一种磁场防护装置及电子设备制造方法及图纸

本申请公开了一种磁场防护装置及电子设备。该磁场防护装置用于敏感电路，包括：依次层叠设置的第一防护层、第二防护层及第三防护层，其中，第三防护层靠近敏感电路设置，且第二防护层的导磁率大于第一防护层的导磁率，第三防护层的磁饱和度小于第二防护层的磁饱和度。通过这种方式，能够提高磁场防护装置的电磁屏蔽性能，并简化其结构及装配，节约成本。节约成本。节约成本。

【技术实现步骤摘要】
一种磁场防护装置及电子设备


[0001]本申请涉及静电磁场防护技术，特别是涉及一种磁场防护装置及电子设备。

技术介绍

[0002]高速内存广泛应用于智能硬件领域，其作为新一代的内存规格，有较高的处理速度及较低的运行功耗。高速内存作为一种敏感电路，随着运行速率的提高，其对外界环境的变化也变得更加敏感，特别是对磁场干扰。
[0003]现有技术通常采用屏蔽罩来减少磁场干扰。因屏蔽罩一般采用板料经钣金加工或冷冲成型，结构上难免存在接缝，接缝会降低其屏蔽效能；同时屏蔽罩的成本较高，且需要在设备设计初期预留位置，不便于后期装配，不仅增加了装配难度，而且增加了设备的体积，后期维护较困难。

