【技术实现步骤摘要】
抗蚀剂下层膜材料、图案形成方法、以及抗蚀剂下层膜形成方法
本专利技术关于半导体装置制造步骤中的利用多层抗蚀剂法所为的微细图案化所使用的抗蚀剂下层膜材料、使用了该材料的图案形成方法、及抗蚀剂下层膜形成方法。
技术介绍
伴随LSI的高整合化及高速化，图案尺寸的微细化正急速进展。伴随此微细化，光刻技术通过光源的短波长化及适当选用与其对应的抗蚀剂组成物，已达成微细图案的形成。成为其中心者是以单层使用的正型光致抗蚀剂组成物。该单层正型光致抗蚀剂组成物，是通过使抗蚀剂树脂中具有对于利用氯系或氟系气体电浆所为的干蚀刻具有蚀刻耐性的骨架，且具有曝光部会溶解之类的开关机制，而使曝光部溶解来形成图案，并将残存的抗蚀剂图案作为蚀刻掩膜来对被加工基板进行干蚀刻加工。但是，在维持所使用的光致抗蚀剂膜的膜厚的状态下进行微细化，亦即缩小图案宽时，光致抗蚀剂膜的分辨性能会降低，又，欲利用显影液对光致抗蚀剂膜进行图案显影的话，会发生所谓纵横比变得过大，结果造成图案崩坏的问题。因此，伴随图案的微细化，光致抗蚀剂膜也逐渐薄膜化。另一方面，被加工基板的加工...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种抗蚀剂下层膜材料，是多层抗蚀剂法中使用的抗蚀剂下层膜材料，含有：(A)下列通式(1)表示的化合物中的一种或二种以上；及(B)有机溶剂；式中，X各自独立地为下列通式(2)表示的1价有机基团；W为碳数2～60的n价有机基团，且含有m个下列通式(3)表示的各自独立的部分结构；m、n为1～10的整数；式中，虚线表示原子键；Z表示碳数6～20的(k+1)价芳香族基团；A为单键、或
‑
O
‑
(CH2)p
‑
；k为1～5的整数；p为1至10的整数；式中，虚线表示原子键；R
01
为氢原子或碳数1～10的一价有机基团。2.根据权利要求1所述的抗蚀剂下层膜材料，其中，该通式(2)中的A为
‑
OCH2‑
。3.根据权利要求1或权利要求2所述的抗蚀剂下层膜材料，其中，该通式(3)为下列通式(4)或(5)者；式中，虚线表示原子键；R
01
为氢原子或碳数1～10的一价有机基团；R
02
为氢原子或碳数1～20的一价有机基团。4.根据权利要求1或权利要求2所述的抗蚀剂下层膜材料，其中，该通式(1)中的W为下列通式(6
‑
1)～(6
‑
5)中的任一者表示者；
式中，虚线表示原子键；R
03
为氢原子、或碳数1～20的亦可含有氧原子、氮原子的烷基或酰基，也可含有前述通式(3)的结构；M是含有前述通式(3)的结构的有机基团；W1为碳数1～57的n价有机基团；W2为(m+n)价有机基团；Y为单键、或羰基；m、n为1～10的整数。5.根据权利要求4所述的抗蚀剂下层膜材料，其中，该通式(6
‑
1)～(6
‑
5)中的W1或W2为下式中的任一者表示的结构；
式中，虚线表示原子键。6.根据权利要求1或权利要求2所述的抗蚀剂下层膜材料，其中，该(B)有机溶剂是1种以上的沸点未达180度的有机溶剂、与1种以上的沸点180度以上的有机溶剂的混合物。7.根据权利要求1或权利要求2所述的抗蚀剂下层膜材料，更含有(C)酸产生剂、(D)表面活性剂、(E)交联剂、(F)塑化剂、及(G)色素中的1种以上。8.根据权利要求7所述的抗蚀剂下层膜材料，(E)交联剂含有一种以上的下列通式(7)
表示的化合物；式中，Q为单键、或碳数1～20的q价烃基；R
04
为氢原子、或碳数1～20的烷基；q为1～5的整数。9.一种图案形成方法，是于被加工基板形成图案的方法，具有下列步骤：(I
‑
1)通过于被加工基板上涂布根据权利要求1至8中任一项所述的抗蚀剂下层膜材料，然后进行热处理，而形成抗蚀剂下层膜；(I
‑
2)于该抗蚀剂下层膜上使用光致抗蚀剂材料形成抗蚀剂上层膜；(I
‑
3)将该抗蚀剂上层膜予以图案曝光后，利用显影液进行显影，于该抗蚀剂上层膜形成图案；(I
‑
4)将该形成有图案的抗蚀剂上层膜作为掩膜，利用干蚀刻将图案转印至该抗蚀剂下层膜；及(I
‑
5)将该形成有图案的抗蚀剂下层膜作为掩膜，对该被加工基板进行加工，而于该被加工基板形成图案。10.一种图案形成方法，是于被加工基板形成图案的方法，具有下...
【专利技术属性】
技术研发人员：中原贵佳，渡边武，郡大佑，美谷岛祐介，荻原勤，
申请(专利权)人：信越化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：
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