用于红外光谱的新型NIR宽带发射磷光体制造技术

公开了一种在近红外波长范围内发射的发光材料，该发光材料包括Sc1‑

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于红外光谱的新型NIR宽带发射磷光体


[0001]本专利技术涉及发光材料并涉及波长转换结构。

技术介绍

[0002]Oomen等人（J. Solid State Chemistry、vo. 75 no 1 (1988), 201
‑
204）描述了偏磷酸盐LnP3O
9 (Ln = Sc、Lu、Y、Gd、La)中Bi
3+
离子(6s2)的发光。对于Ln = Sc、Lu、Y、Gd，偏磷酸盐具有单斜结构，其中三价阳离子的四个位点略有不同。对于Ln = Sc、Lu、Y，Bi
3+
发光的斯托克斯位移随着主晶格阳离子半径的增加而增加。观察到 Bi
3+
发光的浓度猝灭。在GdP3O9‑
Bi
3+
的情况下，激发能量转移到Gd
3+
离子。LaP3O9采用正交结构，其中只有一个位点可用于三价阳离子。Bi
3+
离子的不同配位导致Bi
3+
发光的斯托克斯位移大幅增加。Oomen等人还报道了LnP3O9（Ln本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1. 一种发光材料，包括Sc1‑
x
‑
y
A
y
MO:Cr
x
，其中MO = P3O9、(BP3O
12
)
0.5
、(SiP5O
19
)
0.34
；A = Lu、In、Yb、Tm、Y、Ga、Al，其中0 < x ≤ 0.75、0 ≤ y ≤ 1。2. 根据权利要求1所述的发光材料，其中MO是P3O9且0 < x ≤ 0.5、0 ≤ y ≤ 0.9。3. 根据前述权利要求中任一项所述的发光材料，包括Sc2‑
x
‑
y
A
y
BP3O
12
:Cr
x
，其中A = Lu、In、Yb、Tm、Y、Ga、Al；0 < x ≤ 0.75、0 ≤ y ≤ 1.8。4. 根据前述权利要求中任一项所述的发光材料，包括Sc3‑
x
‑
y
A
y
SiP5O
19
:Cr
x
，其中A = Lu、In、Yb、Tm、Y、Ga、Al；0 < x ≤ 0.2，0 ≤ y ≤ 2。5. 根据前述权利要求中任一项所述的发光材料，其中所述发光材料发射具有在700 nm至1100 nm范围内的峰值波长的光。6. 一种波长转换结构，包括NIR磷光体材料，所述NIR磷光体材料包括Sc1‑
x
‑
y
A
y
MO:Cr
x
中的至少一种，其中MO = BO3、P3O9、(BP3O
12
)
0.5
、(SiP5O
19
)
0.34
；A = Lu、In、Yb、Tm、Y、Ga、Al，其中0 < x ≤ 0.75、0 ≤ y ≤ 1，并且其中当MO = BO3时，0 < y。7. 根据权利要求6所述的波长转换结构，进一步包括发射第一光的光源，所述波长转换结构设置在所述第一光的路径中，其中所述NIR磷光体吸收所述第一光并发射第二光，所述第二光具有700 nm至1100 nm的波长范围。8.根据前述权利要求6
‑
7中任一项所述的波长转换结构，进一步包括第二磷光体材料，其中所述第二磷光体材料包括绿色磷光体、红色磷光体和IR磷光体中的至少一种。9. 根据前述权利要求6
‑
8中...

【专利技术属性】
技术研发人员：P，
申请(专利权)人：亮锐有限责任公司，
类型：发明
国别省市：