真空开关触头制造技术

本发明专利技术涉及一种真空开关触头，包括沿相同方向延伸且相互邻接组成触头主体的导电部件和导磁部件，其中，导磁部件的横截面形状被其中位线划分为第一区域和第二区域，第一区域的面积大于第二区域的面积。本发明专利技术采用真空开关触头一端面积大，另一端面积小的技术手段，使导磁部件形成的磁场能够应为两触头主体间距较小而流入另一触头主体中，提供了能够灭弧的纵向磁场，能够降低电压分断时的重燃可能性，降低电弧电压，实现有效灭弧，满足高压分断的要求。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种真空开关触头，尤其涉及一种真空开关管灭弧室内的触 头，属于电气

技术介绍
开关设备是电路中必然应用的设备，它起着关合、开断电路的作用。开 关设备中的两触头在分断过程中，会产生电弧，从阴极斑点燃烧产生弧柱为 锥面的等离子弧。尤其在高压电路中，开关触头间产生的电弧尤其强烈。电弧会使幵关的温度升高而损耗开关，而且电弧的存在会减小触头的电 流分断能力。因此开关触头的开关过程中必须进行灭弧。现在的开关设备中 大多使用诸如油、六氟化硫、空气、半导体或真空等进行灭弧，不同的灭弧 介质其相应的特点不同。由于真空开关具有较小的触头间隙、较高的耐电压 能力、较低的电弧电压、较高的分断电流能力、较低的电磨损以及较高的电 寿命，因此被广泛地应用于电力电路中。现有真空开关触头的触头主体内一般设有邻接组合的导磁部件和导电部 件，开关在断开时，幵关设备两端触头主体的接触区域逐渐减小，直到触头 主体间只有一个接触点，同时接触电阻逐渐增加，因此接触点所在区域的温 度逐渐升高，直到温度高于接触点的熔点，接触点熔化并蒸发电离，金属蒸 气使得真空中的放电得以维持，产生真空电弧。此时，分断电流成功的关键 在于电弧电流过零后，触头主体间隙绝缘恢复速度快于触头主体间隙间的暂 态恢复电压速度，就不会发生重燃而达到成功开断。真空灭弧室开断电流时， 电弧放出的金属蒸汽在电弧电流过零时会迅速扩散，遇到触头主体或屏蔽罩表面会立即凝结。因此，需要合理设计开断电流相应的触头主体尺寸、材质、 形态、触头主体间隙以及电流开断时产生的金属蒸汽密度，带电粒子密度等 影响因素。 一般而言，在触头主体间依靠导磁部件形成良好的纵向磁场能够 达到加速消弧的作用，有极为良好的弧后绝缘恢复特性。但是，目前的真空 开关触头由于结构形状的限制往往难以形成良好的纵向磁场进行消弧，且难 以解决高压分断时所出现的电场集中、耐压不够和重燃可能性大等问题。对于高压电路的分断，现有技术能够实现36千伏电压的分断，对于更高的电 压电路，尤其是72千伏的高压，目前还不存在一种真空开关触头结构能够满 足分断时有效灭弧的要求，这是现有真空开关技术中有待解决的问题之一。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种真空开关触头，以降低电压分断时的重燃可能 性，降低电弧电压，实现有效灭弧，满足高压分断的要求。为实现上述目的，本专利技术提供了一种真空开关触头，包括沿相同方向延 伸且相互邻接组成触头主体的导电部件和导磁部件，其中，所述导磁部件的 横截面形状被其中位线划分为第一区域和第二区域，所述第一区域的面积大于第二区域的面积。具体^k，触头主体的横截面为圆形或类圆形；且所述触头主体的横截面 由自身的纵向中线和横向中线等分为左上区域、左下区域、右上区域和右下 区域；所述右上区域分为邻接左上区域的第一右上区域和第一右上区域以外 的第二右上区域；所述左下区域分为邻接右下区域的第一左下区域和第一左 下区域以外的第二左下区域；所述导电部件设置在所述第一右上区域、左上 区域和第二左下区域中；所述导磁部件设置在所述第一左下区域、右下区域 和第二右上区域中。并且，所述第一右上区域和/或所述第一左下区域为半圆形、圆冠形、梯 形或三角形，且所述第一右上区域的长边与所述左上区域邻接，所述第一左下区域的长边与所述右下区域邻接。触头主体的横截面为圆形或类圆形；且所述触头主体的横截面由自身的 纵向中线和横向中线等分为左上区域、左下区域、右上区域和右下区域；所 述左上区域分为邻接左下区域的第一左上区域和第一左上区域以外的第二左 上区域；所述左下区域分为邻接右下区域的第一左下区域和第一左下区域以 外的第二左下区域；所述右上区域分为邻接左上区域的第一右上区域和第一 右上区域以外的第二右上区域；所述右下区域分为邻接右上区域的第一右下 区域和第一右下区域以外的第二右下区域；所述导电部件设置在所述第一右 上区域、第二左上区域、第一左下区域和第二右下区域中；所述导磁部件设 置在所述第一左下区域、第二右上区域、第一左上区域和第二左下区域中。并且，所述第一左上区域、第一右上区域、第一左下区域和/或第一右下 区域为半圆形、圆冠形或梯形，且所述第一左上区域的长边与所述第二左下 区域邻接，所述第一右上区域的长边与所述第二左上区域邻接，所述第一左 下区域的长边与所述第二右下区域邻接，所述第一右下区域的长边与所述第 二右上区域邻接。进一步地，所述第一右上区域的长边的长度等于所述右上区域与所述左 上区域邻接线的长度。所述第一左下区域的长边的长度等于所述左下区域与 所述右下区域邻接线的长度。所述第一左上区域的长边的长度等于所述左上 区域与所述左下区域邻接线的长度。所述第一右下区域的长边的长度等于所 述右上区域与所述右下区域邻接线的长度。触头主体中的导磁部件和导磁部件还可以呈螺旋状设置，所述触头主体 各横截面中的导磁部件之间具有一夹角，即所述触头主体各横截面中的导磁 部件之间呈螺旋状设置。优选地，所述触头主体由数个片体依次叠设组成，每个片体由导电片和 导磁片邻接组合构成，数个导电片组成导电部件，数个导磁片组成导磁部件。进一步地，所述导电片和导磁片上开设有使固定杆贯穿于数个片体的固定孔。所述触头主体还可以由数个杆体紧密邻接组成，数个导电材料的杆体构 成所述导电部件，数个导磁材料的杆体构成所述导磁部件。所述触头主体也可以由数个颗粒紧密邻接组成，数个导电材料的颗粒构 成所述导电部件，数个导磁材料的颗粒构成所述导磁部件。真空开关触头还可以包括形状与所述触头主体的形状相适应的壳体，用 于容置所述触头主体。本专利技术提供了一种真空开关触头，在组成触头主体的导电部件和导磁部 件中，导磁部件的横截面形状为一端面积大、 一端面积小的不规则形状，因 此可形成一端磁场强度强、 一端磁场强度弱的不均匀磁场，使用中通过将两 个真空开关触头的导磁部件反对称设置，使一个真空开关触头的导磁部件形 成的磁场与另一个真空开关触头的导磁部件形成的磁场形成磁场回路时，在 两个真空开关触头之间形成既有水平磁场、又有垂直磁场且磁力线呈旋转状 的旋转磁场，有效降低了电压分断时的重燃可能性，降低了电弧电压，实现 了有效灭弧，可以满足高压分断的要求。下面通过具体实施例并结合附图对本专利技术做进一步的详细描述。附图说明图1为本专利技术真空开关触头具体实施例一的横截面图； 图2为本专利技术真空开关触头具体实施例二的横截面图； 图3为本专利技术真空开关触头具体实施例三的横截面图； 图4为本专利技术真空开关触头具体实施例四的横截面图； 图5为本专利技术真空开关触头一实施例的橫截面图； 图6为本专利技术真空开关触头另一实施例的横截面图； 图7为本专利技术真空开关触头具体实施例五的横截面图； 图8为本专利技术真空开关触头具体实施例八的结构示意图9为本专利技术真空开关触头具体实施例八的横截面图； 图10为本专利技术真空开关触头具体实施例九的结构示意图。 图中10--左上区域20--左下区域30--右上区域40--右下区域11-一第一左上区域12--第二左上区域21--第一左下区域22-一第二左下区域31--第一右上区域32--第二右上区域41-一第一右下区域42--第二右下区域50--固定孔60--导电部件70--导磁部件具体实施例方式本专利技术真空开关触头的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种真空开关触头，包括沿相同方向延伸且相互邻接组成触头主体的导电部件和导磁部件，其特征在于：所述导磁部件的横截面形状被其中位线划分为第一区域和第二区域，所述第一区域的面积大于第二区域的面积。

