本实用新型专利技术公开一种散热模块及动态随机存取内存装置。散热模块包含本体、风扇及电连接组件。本体固定设置于包含动态随机存取内存的内存组件的基板。本体包含贯穿设置的容置穿孔、多个导流穿孔及多个排风穿孔。风扇固定设置于本体，风扇用以使基板外的空气通过容置穿孔及导流穿孔进入基板，通过容置穿孔及导流穿孔进入基板的空气则能通过排风穿孔向外排出。电连接组件用以外部供电模块供电给风扇。通过风扇、容置穿孔、导流穿孔及排风穿孔的设计，可以让动态随机存取内存运作时产生的热能更快向外排出。向外排出。向外排出。
【技术实现步骤摘要】
散热模块及动态随机存取内存装置
[0001]本技术涉及一种散热模块及内存装置，特别是一种用以安装于包含有多个动态随机存取内存的内存组件的散热模块及动态随机存取内存装置。
技术介绍
[0002]目前DDR2、DDR3、DDR4内存模块的散热方式，都是将具有高导热系数的金属构件，贴附于内存模块的表面，而内存模块运作时所产生的热能，则将通过金属构件向外传递，从而达到散热的效果。
[0003]DDR5是下一代的内存模块，此种内存模块运作时所产生的热能，相对于传统的DDR2、DDR3、DDR4内存模块运作时产生的热能，明显高出许多，而采用现有的散热方式，对运作中的DDR5进行散热则容易发生DDR5发生降频或热宕机等问题。
技术实现思路
[0004]本技术公开一种散热模块及动态随机存取内存装置，主要用以改善传统的散热方式，应用于DDR5内存模块中时，DDR5内存模块容易发生热宕机等问题。
[0005]本技术的其中一个实施例公开一种散热模块，其包含：一本体，其用以固定设置于一内存组件的一基板，基板设置有多个动态随机存取内存；本体包含：至少一容置穿孔，其贯穿本体，容置穿孔形成于本体的其中一个宽侧面；多个导流穿孔，各个导流穿孔贯穿本体；多个导流穿孔邻近容置穿孔设置；多个导流穿孔形成于本体的至少一个宽侧面；多个排风穿孔，其贯穿本体，多个排风穿孔位于本体的一窄侧；一风扇，其固定设置于本体，且风扇对应位于容置穿孔；风扇用以使基板外的空气通过容置穿孔及多个导流穿孔进入基板，通过容置穿孔及多个导流穿孔进入基板的空气则能通过多个排风穿孔向外排出；一电连接组件，其电性连接风扇，电连接组件能与一外部供电模块电性连接，以使外部供电模块供电给风扇。
[0006]优选地，散热模块还包含一控制器，控制器电性连接风扇，控制器能控制风扇开始运作、停止运作及风扇的转速，控制器与电连接组件相连接，控制器能通过电连接组件与外部供电模块电性连接，而外部供电模块能提供控制器运作时所需的电力。
[0007]优选地，容置穿孔及多个导流穿孔形成于本体的同一的宽侧面，且容置穿孔位于宽侧面的中央位置，多个导流穿孔位于容置穿孔的两侧，且多个导流穿孔是邻近本体相反于形成有多个排风穿孔的一侧设置。
[0008]优选地，部分的导流穿孔于容置穿孔的一侧排列成一排，位于同一排的多个导流穿孔的尺寸彼此不相同，且越靠近容置穿孔的导流穿孔的尺寸越小，越远离容置穿孔的导流穿孔的尺寸越大。
[0009]优选地，本体还包含多个导流结构；多个导流结构形成于本体相反于形成有多个排风穿孔的一侧，或者，多个导流结构位于本体彼此相反的两个短侧；风扇用以使基板外部的空气，通过多个导流结构的导引进入基板。
[0010]本技术的其中一个实施例公开一种动态随机存取内存装置，其包含：一基板，其一侧具有多个导电结构，多个导电结构用以插入一主板的一插槽中；多个动态随机存取内存，其固定设置于基板；一散热模块，其包含：一本体，其用以固定设置于基板，本体包含：至少一容置穿孔，其贯穿本体，容置穿孔形成于本体的其中一个宽侧面；多个导流穿孔，各个导流穿孔贯穿本体；多个导流穿孔邻近容置穿孔设置；多个导流穿孔形成于本体的至少一个宽侧面；多个排风穿孔，其贯穿本体，多个排风穿孔位于本体的一窄侧，多个排风穿孔位于本体远离多个导电结构的一侧设置；一风扇，其固定设置于本体，且风扇对应位于容置穿孔；风扇用以使基板外的空气通过容置穿孔及多个导流穿孔进入基板，通过容置穿孔及多个导流穿孔进入基板的空气则能通过多个排风穿孔向外排出；一电连接组件，其电性连接风扇，电连接组件能与一外部供电模块电性连接，以使外部供电模块供电给风扇。
[0011]优选地，散热模块还包含一控制器，控制器电性连接风扇，控制器能控制风扇开始运作、停止运作及风扇的转速，控制器与电连接组件相连接，控制器能通过电连接组件与外部供电模块电性连接，而外部供电模块能提供控制器运作时所需的电力。
[0012]优选地，容置穿孔及多个导流穿孔形成于本体的同一的宽侧面，且容置穿孔位于宽侧面的中央位置，多个导流穿孔位于容置穿孔的两侧，且多个导流穿孔是邻近本体相反于形成有多个排风穿孔的一侧设置。
[0013]优选地，部分的导流穿孔于容置穿孔的一侧排列成一排，位于同一排的多个导流穿孔的尺寸彼此不相同，且越靠近容置穿孔的导流穿孔的尺寸越小，越远离容置穿孔的导流穿孔的尺寸越大；各个导流穿孔使至少一个动态随机存取内存露出于本体。
