短路至一起的表面安装无源组件和裸片制造技术

技术编号:31473670 阅读:40 留言:0更新日期:2021-12-18 12:01
一种器件,包括衬底(640),衬底包括多个金属层(618)和多个介电层(652)。器件还包括第一无源组件(602),该第一无源组件包括在多个金属层中的一个金属层(620)上安装到衬底的第一端子(604)、第二端子(606)和第一本体(608)。第一端子(604)耦合第一接地信号并且第二端子(606)耦合第二接地信号使得第一无源组件(602)被短路。第一无源组件可以是电感器、电容器或电阻器。第一无源组件可操作作为散热器、热屏蔽件、电磁屏蔽件或调谐电感器。电磁屏蔽件或调谐电感器。电磁屏蔽件或调谐电感器。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】短路至一起的表面安装无源组件和裸片
[0001]优先权声明
[0002]本专利申请要求于2019年4月29日提交的题为“SURFACE MOUNT PASSIVE COMPONENT SHORTED TOGETHER AND A DIE”的申请号为62/839,879、于2020年2月19日提交的题为“SURFACE MOUNT PASSIVE COMPONENT SHORTED TOGETHER AND A DIE”的非临时申请号16/794,360的优先权,这些申请被转让给本申请的受让人并且在此通过引用明确并入本文。


[0003]各种特征涉及包括衬底、被短路并且安装到衬底并且位于裸片附近的表面安装无源组件的器件。

技术介绍

[0004]表面安装技术(SMT)是一种将组件直接安装或放置到印刷电路板或封装衬底的表面上的技术。诸如电阻器、电容器和电感器等无源组件可以表面安装到封装衬底上,以用于滤波器、射频应用(RF)、电压调节和其他应用。
[0005]持续地需要提供具有成本有效的设计结构的较小器件以解决较小器件中的诸如电磁本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种器件,包括:衬底,包括多个金属层和多个介电层;第一裸片,耦合到所述衬底;以及第一无源组件,包括第一端子、第二端子和第一本体,所述第一无源组件在所述多个金属层中的一个金属层上安装到所述衬底,所述第一无源组件位于所述第一裸片附近;其中所述第一端子耦合到第一接地信号并且所述第二端子耦合到第二接地信号,使得所述第一无源组件被短路。2.根据权利要求1所述的器件,其中所述第一裸片是被配置为加热区域的热源,并且所述第一无源组件是可操作以减少所述区域中的热量的电感器或电阻器。3.根据权利要求2所述的器件,其中所述第一无源组件可操作作为散热器,并且所述第一无源组件是电感器或电阻器。4.根据权利要求3所述的器件,还包括被短路并且部分地围绕所述第一裸片的附加无源组件,其中所述附加无源组件是电感器或电阻器或电感器与电阻器的组合。5.根据权利要求3所述的器件,还包括:所述多个金属层中的第一金属层,所述第一无源组件安装在所述第一金属层上,其中所述第一金属层被配置为提供所述第一接地信号和所述第二接地信号。6.根据权利要求3所述的器件,还包括:所述多个金属层中的第一金属层,所述第一无源组件安装在所述第一金属层上;以及多个第一通孔,所述多个第一通孔将所述第一金属层上的所述第一端子和所述第二端子分别耦合到所述多个金属层中的第二金属层,所述第二金属层被配置为提供所述第一接地信号和所述第二接地信号。7.根据权利要求2所述的器件,还包括:耦合到所述衬底的第二裸片或无源器件,所述第一无源组件位于所述第二裸片或无源器件与所述第一裸片之间,其中所述第一无源组件可操作作为热屏蔽件以减少由所述第二裸片或无源器件所经历的热量。8.根据权利要求7所述的器件,还包括被短路并且部分地围绕所述第一裸片的附加无源组件,其中所述附加无源组件是电感器或电阻器或电感器与电阻器的组合。9.根据权利要求7所述的器件,还包括:所述多个金属层中的第一金属层,所述第一无源组件安装在所述第一金属层上,其中所述第一金属层被配置为提供所述第一接地信号和所述第二接地信号。10.根据权利要求7所述的器件,还包括:所述多个金属层中的第一金属层,所述第一无源组件安装在所述第一金属层上;以及多个第一通孔,所述多个第一通孔将所述第一金属层上的所述第一端子和所述第二端子分别耦合到所述多个金属层中的第二金属层,所述第二金属层被配置为提供所述第一接地信号和所述第二接地信号。11.根据权利要求1所述的器件,还包括:耦合到所述衬底的第二裸片或无源器件,其中所述第一无源组件位于所述第一裸片与所述第二裸片或无源器件之间;以及所述第一无源组件是电容器并且可操作作为电磁屏蔽件。
12.根据权利要求11所述的器件,其中所述第一裸片具有发射器组件并且所述第二裸片具有接收器组件,所述第一无源组件可操作以减少从所述第一裸片到所述第二裸片的电磁场。13.根据权利要求11所述的器件,还包括:附加电容性无源组件,其中所述附加电容性无源组件中的每个附加电容性无源组件被短路并且部分地围绕所述第二裸片。14.根据权利要求11所述的器件,还包括:所述多个金属层中的第一金属层,所述第一无源组件安装在所述第一金属层上,其中所述第一金属层被配置为提供所述第一接地信号和所述第二接地信号。15.根据权利要求11所述的器件,还包括:所述多个金属层中的第一金属层,所述第一无源组件安装在所述第一金属层上;以及多个第一通孔,所述多个第一通孔将所述第一金属层上的所述第一端子和所述第二端子分别耦合到所述多个金属层中的第二金属层,所述第二金属层被配置为提供所述第一接地信号和所述第二接地信号。16.根据权利要求1所述的器件,其中:所述第一裸片包括第一电感器;以及所述第一无源组件包括被配置为生成磁场的第二电感器,所述第一无源组件位于所述第一裸片附近,使得所述第一无源组件的所述磁场影响所述第一电感器的有效电感。17.根据权利要求16所述的器件,还包括:所述第一电感器的第一电感值;所述第二电感器的互感值,其中所述第二电感器被选择以调谐所述第一电感...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘屿春P
申请(专利权)人:高通股份有限公司
类型:发明
国别省市:

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