【技术实现步骤摘要】
存储器子系统中具有减少的编程干扰的短编程验证恢复
[0001]本公开的实施例大体上涉及存储器子系统，且更确切地说，涉及存储器子系统中具有减少的编程干扰的短编程验证恢复阶段。
技术介绍
[0002]一种存储器子系统可包含存储数据的一或多个存储器装置。存储器装置可为例如非易失性存储器装置和易失性存储器装置。一般来说，主机系统可利用存储器子系统以在存储器装置处存储数据且从存储器装置检索数据。
技术实现思路
[0003]在一个方面中，本申请案提供一种存储器装置，其包括：存储器阵列；以及控制逻辑，其以操作方式与存储器阵列耦合，以执行包括以下各项的操作：在存储器阵列上启动编程操作，编程操作包括编程阶段、编程恢复阶段、编程验证阶段和编程验证恢复阶段；以及使负电压信号在编程操作的编程验证恢复阶段期间被施加到存储器阵列的数据块的第一多个字线，其中第一多个字线中的每一个耦合到数据块中的存储器单元串中的第一多个存储器单元中的对应存储器单元，第一多个字线包括与编程操作相关联的所选择字线以及邻近于所选择字线的一或多个数据字线。>[0004]在另一本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，其包括：存储器阵列；以及控制逻辑，其以操作方式与所述存储器阵列耦合，以执行包括以下各项的操作：在所述存储器阵列上启动编程操作，所述编程操作包括编程阶段、编程恢复阶段、编程验证阶段和编程验证恢复阶段；以及使负电压信号在所述编程操作的所述编程验证恢复阶段期间被施加到所述存储器阵列的数据块的第一多个字线，其中所述第一多个字线中的每一个耦合到所述数据块中的存储器单元串中的第一多个存储器单元中的对应存储器单元，所述第一多个字线包括与所述编程操作相关联的所选择字线以及邻近于所述所选择字线的一或多个数据字线。2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述所选择字线耦合到所述多个存储器单元中的第一存储器单元，并且其中邻近于所述所选择字线的所述一或多个数据字线耦合到所述存储器单元串中的所述第一存储器单元的源极侧上的所述第一多个存储器单元中的一或多个。3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中邻近于所述所选择字线的所述一或多个数据字线包括耦合到所述第一存储器单元的所述源极侧上的存储器单元的阈值数目个数据字线，并且其中所述阈值数目个数据字线不包含耦合到所述存储器单元串中的所述第一存储器单元的所述源极侧上的存储器单元的至少一个数据字线。4.根据权利要求2所述的存储器装置，其中邻近于所述所选择字线的所述一或多个数据字线包括耦合到所述存储器单元串中的所述第一存储器单元的所述源极侧上的存储器单元的所有数据字线。5.根据权利要求2所述的存储器装置，其中邻近于所述所选择字线的所述一或多个数据字线包括耦合到所述存储器单元串的漏极端的阈值数目个存储器单元内的所述第一存储器单元的所述源极侧上的存储器单元的数据字线。6.根据权利要求2所述的存储器装置，其中所述控制逻辑用以执行包括以下各项的另外操作：使接地电压信号在所述编程验证恢复阶段期间被施加到所述数据块的第二多个字线，其中所述第二多个字线中的每一个耦合到所述存储器单元串中的所述第一存储器单元的漏极侧上的第二多个存储器单元中的对应存储器单元。7.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述编程操作包括多个编程阶段、多个编程恢复阶段、多个编程验证阶段和多个编程验证恢复阶段，并且其中所述负电压仅在所述多个编程验证恢复阶段的子集期间被施加到所述第一多个字线，所述子集发生在阈值数目个所述多个编程阶段已发生之后。8.一种方法，其包括：在存储器装置上启动编程操作，所述编程操作包括编程阶段、编程恢复阶段、编程验证阶段和编程验证恢复阶段；以及使负电压信号在所述编程操作的所述编程验证恢复阶段期间被施加到所述存储器装置的数据块的第一多个字线，其中所述第一多个字线中的每一个耦合到所述数据块中的存储器单元串中的第一多个存储器单元中的对应存储器单元，所述第一多个字线包括与所述编程操作相关联的所选择字线以及邻近于所述所选择字线的一或多个数据字线。
9.根据权利要求8所述的方法，其中所述所选择字线耦合到所述多个存储器单元中的第一存储器单元，并且其中邻近于所述所选择字线的所述一或多个数据字线耦合到所述存储器单元串中的所述第一存储器单元的源极侧上的所述第一多个存储器单元中的一或多个。10.根据权利要求9所述的方法，其中邻近于所述所选择字线的所述一或多个数据字线包括耦合到所述第一存储器单元的所述源极侧上的存储器单元的阈...
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