封装技术。例如，在成像装置中，已知的是将形成有像素区域的第一半导体基板和形成有逻辑电路的第二半导体基板进行层叠的构成(例如，参见专利文献1)。
[0003]引用文献列表
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开第2010
‑
245506号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的问题
[0007]在上述成像装置中，不能确保用于配置像素晶体管的足够空间。因此，例如，可以想到的是，进一步分割并层叠其中形成有光电转换元件的基板和其中形成有像素晶体管的基板。
[0008]然而，在这种构成中，例如，当光电转换元件的数量与像素晶体管的数量不同时，各个基板所需的面积可能不同。在层叠多个基板的情况下，需要使各个基板的面积相同。因此，存在着装置的芯片面积随着具有大的所需面积的基板而增大的问题。
[0009]因此，本公开提出了一种能够抑制芯本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，包括：彼此层叠的多个基板；形成在所述多个基板中的至少一个中的半导体元件；和保护元件，其在所述多个基板中的至少一个中形成为具有PN结，并且保护所述半导体元件。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述保护元件根据形成在所述多个基板中的所述半导体元件的形成面积或元件数量而配置在所述多个基板中的至少一个中。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述保护元件是双极晶体管型保护元件或晶闸管型保护元件。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述保护元件在所述基板的水平方向上具有PNPN结结构或NPNP结结构。5.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述保护元件包括通过配线彼此连接的多个第一导电型的阱。6.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，所述保护元件具有其中第二导电型的阱形成在第一导电型的阱的上方或下方的双阱结构。7.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：冈本晋太郎，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：