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一种半导体结构及半导体结构的形方法，结构包括：待刻蚀层；位于待刻蚀层上的过渡结构，所述过渡结构内具有防扩散离子；位于过渡结构上的牺牲层和改性层，所述牺牲层和改性层相邻。所述半导体结构的性能得到改善。所述半导体结构的性能得到改善。所述半导体结...
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