布线基板的制造方法技术

本公开提供防止在预定的布线图案以外的区域析出金属的布线基板的制造方法。首先，准备带籽晶层基材。所述带籽晶层基材依次具备绝缘性基材、导电性的基底层及设置在具有预定图案的第1区域的导电性的籽晶层。接着，形成覆盖所述籽晶层及所述基底层的绝缘层。接着，对所述绝缘层进行蚀刻而使所述籽晶层的表面露出，并且在第2区域中形成覆盖所述基底层的残留绝缘层。接着，在所述籽晶层与阳极之间配置含有包含金属离子的水溶液的固体电介质膜，一边使所述固体电介质膜和所述籽晶层压接、一边向所述阳极与所述籽晶层之间施加电压，由此在所述籽晶层的表面形成金属层。之后，除去所述残留绝缘层，对所述基底层进行蚀刻。对所述基底层进行蚀刻。对所述基底层进行蚀刻。

【技术实现步骤摘要】
布线基板的制造方法


[0001]本专利技术涉及布线基板的制造方法。

技术介绍

[0002]以往，在布线基板的制造中，为了形成布线，镀敷法被广泛地使用。但是，镀敷法需要镀敷处理后的水洗，需要处理废液。于是，在专利文献1中，记载了以下的金属覆膜的成膜方法：在阳极与阴极(基材)之间配置固体电介质膜，在阳极与固体电介质膜之间配置包含金属离子的溶液，使固体电介质膜与基材接触，向阳极与基材之间施加电压而使金属在基材的表面析出。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2014
‑
185371号公报