技术实现思路

[0004]本申请主要解决的技术问题是如何提高磁场防护装置的电磁屏蔽性能，并简化其结构及装配，节约成本。
[0005]为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种磁场防护装置。该磁场防护装置用于敏感电路，包括：依次层叠设置的第一防护层、第二防护层及第三防护层，其中，第三防护层靠近敏感电路设置，且第二防护层的导磁率大于第一防护层的导磁率，第三防护层的磁饱和度小于第二防护层的磁饱和度。
[0006]为解决上述技术问题，本申请采用的另一个技术方案是：提供一种电子设备。该电子设备包括敏感电路及上述磁场防护装置，敏感电路靠近第三防护层设置。
[0007]本申请实施例的有益效果是：本申请的磁场防护装置用于敏感电路，包括：依次层叠设置的第一防护层、第二防护层及第三防护层，其中，第三防护层靠近敏感电路设置，且第二防护层的导磁率大于第一防护层的导磁率，第三防护层的磁饱和度小于第二防护层的磁饱和度。通过这种方式，因第二防护层的导磁率大于第一防护层的导磁率，且第一防护层相对于与第二防护层背离敏感电路设置，因此可以通过第一防护层初步吸收磁场，防止磁场被二次反射影响电子设备的其它电路，同时能够通过第二防护层吸收大部分磁场；因第三防护层的磁饱和度小于第二防护层的磁饱和度，所以第三防护层很容易磁饱和，能够避免敏感电路受剩余磁场的干扰；且本申请的磁场防护装置相对于传统的屏蔽罩，其结构简单、易装配。因此，本申请能够提高磁场防护装置的电磁屏蔽性能，并简化其结构及装配，节约成本。
附图说明
[0008]为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获
得其他的附图。
[0009]图1是本申请磁场防护装置一实施例的结构示意图；
[0010]图2是图1实施例磁场防护装置吸收磁场的流程示意图；
[0011]图3是图1实施例磁场防护装置吸收磁场的磁场强度变化示意图；
[0012]图4是本申请磁场防护装置一实施例的结构示意图；
[0013]图5是本申请磁场防护装置一实施例的结构示意图；
[0014]图6是本申请磁场防护装置一实施例的结构示意图。
具体实施方式
[0015]下面结合附图和实施例，对本申请作进一步的详细描述。特别指出的是，以下实施例仅用于说明本申请，但不对本申请的范围进行限定。同样的，以下实施例仅为本申请的部分实施例而非全部实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。
[0016]本申请首先提出一种磁场防护装置，如图1所示，图1是本申请磁场防护装置一实施例的结构示意图。本实施例磁场防护装置(图未标) 包括：依次层叠设置的第一防护层11、第二防护层12及第三防护层13，其中，第三防护层13靠近敏感电路15设置，且第二防护层12的导磁率大于第一防护层11的导磁率，第三防护层13的磁饱和度小于第二防护层12的磁饱和度。
[0017]本实施例的敏感电路15为围绕双倍速率(Dual Data Rate，DDR) 布置的高速敏感电路。例如高速内存电路，其信号传输速率较快，功率较低，很小的感应电动势就可以改变其电路工作状态，当然，敏感电路 15还包括一些中央处理器(central processing unit，CPU)电路、晶振电路及电源电路等，这些电路组成板级最小系统，是智能硬件设备的核心部件。
[0018]在其它实施例中，敏感电路还可以是麦克风、扬声器、指纹模组或者图像传感器等其它敏感电路。
[0019]磁导率表征磁介质磁性的物理量，其表示在空间或在磁芯空间中的线圈流过电流后，产生磁通的阻力或是其在磁场中导通磁力线的能力。磁导率越大，产生磁通的阻力或是其在磁场中导通磁力线的能力就越强。
[0020]磁饱和是磁性材料的一种物理特性，是指导磁材料由于物理结构的限制，所通过的磁通量无法无限增大，从而保持在一定数量的状态。磁饱和度越小，磁性材料所通过的磁通量越小。
[0021]区别于现有技术，本实施例因第二防护层12的导磁率大于第一防护层11的导磁率，且第一防护层11相对于与第二防护层12背离敏感电路15设置，因此可以通过第一防护层11初步吸收磁场，防止磁场被二次反射影响电子设备的其它电路，同时能够通过第二防护层12吸收大部分磁场；因第三防护层13的磁饱和度小于第二防护层12的磁饱和度，所以第三防护层13很容易磁饱和，能够避免敏感电路15受剩余磁场的干扰；且本实施例磁场防护装置相对于传统的屏蔽罩，其结构简单、易装配。因此，本实施例能够提高磁场防护装置的电磁屏蔽性能，并简化其结构及装配，节约成本。
[0022]可选地，本实施例的第一防护层11包括第一吸波剂(图未示)及第一基体(图未
示)，其中，第一吸波剂为铁硅铬吸波剂，第一基体为柔性硅橡胶基体。
[0023]本实施例磁场防护装置采用柔性硅橡胶掺杂铁硅铬作为匹配层(第一防护层11)，能够减小磁场在磁场防护装置表面的反射，使得更多的能量进入磁场防护装置，而不是通过二次反射影响其他电路；第一防护层11采用较低磁导率的吸波材料，能够初步吸收磁场干扰。
[0024]在其它实施例中，还可以采用锰锌、镍铜锌、镁铜锌、镍镁锌代替铁硅铬，采用树脂等代替硅橡胶。
[0025]可选地，本实施例的柔性硅橡胶基体的厚度为0.4mm
‑
0.6mm，具体可以为0.4mm、0.5mm、0.6mm；铁硅铬吸波剂中铁硅铬的体积分数为 0.4
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0.6，具体可以为0.4、0.5、0.6；铁硅铬吸波剂中铁硅铬微粉的粒径为8μm
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12μm，具体可以为，8μm、9μm、10μm、11μm、12μm；第一防护层11的磁导率为45
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55，具体可以为45、47、50、53、55。
[0026]在其它实施例中，可以根据磁场环境、敏感电路的敏感度及尺寸等参数适当调整柔性硅橡胶基体的厚度、铁硅铬吸波剂中铁硅铬的体积分数、铁硅铬吸波剂中铁硅铬微粉的粒径及第一防护层11的磁导本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种磁场防护装置，其特征在于，用于敏感电路，包括：依次层叠设置的第一防护层、第二防护层及第三防护层，其中，所述第三防护层靠近所述敏感电路设置，且所述第二防护层的导磁率大于所述第一防护层的导磁率，所述第三防护层的磁饱和度小于所述第二防护层的磁饱和度。2.根据权利要求1所述的磁场防护装置，其特征在于，进一步包括连接层，设置在所述第三防护层与所述敏感电路之间，用于固定连接所述第三防护层与所述敏感电路。3.根据权利要求1所述的磁场防护装置，其特征在于，进一步包括外壳，设置在所述第一防护层背离所述第二防护层的一侧。4.根据权利要求3所述的磁场防护装置，其特征在于，进一步包括连接层，与所述外壳依次叠层设置在所述第一防护层背离所述第二防护层的一侧，所述连接层用于固定连接所述外壳与所述第一防护层。5.一种电子设备，其特征在于，包括敏感电路及磁场防护装置...

【专利技术属性】
技术研发人员：来晓，
申请(专利权)人：浙江大华技术股份有限公司，
类型：新型
国别省市：