【技术特征摘要】
1、一种真空开关触头，包括沿相同方向延伸且相互邻接组成触头主体的导电部件和导磁部件，其特征在于所述导磁部件的横截面形状被其中位线划分为第一区域和第二区域，所述第一区域的面积大于第二区域的面积。2、 根据权利要求1所述的真空开关触头，其特征在于触头主体的横截 面为圆形或类圆形；且所述触头主体的横截面由自身的纵向中线和横向中线 等分为左上区域、左下区域、右上区域和右下区域；所述右上区域分为邻接 左上区域的第一右上区域和第一右上区域以外的第二右上区域；所述左下区 域分为邻接右下区域的第一左下区域和第一左下区域以外的第二左下区域； 所述导电部件设置在所述第一右上区域、左上区域和第二左下区域中；所述 导磁部件设置在所述第一左下区域、右下区域和第二右上区域中。3、 根据权利要求2所述的真空开关触头，其特征在于所述第一右上区 域和/或所述第一左下区域为半圆形、圆冠形、梯形或三角形，且所述第一右 上区域的长边与所述左上区域邻接，所述第一左下区域的长边与所述右下区 域邻接。4、 根据权利要求1所述的真空开关触头，其特征在于触头主体的横截 面为圆形或类圆形；且所述触头主体的横截面由自身的纵向中线和横向中线 等分为左上区域、左下区域、右上区域和右下区域；所述左上区域分为邻接 左下区域的第一左上区域和第一左上区域以外的第二左上区域；所述左下区 域分为邻接右下区域的第一左下区域和第一左下区域以外的第二左下区域； 所述右上区域分为邻接左上区域的第一右上区域和第一右上区域以外的第二 右上区域；所述右下区域分为邻接...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩玉杰，
申请(专利权)人：韩玉杰，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]