技术实现思路

[0006]专利技术所要解决的课题
[0007]使用专利文献1所记载的方法，在绝缘性基材上形成具有预定的布线图案的布线层的情况下，有时会在预定的布线图案以外的区域析出金属。析出到预定的布线图案以外的区域的金属有时会引起布线间的短路，因此需要除去。但是，难以选择性地将析出到预定的布线图案以外的区域的金属除去。因而，希望防止在预定的布线图案以外的区域析出金属。
[0008]于是，本专利技术提供防止在预定的布线图案以外的区域析出金属的布线基板的制造方法。
[0009]用于解决课题的技术方案
[0010]根据本专利技术的一个方案，提供一种布线基板的制造方法，所述布线基板具备绝缘性基材和设置在所述绝缘性基材上的具有预定的布线图案的布线层，所述制造方法依次包括：
[0011]步骤(a)，准备带籽晶层(seed layer)基材，
[0012]所述带籽晶层基材包括：
[0013]所述绝缘性基材；
[0014]导电性的基底层，其设置在所述绝缘性基材上；以及
[0015]导电性的籽晶层，其在具有与所述布线图案相应的预定图案的第1区域中设置在所述基底层上；
[0016]步骤(b)，形成绝缘层，所述绝缘层在第1区域中覆盖所述籽晶层并且在第1区域以外的区域即第2区域中覆盖所述基底层；
[0017]步骤(c)，至少对第1区域的所述绝缘层进行蚀刻而使所述籽晶层的表面露出，并且在第2区域中形成覆盖所述基底层的残留绝缘层；
[0018]步骤(d)，在所述籽晶层的表面形成金属层，
[0019]在该步骤中，在所述籽晶层与阳极之间配置含有包含金属离子的水溶液的固体电介质膜，一边使所述固体电介质膜与所述籽晶层压接、一边向所述阳极与所述籽晶层之间施加电压；
[0020]步骤(e)，除去所述残留绝缘层；以及
[0021]步骤(f)，对所述基底层进行蚀刻。
[0022]专利技术效果
[0023]在本专利技术的制造方法中，防止在预定的布线图案以外的区域析出金属。
附图说明
[0024]图1是示出实施方式的布线基板的制造方法的流程图。
[0025]图2是说明形成基底层的步骤的概念图。
[0026]图3是说明形成籽晶层的步骤的概念图。
[0027]图4是说明形成绝缘层的步骤的概念图。
[0028]图5是说明对绝缘层进行蚀刻的步骤的概念图。
[0029]图6是说明形成金属层的步骤的概念图。
[0030]图7是说明除去残留绝缘层的步骤的概念图。
[0031]图8是说明对基底层进行蚀刻的步骤的概念图。
[0032]图9是示出在形成金属层的步骤中使用的成膜装置的概略剖视图。
[0033]图10是示出使壳体下降到了预定高度的图9所示的成膜装置的概略剖视图。
[0034]图11是说明变形方式的布线基板的制造方法中的对绝缘层进行蚀刻的步骤的概念图。
[0035]图12是说明变形方式的布线基板的制造方法中的形成金属层的步骤的概念图。
[0036]标号说明
[0037]1：布线基板；2：布线层；10：带籽晶层基材；11：绝缘性基材；12：基底层；R1：第1区域；R2：第2区域；13：籽晶层；14：金属层；15：绝缘处理基材；16：绝缘层；16a：残留绝缘层；50：成膜装置。
具体实施方式
[0038]以下，参照附图，对本公开的实施方式进行说明。此外，在以下的说明中要参照的附图中，对同一构件或具有同样的功能的构件标注同一标号，有时省略重复的说明。另外，存在为了便于说明而使附图的尺寸比率与实际的比率不同、构件的一部分被从附图省略的情况。另外，在本申请中，使用符号“～”表示的数值范围包含记载于符号“～”前后的数值分别作为下限值及上限值。
[0039]如图1所示，实施方式的布线基板的制造方法包括：准备带籽晶层基材的步骤(S1)、形成绝缘层的步骤(S2)、对绝缘层进行蚀刻的步骤(S3)、形成金属层的步骤(S4)、除去残留绝缘层的步骤(S5)及对基底层进行蚀刻的步骤(S6)。以下，对各步骤进行说明。
[0040](1)准备带籽晶层基材的步骤(S1)
[0041]首先，如图2所示，在绝缘性基材11上形成基底层12。作为绝缘性基材11，例如能够
使用玻璃环氧树脂基材等包含树脂及玻璃的基材、树脂制的基材、玻璃制的基材等。作为在绝缘性基材11中使用的树脂的例子，可举出环氧树脂、ABS树脂、AS树脂、AAS树脂、PS树脂、EVA树脂、PMMA树脂、PBT树脂、PET树脂、PPS树脂、PA树脂、POM树脂、PC树脂、PP树脂、PE树脂、PI(聚酰亚胺)树脂、含有弹性体和PP的聚合物合金树脂、改性PPO树脂、PTFE树脂、ETFE树脂等热塑性树脂、酚树脂、三聚氰胺树脂、氨基树脂、不饱和聚酯树脂、聚氨酯、邻苯二甲酸二烯丙酯、硅酮树脂、醇酸树脂等热固性树脂、在环氧树脂中添加了氰酸酯树脂而得到的树脂、液晶聚合物等。优选地，可以使用玻璃环氧树脂基材作为绝缘性基材11。
[0042]基底层12为了后述的金属层14的形成而具有充分的导电性。作为基底层12的材料的例子，可举出FeSi2、CoSi2、MoSi2、WSi2、VSi2、ReSi
1.75
、CrSi2、NbSi2、TaSi2、TiSi2、ZrSi2等金属硅化物(silicide，硅化物)(尤其是过渡金属硅化物)、TiO2、SnO、GeO、ITO(氧化铟锡)等导电性金属氧化物、Ti、Al、Cr、Si或含有它们中的至少一种的合金、导电性树脂。另外，基底层12可以在表面具有自然氧化膜。自然氧化膜是指在将物质放置于大气中的情况下在物质的表面自然地形成的氧化膜。在自然氧化膜的例子中，包括在Ti、Al、Cr或含有它们中的至少一种的合金的表面形成的钝化膜及在Si或硅化物的表面形成的SiO2。基底层12从后述的金属层14的面内均匀性的观点来看可以具有20nm以上的厚度，优选具有100μm以上的厚度，从制造成本的观点来看可以具有300nm以下的厚度。
[0043]基底层12可以形成于绝缘性基材11的表面(主面)整体。基底层12可以通过任意的方法而形成。例如，能够通过溅射法等PVD(物理气相蒸镀)法、CVD(化学气相本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种布线基板的制造方法，所述布线基板具备绝缘性基材和设置在所述绝缘性基材上的具有预定的布线图案的布线层，所述制造方法依次包括：步骤(a)，准备带籽晶层基材，所述带籽晶层基材包括：所述绝缘性基材；导电性的基底层，其设置在所述绝缘性基材上；以及导电性的籽晶层，其在具有与所述布线图案相应的预定图案的第1区域中设置在所述基底层上；步骤(b)，形成绝缘层，所述绝缘层在第1区域中覆盖所述籽晶层并且在第1区域以外的区域即第2区域中覆盖所述基底层；步骤(c)，至少对第1区域的所述绝缘层进行蚀刻而使所述籽晶层的表面露出，并且在第2区...

【专利技术属性】
技术研发人员：近藤春树，森连太郎，柳本博，黑田圭儿，冈本和昭，
申请(专利权)人：丰田自动车株式会社，
类型：发明
国别省市：