高强度、高导电率及弯曲加工性优良的铜合金制造技术

本发明专利技术提供一种铜合金，为高强度、高导电率及弯曲加工性优良的铜合金，其以质量％计含有Ｎｉ：０．４～４．０％、Ｓｉ：０．０５～１．０％，另外，作为元素Ｍ，含有选自Ｐ：０．００５～０．５％、Ｃｒ：０．００５～１．０％、Ｔｉ：０．００５～１．０％的一种元素，余量由铜及不可避免的杂质组成。其特征在于，该铜合金组织的、通过倍率３００００倍的电场发射型透射电子显微镜和能量分散型分析装置测定出的、５０～２００ｎｍ尺寸的析出物中含有的元素Ｍ和Ｓｉ的原子数比Ｍ／Ｓｉ平均为０．０１～１０。根据本发明专利技术，能够提供一种高强度化、高导电率化、且兼备优良的弯曲加工性的铜合金。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种高强度、高导电率且弯曲性优良的铜镍硅系合金，例 如，涉及一种优良的铜合金，其作为用于家电、半导体装置用引线架等半 导体部件、印刷电路板等电气，电子部件材料、开闭器部件、母线、端子*接 线柱等机构部件或产业用设备等的铜合金板条。
技术介绍
随着对电子设备小型化及轻量化的要求，电气 电子部件正在进行小 型化及轻量化。而且，为了该电气 电子部件的小型化及轻量化和端子部 件的小型化及轻量化，对于用于这些部件的铜合金材料而言，其板厚及宽度也变小，在IC中，也使用板厚为0.1 0.15mm的薄的铜合金。其结果是，用于这些电气 电子部件的铜合金材料要求更高的强度。 例如，汽车用接线柱等要求800MPa以上的高强度铜合金板。另外，电气 电子部件的所述薄板化及窄幅化的倾向使得铜合金材料 的导电性部分的截面积减小。为了补偿因该截面积减小引起的导电性的下 降，要求铜合金材料自身具有导电率40。/。IACS以上的良好的导电率。另外，用于这些接线柱、端子、开关、继电器、引线架等的铜合金大 多要求上述高强度及高导电率，这是自不必说的，而且还要求开槽后的90 °弯曲等严格的弯曲加工性。目前，作本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高强度、高导电率及弯曲加工性优良的铜合金，其特征在于，以质量％计含有Ｎｉ：０．４～４．０％、Ｓｉ：０．０５～１．０％，另外，作为元素Ｍ含有从Ｐ：０．００５～０．５％、Ｃｒ：０．００５～１．０％、Ｔｉ：０．００５～１．０％中选出的一种元素，余量由铜及不可避免的杂质组成，　通过倍率３００００倍的电场发射型透射电子显微镜和能量分散型分析装置测定出的该铜合金组织中的尺寸为５０～２００ｎｍ的析出物中所含的元素Ｍ和Ｓｉ的原子数比Ｍ／Ｓｉ平均为０．０１～１０。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2006-5-26 147088/2006;JP 2006-9-22 257535/2006;1、一种高强度、高导电率及弯曲加工性优良的铜合金，其特征在于，以质量％计含有Ni0.4～4.0％、Si0.05～1.0％，另外，作为元素M含有从P0.005～0.5％、Cr0.005～1.0％、Ti0.005～1.0％中选出的一种元素，余量由铜及不可避免的杂质组成，通过倍率30000倍的电场发射型透射电子显微镜和能量分散型分析装置测定出的该铜合金组织中的尺寸为50～200nm的析出物中所含的元素M和Si的原子数比M/Si平均为0.01～10。2、 如权利要求1所述的铜合金，其特征在于， 所述元素M为P，通过所述电场发射型透射电子显微镜和能量分散型分析装置测定出 的所述铜合金组织中的尺寸为50 20Qnm的析出物的数密度平均为0.2 7.0个/ym、尺寸在该范围内的析出物中含有的P的平均原子浓度为0.1 50at%，并且，在将使用装载了后方散射电子衍射成像系统的电场发射型 透射电子显微镜，通过结晶方位解析法测定出的晶粒数定为n，将各自的 测定出的晶粒径定为x时，由(Sx)/n表示的平均晶粒径为10m以下。3、 如权利要求2所述的铜合金，其特征在于，所述铜合金以质量％ 计还含有合计为0.01 3.0。/。的从Cr、 Ti、 Fe、 Mg、 Co、 Zr中选出的一种 或两种以上的元素。4、 如权利要求1所述的铜合金，其特征在于， 所述元素M为Cr，通过所述电场发射型透射电子显微镜和能量分散型分析装置测...

【专利技术属性】
技术研发人员：有贺康博，畚野章，工藤健，梶原桂，
申请(专利权)人：株式会社神户制钢所，
类型：发明
国别省市：JP[]