本实用新型专利技术公开了一种真空开关触头，包括相对设置的第一触头和第二触头，第一触头的前端为凸半球体，第二触头为与凸半球体形状相适配的环状体，所述第一触头包括第一导电部件和第一导磁部件，所述第一导电部件和第一导磁部件沿相同方向延伸且相互邻接配合，第一触头的第一导电部件和第一导磁部件形状为阴阳鱼配合，所述第二触头包括第二导电部件和第二导磁部件，所述第二导电部件和第二导磁部件被所述第二触头的中线分割，且所述第一触头的第一导磁部件与所述第二触头的第二导电部件相对设置，所述第二触头的第二导磁部件与所述第一触头的第一导电部件相对设置。本实用新型专利技术降低了电压分断时重燃可能性和电弧电压，满足高压分断的要求。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）
【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种真空开关触头，尤其涉及一种真空开关管灭弧室内 的触头，属于电气
技术介绍
开关设备是电路中必然应用的设备，它起着关合、开断电路的作用。在 开关触头的开断过程中需要进行灭弧，以便触头能够果断分离并防止电弧使 开关的温度升高而损耗开关。由于真空开关具有较小的触头间隙、较高的耐 电压能力、较低的电弧电压、较高的分断电流能力、较低的电磨损以及较高 的电寿命，因此被广泛地应用于电力电路中。现有真空开关触头多为柱状体，每个触头内设有导磁部和导电部。真空 开关触头后部分别连接动导电杆和静导电杆，触头断开的动作是通过操控 动导电杆机械分开触头。断开时，触头的接触区域越来越小，直到触头仅 有一个接触点，同时接触电阻增加，区域的温度在增加，直到接触点熔化、 蒸发并电离，金属蒸汽使得真空中的放电得以维持，产生真空电弧，最后 完成触头电气断开。现有技术存在的缺陷是由于结构形状的限制，真空开关触头往往难以 形成良好的纵向磁场进行消弧，且难以解决高压分断时所出现的电场集中、 耐压不够和重燃可能性大等问题；对于高压电路只能够实现36千伏电压的分 断，对于更高的电压电路，尤其是72千伏的高压，目前还不存在一种真空开 关触头结构能够满足分断时有效灭弧的要求。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种真空开关触头，以降低电压分断时的重燃3可能性，降低电弧电压，实现有效灭弧，满足高压分断的要求。为实现上述目的，本技术提供了一种真空开关触头，包括相对设置 的第一触头和第二触头，所述第一触头的前端为凸半5求体，所述第二触头为 与所述凸半球体形状相适配的环状体，所述第一触头包括第一导电部件和第 一导^f兹部件，所述第一导电部件和第一导^ 兹部件沿相同方向延伸且相互邻接 配合，所述第一导电部件和第一导》兹部件形状为阴阳鱼配合，即所述第一触 头横截面由自身的纵向中线和横向中线等分为左上区域、左下区域、右上区 域和右下区域，所述右上区域分为邻接左上区域的第一右上区域和第一右上 区域以外的第二右上区域，所述左下区域分为邻接右下区域的第一左下区域 和第一左下区域以外的第二左下区域，所述第一右上区域和所述第一左下区 域为直径等于第 一触头横截面半径的半圆形，且所述第 一右上区域半圆形的 直径边与所述左上区域邻接，所述第 一左下区域半圆形的直径边与所述右下 区域邻接，所述第一导电部件设置在所述第一右上区域、左上区域和第二左 下区域中，所述第一导^f兹部件设置在所述第一左下区域、右下区域和第二右上区域中；所述第二触头包括第二导电部件和第二导磁部件，所述第二导电 部件和第二导^f兹部件被所述第二触头的中线分割，且所述第一触头的第 一导 磁部件与所述第二触头的第二导电部件相对设置，所述第二触头的第二导磁 部件与所述第 一触头的第 一 导电部件相对设置。本技术真空开关触头一方面将第 一导》兹部件的结构设计成使得》兹力 线具有从环绕触头外围转向流入另 一触头的趋势，能够在两触头间形成纵向 磁场，另一方面将二个触头设置成匹配套接的凸半球体和环状体，将现有技 术在两个平4亍的平面之间形成均匀石兹力线的；兹场分布改变为在两个空间的表 面之间形成放射状磁力线的磁场分布，在有效降低磁场强度的同时，使触头 表面之间更容易形成磁力线旋转，形成旋转的闭合的磁场回路，提高了触头 表面的耐高压能力，提高真空开关触头的电流分断能力，可适合用于更高电 压线路，满足了电力设备中对真空开关管耐高压的要求。下面通过附图和实施例，对本技术的技术方案做进一步的详细描述。附图说明图1为本技术真空开关触头第一实施例的剖面结构示意图2为本技术真空开关触头第一实施例中第一触头的横截面结构示意图3为本技术真空开关触头第二实施例中第一触头的外轮廓结构示意图4为本技术真空开关触头第三实施例中带有固定杆的第一触头的 横截面结构示意图。