半导体结构及半导体结构的形成方法技术

一种半导体结构及半导体结构的形方法，结构包括：待刻蚀层；位于待刻蚀层上的过渡结构，所述过渡结构内具有防扩散离子；位于过渡结构上的牺牲层和改性层，所述牺牲层和改性层相邻。所述半导体结构的性能得到改善。所述半导体结构的性能得到改善。所述半导体结构的性能得到改善。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构及半导体结构的形成方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及半导体结构的形成方法。

技术介绍

[0002]随着超大规模集成电路(VLSI)性能的不断提高、器件尺寸逐渐缩小及器件密度不断增大，工艺节点持续缩小。由于下一代光刻技术——极紫外光刻(Extreme Ultra-violet，简称EUV)的光源功率不足，其投入量产的时间一直被延后，从而193纳米(nm)深紫外(Deep Ultra-violet，简称DUV)浸润式光刻技术不可避免地会被继续使用很长一段时间。但深紫外浸润式光刻技术单次曝光的分辨率大约为38纳米(nm)，要使工艺节点进一步缩小，必须使用新的工艺方法。因此，引入了多种形成图案的材料，所述材料在适当的条件下能够改性，在一定的条件下，改性后的材料与原所述材料具有较大的刻蚀选择比，从而能够形成纳米(nm)尺寸的结构单元的有序图形，形成需要形成的半导体结构的图案。
[0003]然而，随着半导体技术节点的再一步降低，现有的采用对材料改性作为图案形成的半导体结构的方法有待改善。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：待刻蚀层；位于待刻蚀层上的过渡结构，所述过渡结构内具有防扩散离子；位于过渡结构上的牺牲层和改性层，所述牺牲层和改性层相邻。2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述防扩散离子的离子半径大于扩散离子的离子半径。3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述扩散离子包括氢离子或硼离子。4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述过渡结构包括第一过渡层和位于第一过渡层上的硬掩膜层。5.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述过渡结构还包括位于硬掩膜层上的第二过渡层。6.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述防扩散离子位于所述第一过渡层、硬掩膜层和第二过渡层中的任意一层或多层内。7.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第一过渡层的材料与所述待刻蚀层表面材料的刻蚀选择比不同。8.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述第二过渡层的材料与所述硬掩膜层材料的刻蚀选择比不同。9.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述待刻蚀层包括衬底和位于衬底上的隔离材料层；所述衬底包括基底和位于基底上的器件层，所述器件层包括隔离结构和位于隔离结构内的器件结构，所述器件结构包括晶体管、二极管、三极管、电容、电感或导电结构等。10.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述隔离材料层的材料为低介电常数材料，所述低介电常数材料的介电常数范围为2.5～3.5。11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的材料包括无定形材料。12.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供待刻蚀层；在待刻蚀层上形成过渡结构，所述过渡结构内具有防扩散离子；在过渡结构上形成牺牲层；通过离子注入对部分所述牺牲层进行改性，形成改性层。13.如权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述防扩散离子的离子半径大于扩散离子的离子半径。14.如权利要求13所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述扩散离子包括氢离子或硼离子。15.如权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述过渡结构包括第一过渡层和位于第一过渡层上的硬掩膜层。16.如权利要求15所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述过渡结构还包括位于硬掩膜层上的第二过渡层。17.如权利要求16所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述防扩散离子位于所
述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李强，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：