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根据本公开的半导体装置包括层叠的多个基板(100A、200A)；形成在所述多个基板(100A、200A)中的至少一个中的半导体元件(TR、AMP)；和保护层元件(TF、TS)，其在所述多个基板(100A、200A)中的至少一个中形成为具有P...
该专利属于索尼半导体解决方案公司所有，仅供学习研究参考，未经过索尼半导体解决方案公司授权不得商用。

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