具体实施方式本技术真空开关触头包括相对设置的第一触头和第二触头，第一触 头的前端为凸半球体，第二触头为与凸半球体相适配的环状体，第一触头包 括第一导电部件和第一导磁部件，第一导电部件和第一导磁部件沿相同方向 延伸且相互邻接配合，第一导电部件和第一导》兹部件形状为阴阳鱼配合，即 第一触头横截面由自身的纵向中线和横向中线等分为左上区域、左下区域、 右上区域和右下区域，右上区域分为邻接左上区域的第一右上区域和第一右 上区域以外的第二右上区域，左下区域分为邻接右下区域的第一左下区域和 第一左下区域以外的第二左下区域，第一右上区域和第一左下区域为直径等 于第一触头横截面半径的半圆形，且第一右上区域半圓形的直径边与左上区 域邻接，第一左下区域半圓形的直径边与右下区域邻接，第一导电部件设置 在第一右上区域、左上区域和第二左下区域中，第一导^f兹部件设置在第一左 下区域、右下区域和第二右上区域中；第二触头包括第二导电部件和第二导 磁部件，第二导电部件和第二导磁部件被第二触头的中线分割，且第一触头 的第一导^ 兹部件与第二触头的第二导电部件相对设置，第二触头的第二导》兹部件与第 一触头的第 一导电部件相对设置第 一导f兹部件第二导》兹部件。由此可知，本技术一方面提供了相对设置的凸半球体触头和与其形 状相适配的环状体触头，另 一方面第 一触头的导电部间和导磁部件形状为阴 阳鱼配合，且第一触头和第二触头的导电部件和导磁部件反对称设置，最终 在两个相对设置的触头表面之间形成旋转的磁力线。真空开关触头第一实施例图1为本技术真空开关触头第一实施例的剖面结构示意图。如图1所示，第一触头l的前端，即第一触头1与第二触头2相互接触的部分为凸 半球体30，第一触头1的后端为与该凸半球体30形状相同的半球体，即第 一触头l整体为一球体。第二触头2可以采用环状体触头40，该环状体触头 40垂直于轴线的横截面为圓环形，且环状体触头40沿轴线方向的纵截面为 圆形，则该圓环形的环状体触头40与第一触头1的前端的凸半球体30套接 匹配。本实施例中第一触头的后端也可以为圓柱体，该圆柱体的横截面与该半 球体的横截面为面积相同的圓形。本实施例中的第 一触头的后端也可以为其它任意形状，只要其前端保持凸半球体，且后端与其前端连接处的横截面为 圆形即可。环状体触头沿轴线方向的纵截面既可以为圆形、椭圆形、三角形，也可 以为正方形或者矩形。在具体应用中，环状体触头沿轴线方向的纵向横截面 形状还可以为多种形式，并不限于上述的圓形、椭圆形或三角形等，只要环 状体垂直于轴线方向的横截面形状与第一触头前端的形状相匹配，能套接配 合即可。图2本技术真空开关触头第一实施例中第一触头的横截面结构示意 图。如图2所示，第一触头1可以包括第一导电部件IO和第一导磁部件11, 第一导电部件10和第一导磁部件11沿相同方向延伸且相互邻接配合，呈阴 阳鱼配合。该第一触头1的横截面形状为圆形，且任意一个横截面由自身的 纵向中线Y和横向中线X等分为左上区域IOO、左下区域200、右上区域300和右下区域400。右上区域300分为邻接左上区域100的第一右上区域310 和第一右上区域310以外区域形成的第二右上区域320。该左下区域200分 为邻接右下区域400的第一左下区域210和第一左下区本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种真空开关触头，包括相对设置的第一触头和第二触头，其特征在于，所述第一触头的前端为凸半球体，所述第二触头为与所述凸半球体形状相适配的环状体，所述第一触头包括第一导电部件和第一导磁部件，所述第一导电部件和第一导磁部件沿相同方向延伸且相互邻接配合，所述第一导电部件和第一导磁部件形状为阴阳鱼配合，即所述第一触头横截面由自身的纵向中线和横向中线等分为左上区域、左下区域、右上区域和右下区域，所述右上区域分为邻接左上区域的第一右上区域和第一右上区域以外的第二右上区域，所述左下区域分为邻接右下区域的第一左下区域和第一左下区域以外的第二左下区域，所述第一右上区域和所述第一左下区域为直径等于第一触头横截面半径的半圆形，且所述第一右上区域半圆形的直径边与所述左上区域邻接，所述第一左下区域半圆形的直径边与所述右下区域邻接，所述第一导电部件设置在所述第一右上区域、左上区域和第二左下区域中，所述第一导磁部件设置在所述第一左下区域、右下区域和第二右上区域中；所述第二触头包括第二导电部件和第二导磁部件，所述第二导电部件和第二导磁部件被所述第二触头的中线分割，且所述第一触头的第一导磁部件与所述第二触头的第二导电部件相对设置，所述第二触头的第二导磁部件与所述第一触头的第一导电部件相对设置。...
【技术特征摘要】
1、一种真空开关触头，包括相对设置的第一触头和第二触头，其特征在于，所述第一触头的前端为凸半球体，所述第二触头为与所述凸半球体形状相适配的环状体，所述第一触头包括第一导电部件和第一导磁部件，所述第一导电部件和第一导磁部件沿相同方向延伸且相互邻接配合，所述第一导电部件和第一导磁部件形状为阴阳鱼配合，即所述第一触头横截面由自身的纵向中线和横向中线等分为左上区域、左下区域、右上区域和右下区域，所述右上区域分为邻接左上区域的第一右上区域和第一右上区域以外的第二右上区域，所述左下区域分为邻接右下区域的第一左下区域和第一左下区域以外的第二左下区域，所述第一右上区域和所述第一左下区域为直径等于第一触头横截面半径的半圆形，且所述第一右上区域半圆形的直径边与所述左上区域邻接，所述第一左下区域半圆形的直径边与所述右下区域邻接，所述第一导电部件设置在所述第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：任建昌，
申请(专利权)人：北京京东方真空电器有限责任公司，
类型：实用新型
国别省市：11[中国|北京]
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