三相无中线交流接触器直流控制器制造技术

三相无中线交流接触器直流控制器由三相整流桥、外接控制接点、储能电容、可控硅电路、接触器构成，三相电源分别经一分压电容接三相整流桥输入，三相整流桥的输出接外接控制接点，外接控制接点控制可控硅电路，可控硅电路接在三相整流桥输出回路中，储能电容与可控硅电路并联，接触器串接在可控硅主回路中。在电网电压大幅度波动时，本实用新型专利技术仍可使接触器可靠吸合并长期工作。（*该技术在2010年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及三相无中线交流接触器直流控制电路(电容型)。通用交流接触器的线圈工作电压通常为220V±20％，但是部分地区某段时间电网电压可能超过正常的电压的30％，而某些时刻可能低于正常电压的70％，此时通用接触器容易烧毁。鉴于上述，本技术的目的是提供一种本技术涉及三相无中线交流接触器直流控制电路，在电网电压大帽度波动时，它仍可使接触器可靠吸合并长期工作。本技术的目的提供以下技术方案实现一种三相无中线交流接触器直流控制器，其特征在于它由三相整流桥、外接控制接点、储能电容、可控硅电路、接触器构成，其中三相电源分别经一分压电容接三相整流桥输入，三相整流桥的输出接外接控制接点，外接控制接点控制可控硅电路，可控硅电路接在三相整流桥输出回路中，储能电容与可控硅电路并联，接触器串接在可控硅主回路中。所述外接控制接点为常闭接点，其与电阻串联后再与可控硅电路并联。所述外接控制接点为常开接点，其串接在三相整流桥输出回路中。本技术的优点是由于采用三相整流桥，三相整流桥的输出又由储能电容滤波后加至接触器上，又因电网电压经分压电容降压后加至接触器，故可改善电网电压波动对接触器的冲击，使得在电网电压大幅度波动时，它仍能使接触器可靠吸合并长期工作。以下结合附图和实施例详细说明。附图说明图1为本技术一个实施例的电路图；图2为本技术另一个实施例的电路图。本技术由三相整流桥、外接控制接点、储能电容、可控硅电路、接触器构成，其中三相电源分别经一分压电容接三相整流桥输入，三相整流桥的输出接外接控制接点，外接控制接点控制可控硅电路，可控硅电路接在三相整流桥输出回路中，储能电容与可控硅电路并联，接触器串接在可控硅主回路中。图1为并联控制型三相无中线交流接触器直流控制电路(电容型)。图中C1、C2、C3为交流回路中的分压电容，D1-D6接成三相整流桥，由可控硅SCR及其触发电路构成的可控硅电路接在三相整流桥输出回路中，储能电容c4与可控硅电路并联，接触器KM串接在可控硅主回路中。KA为外接常闭控制接点，其与小阻值电阻R4串联后再与可控硅电路并联。上述电路可装在一外壳中。当外控制器未发合闸信号时，KA接点闭合。C1、C2、C3与R4构成交流回路，C4被R4短接无法储存足够的能量，可控硅SCR无法触发导通，接触器KM不吸合。外控制器发出合闸指令后，KA打开，电源通过C1-C3给C4充电。当C4充电到一定值时，SCR被触发导通，C4向接触器KM提供吸合的能量。KM吸合后，主要由C1-C3与接触器线圈的内阻决定了KM线圈从电源分得相应的电压。当外控制器发出分闸指令后KA闭合，C4通过R4放电，电压降低，同时流过KM线圈的电流减少，SCR关断，接触器分闸。图2原理与图1相近，只是采用了串联控制方式，图2的外接控制接点为常开接点，其串接在三相整流桥输出回路中。当控制器发生合闸指令后，KA闭合，C4充电电压升高，当升到一定值时，SCR触发导通，C4向接触器KM的线圈提供能量，接触器吸合。当控制器发出分闸指令时KA断开。接触器线圈断电，接触器分闸。经实验测定本技术电路在电网电压为110-300V时，都能使接触器可靠吸合并长期工作。以上叙述和实施例仅为说明本技术，并非用来限制本技术的专利范围，因此，任何基于本技术和现有技术所作的非实质性的改进，当属本技术的专利保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种三相无中线交流接触器直流控制器，其特征在于：它由三相整流桥、外接控制接点、储能电容、可控硅电路、接触器构成，其中：三相电源分别经一分压电容接三相整流桥输入，三相整流桥的输出接外接控制接点，外接控制接点控制可控硅电路，可控硅电路接在三 相整流桥输出回路中，储能电容与可控硅电路并联，接触器串接在可控硅主回路中。

【技术特征摘要】
1．一种三相无中线交流接触器直流控制器，其特征在于它由三相整流桥、外接控制接点、储能电容、可控硅电路、接触器构成，其中三相电源分别经一分压电容接三相整流桥输入，三相整流桥的输出接外接控制接点，外接控制接点控制可控硅电路，可控硅电路接在三相整流桥输出回路中，储能电容与可控硅电路并...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨转筱，周训炘，
申请(专利权)人：北京通力环电气股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：11[中国|北京]