【技术实现步骤摘要】
图像传感器中使用混合接合的金属布线
[0001]本公开涉及3D集成电路，特定来说，涉及具有金属布线的图像传感器的混合接合。
技术介绍
[0002]晶片上晶片堆叠是垂直地堆叠两个或更多个晶片的工艺，其中每一晶片可具有执行不同功能的不同集成电路。已创建在晶片之间进行接合的特定方法，所述方法通常被称为“混合接合”。混合接合如此被命名是因为所述方法利用不止一种材料之间的接合。例如，混合接合可包含两个相异晶片的金属之间的接合以及两个相异晶片之间的氧化硅的接合。混合接合可通过热压、使用粘合剂及其它工艺来实现。
技术实现思路
[0003]一方面，本申请案提供一种为晶片上晶片结构中的电连接布线的方法，其包括：将第一晶片的第一侧上的金属接合垫接合到第二晶片的第二侧上的金属接合垫；使用与所述金属接合垫不同的材料将所述第一晶片的所述第一侧接合到所述第二晶片的所述第二侧；形成将所述第一晶片上的所述金属接合垫连接到安置在所述第一晶片的所述第一侧及第二侧内的第一装置的一或多个金属互连结构；及形成将所述第二晶片上的所述金属接合垫连接到安置...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种为晶片上晶片结构中的电连接布线的方法，其包括：将第一晶片的第一侧上的金属接合垫接合到第二晶片的第二侧上的金属接合垫；使用与所述金属接合垫不同的材料将所述第一晶片的所述第一侧接合到所述第二晶片的所述第二侧；形成将所述第一晶片上的所述金属接合垫连接到安置在所述第一晶片的所述第一侧及第二侧内的第一装置的一或多个金属互连结构；及形成将所述第二晶片上的所述金属接合垫连接到安置在所述第二晶片的第一侧及所述第二侧内的第二及第三装置，以通过所述金属接合垫将所述第一晶片的所述第一装置连接到所述第二晶片的所述第二及第三装置的一或多个金属互连结构，其中所述第一与所述第二晶片的所述装置之间的所述电连接不具有完全穿过所述第一或所述第二晶片的贯穿通路。2.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括将所述第一晶片的第一金属接合垫接合到所述第二晶片的第二金属接合垫的步骤，其中所述第二晶片的所述第二金属接合垫相对于所述第一晶片的所述第一金属接合垫移位，且所述第二晶片的所述第二金属接合垫与安置在所述第一晶片上的电介质材料部分地重叠。3.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括将所述第一晶片的第一金属接合垫接合到所述第二晶片的第二金属接合垫的步骤，其中所述第一金属接合垫的长度及宽度中的至少一者与所述第二金属接合垫不同。4.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括将所述第一晶片的第一金属接合垫接合到所述第二晶片的第二及第三金属接合垫的步骤，其中所述第二及第三金属接合垫与所述第一金属接合垫部分地重叠。5.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括连接第一及第二金属接合垫与其中形成所述第一及第二金属接合垫的同一层上的中间金属布线迹线的步骤。6.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括将所述第一晶片的多个金属接合垫接合到所述第二晶片的多个金属接合垫。7.根据权利要求6所述的方法，其中形成在所述第一晶片或所述第二晶片上的至少一个金属接合垫未经连接到所述一或多个金属互连结构以在所述第一晶片与所述第二晶片之间形成电连接。8.根据权利要求6所述的方法，其中连接到所述第一晶片的所述金属互连结构的第一金属接合垫经接合到连接到所述第二晶片的所述金属互连结构的第二金属接合垫，且所述第一晶片的第三金属接合垫经接合到所述第二晶片的第四金属接合垫，其中所述第三及所述第四金属接合垫未经连接到所述金属互连结构以在所述第一晶片与所述第二晶片之间形成电连接。9.一种晶片上晶片半导体结构，其包括：第一晶片，其在所述第一晶片的第一侧上具有金属接合垫；及第二晶片，其在所述第二晶片的第二侧上具有金属接合垫，其中所述第一晶片的所述金属接合垫经接合到所述第二晶片的所述金属接合垫，其中所述第一晶片的所述第一侧通过与所述金属接合垫不同的材料进一步接合到所述第二晶片的所述第二侧，
其中所述第一晶片的所述金属接合垫经连接到与安置在所述第一晶片的所述第一侧及第二侧内的第一装置连接的至少两个金属互连结构，其中所述第二晶片的所述金属接合垫经连接到与安置在所述第二晶片的第一侧及所述第二侧内的第二及第三装置连接的一或多个金属互连结构，且其中安置在所述第一晶片的所述第一及第二侧内的所述第一装置通过所述经接合金属接合垫连接到安置在所述第二晶片的所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈刚，孙世宇，
申请(专利权)人：豪威科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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