[0014]优选地，本体还包含多个导流结构；多个导流结构形成于本体相反于形成有多个排风穿孔的一侧，或者，多个导流结构位于本体彼此相反的两个短侧；风扇用以使基板外部的空气，通过多个导流结构的导引进入基板。
[0015]综上所述，本技术的散热模块及动态随机存取内存装置，应用于DDR5内存模块中时，将可以大幅降低DDR5运作时发生热宕机的问题。
[0016]为能更进一步了解本技术的特征及
技术实现思路
，请参照以下有关本技术的详细说明与附图，但是此等说明与附图仅用来说明本技术，而非对本技术的保护范围作任何的限制。
附图说明
[0017]图1为本技术的动态随机存取内存装置的示意图。
[0018]图2为本技术的散热模块安装于基板的第一实施例的示意图。
[0019]图3为本技术的散热模块与设置有多个动态随机存取内存的基板的第一实施例的分解示意图。
[0020]图4为本技术的散热模块安装于基板的第二实施例的示意图。
[0021]图5为本技术的散热模块安装于基板的第三实施例的示意图。
具体实施方式
[0022]在以下说明中，如有指出请参照特定附图或是如特定附图所示，其仅是用以强调于后续说明中，所述及的相关内容大部份出现于该特定附图中，但不限制该后续说明中仅
可参考所述特定附图。
[0023]请一并参照图1至图3，图1为本技术的动态随机存取内存装置100的示意图，图2为本技术的散热模块3安装于基板1的第一实施例的示意图，图3为本技术的散热模块3与设置有多个动态随机存取内存2的基板1的第一实施例的分解示意图。
[0024]本技术的动态随机存取内存装置100包含：一基板1、多个动态随机存取内存(double data rate synchronous dynamic random
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access memory,DDR SDRAM)2及一散热模块3。基板1的一侧具有多个导电结构11，多个导电结构11用以插入一主板A的一插槽A1中。于此所指的主板A不局限于计算机的主板，在不同实施例中，主板A也可以是服务器中的主板。
[0025]多个动态随机存取内存2固定设置于基板1。在实际应用中，基板1还包含用来控制多个动态随机存取内存2的相关控制电路及控制器33，其可根据需求变化，在此不加以限制。关于动态随机存取内存2的数量及其种类于此不加以限制。较佳地，本技术的动态随本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种散热模块，其特征在于，所述散热模块包含：一本体，其用以固定设置于一内存组件的一基板，所述基板设置有多个动态随机存取内存；所述本体包含：至少一容置穿孔，其贯穿所述本体，所述容置穿孔形成于所述本体的其中一个宽侧面；多个导流穿孔，各个所述导流穿孔贯穿所述本体；多个所述导流穿孔邻近所述容置穿孔设置；多个所述导流穿孔形成于所述本体的至少一个所述宽侧面；多个排风穿孔，其贯穿所述本体，多个所述排风穿孔位于所述本体的一窄侧；一风扇，其固定设置于所述本体，且所述风扇对应位于所述容置穿孔；所述风扇用以使所述基板外的空气通过所述容置穿孔及多个所述导流穿孔进入所述基板，通过所述容置穿孔及多个所述导流穿孔进入所述基板的空气则能通过多个所述排风穿孔向外排出；一电连接组件，其电性连接所述风扇，所述电连接组件能与一外部供电模块电性连接，以使所述外部供电模块供电给所述风扇。2.根据权利要求1所述的散热模块，其特征在于，所述散热模块还包含一控制器，所述控制器电性连接所述风扇，所述控制器能控制所述风扇开始运作、停止运作及所述风扇的转速，所述控制器与所述电连接组件相连接，所述控制器能通过所述电连接组件与所述外部供电模块电性连接，而所述外部供电模块能提供所述控制器运作时所需的电力。3.根据权利要求1所述的散热模块，其特征在于，所述容置穿孔及多个所述导流穿孔形成于所述本体的同一的宽侧面，且所述容置穿孔位于所述宽侧面的中央位置，多个所述导流穿孔位于所述容置穿孔的两侧，且多个所述导流穿孔是邻近所述本体相反于形成有多个排风穿孔的一侧设置。4.根据权利要求3所述的散热模块，其特征在于，部分的所述导流穿孔于所述容置穿孔的一侧排列成一排，位于同一排的多个所述导流穿孔的尺寸彼此不相同，且越靠近所述容置穿孔的所述导流穿孔的尺寸越小，越远离所述容置穿孔的所述导流穿孔的尺寸越大。5.根据权利要求1所述的散热模块，其特征在于，所述本体还包含多个导流结构；多个所述导流结构形成于所述本体相反于形成有多个所述排风穿孔的一侧，或者，多个所述导流结构位于所述本体彼此相反的两个短侧；所述风扇用以使所述基板外部的空气，通过多个所述导流结构的导引进入所述基板。6.一种动态随机存取内存装置，其特征在于，所述动态随机存取内存装置包含：一基板，其一侧具有多个导电结构，多个所述导电结构用以插入一主板的一插槽中；多个动态随机...
【专利技术属性】
技术研发人员：谢杰志，
申请(专利权)人：金邦半导体科技深圳有限公司，
类型：新型
国别省市：
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