导电多层膜和垫圈制造技术

本发明专利技术提供了一种用于在两个导电表面之间提供电气通路的导电多层膜，该导电多层膜包括塑料背衬层、设置在塑料背衬层的第一例上的导电层以及设置在塑料背衬层的相反的第二侧上的恢复层。该多层膜的平均厚度小于约100微米。中空垫圈可通过将该多层膜卷绕或弯曲成柔性中空闭环而由该多层膜形成。当该多层膜被卷绕以形成具有不超过约7mm的外径的柔性闭环并且导电层形成环的外层时，当该环在直径上被压缩至少20％时，闭环的横跨闭环的直径的电阻保持小于约2Ω。持小于约2Ω。持小于约2Ω。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】导电多层膜和垫圈

技术介绍

[0001]电子设备可使用导电垫圈在相对的导电结构之间形成电气通路。

技术实现思路

[0002]在本说明书的一些方面，提供了一种用于在两个导电表面之间提供电气通路的导电多层膜。该多层膜包括塑料背衬层、设置在塑料背衬层的第一例上的导电层以及设置在塑料背衬层的相反的第二侧上的恢复层。该多层膜的平均厚度小于约100微米。当该多层膜被卷绕以形成具有不超过约7mm的外径的柔性闭环并且导电层形成环的外层时，当该环在直径上被压缩至少20％时，闭环的横跨闭环的直径的电阻保持小于约2Ω。
[0003]在本说明书的一些方面，提供了一种通过以下方式形成的中空垫圈：将多层膜卷绕成柔性中空环的形状，并且将多层膜的相反的第一侧和第二侧的第一部分和第二部分彼此粘结以形成柔性中空闭环。该多层膜具有小于约40微米的平均厚度。该多层膜包括形成闭环的最外层的导电层和设置在导电层上并且包含丙烯酸类聚合物的恢复层。在移除将中空垫圈在初始直径上压缩超过约50％的力之后，垫圈重新获得其初始直径的至少40％。
[0004]在本说明书的一些方面，提供了一种通过本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于在两个导电表面之间提供电气通路的导电多层膜，所述导电多层膜包括：塑料背衬层；导电层，所述导电层设置在所述塑料背衬层的第一侧上；和恢复层，所述恢复层设置在所述塑料背衬层的相反的第二侧上，使得所述多层膜的平均厚度小于约100微米，并且当所述多层膜被卷绕以形成具有不超过约7mm的外径的柔性闭环并且所述导电层形成所述闭环的外层时，当所述闭环在直径上被压缩至少20％时，所述闭环的横跨所述闭环的直径的电阻保持小于约2Ω。2.根据权利要求1所述的导电多层膜，其中当对所述闭环的所述压缩从约20％变化至约50％时，所述闭环的横跨所述闭环的直径的所述电阻变化小于约50％。3.根据权利要求1所述的导电多层膜，其中沿所述闭环的长度在所述直径上对所述闭环施加的小于约16kg/m的每单位长度压缩力使得所述闭环在直径上被压缩超过约80％。4.根据权利要求1所述的导电多层膜，其中在施加将所述闭环在初始直径上压缩超过约50％的力之后，所述闭环重新获得其初始直径的至少40％。5.根据权利要求1所述的导电多层膜，其中在移除沿所述闭环的长度在所述闭环的初始直径上对所述闭环施加的约79kg/m的每单位长度压缩力之后，所述闭环重新获得其初始直径的至少40％。6.根据权利要求1所述的导电多层膜，其中当所述闭环在直径上被压缩至少20％时，所述闭环的横跨所述闭环的直径的所述电阻保持小于约1Ω。7.根据权利要求1所述的导电多层膜，其中所述导电层包括铜、镍、银、铝、金、氧化铟锡(ITO)和锡中的一者或多者。8.根据权利要求1至7中任一项所述的导电多层膜，其中所述恢复层包含丙烯酸类聚合物。9.一种中空垫圈，所述中空垫圈通过以下方式形成：将多层膜卷绕成柔性中空环的形状，并且将所述多层膜的相反的第一例和第二侧的第一部分和第二部分彼此粘结以形成柔性中空闭环，所述多层膜具有小于约40微米的平均厚度并且包括：形成所述闭环的最外层的导电层；以及恢复层，该恢复层设置在所述导电层上并且包含丙烯酸类聚合物，...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄兵，张溯，张鑫，方敬，高凡，
申请(专利权)人：三M创新有限公司，
类型：发明
国别省市：