碳化硅粉体合成坩埚制造技术

本实用新型专利技术提供了一种碳化硅粉体合成坩埚，该坩埚包括第一端板、第二端板和至少三个围板。第一端板和第二端板相对且间隔设置。至少三个围板顺次首尾可拆卸连接。第一端板、第二端板和至少三个围板共同围成封闭的合成腔；其中，每个围板分别与第一端板和第二端板可拆卸连接。由此，能够根据需求更为方便地将坩埚拆装，例如未使用时将各个部件拆分叠置，从而节约空间，在需要使用时将各个部件连接，从而各个部件围成封闭的合成腔，以在该合成腔内合成碳化硅粉体。成碳化硅粉体。成碳化硅粉体。

【技术实现步骤摘要】
碳化硅粉体合成坩埚


[0001]本技术涉及半导体晶体制备
，具体而言，涉及一种碳化硅粉体合成坩埚。

技术介绍

[0002]碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表，具有宽带隙、高临界电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度及化学稳定性好等特点，因此其作为制备高频率、大功率、高温、高频耐腐蚀和抗辐照半导体器件的理想衬底材料，并在混合动力汽车、高压输电、LED照明和航天航空等领域崭露头角，而生长高质量的碳化硅晶体则是实现这些碳化硅器件的优异性能的基础。
[0003]碳化硅晶体需要通过合成的方法来获得，晶体生长的稳定性是生长高质量大尺寸碳化硅晶体的一个研究重点，也是批量生产高质量碳化硅晶体的重要前提。目前碳化硅晶体的制备方法主要有物理气相沉积法，利用碳化硅粉体作为源生长碳化硅晶体。
[0004]然而，经专利技术人研究发现，现有技术中用于合成碳化硅粉体的坩埚通常是一体成型的圆柱形，其未使用放置时的占用空间较大。

技术实现思路

[0005]本技术的目的在于提供一种碳化硅粉体合成坩埚，其未使用放置时的占空空间小。
[0006]本技术实施例提供一种坩埚，包括：
[0007]相对且间隔设置的第一端板和第二端板；
[0008]顺次首尾可拆卸连接的至少三个围板，所述第一端板、所述第二端板和至少三个所述围板共同围成封闭的合成腔；其中，每个所述围板分别与所述第一端板和所述第二端板可拆卸连接。
[0009]本技术实施例的碳化硅粉体合成坩埚，通过将至少三个围板顺次首尾可拆卸连接，且每个围板分别与第一端板和第二端板可拆卸连接，从而能够根据需求更为方便地将坩埚拆装，例如未使用时将各个部件拆分叠置，从而节约空间，在需要使用时将各个部件连接，从而各个部件围成封闭的合成腔，以在该合成腔内合成碳化硅粉体。
附图说明
[0010]为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0011]图1为本技术实施例坩埚的示意图；
[0012]图2为本技术实施例坩埚的分解图；
[0013]图3为本技术实施例坩埚的剖面图；
[0014]图4为图3的A部放大图；
[0015]图5为图3的B部放大图；
[0016]图6为本技术实施例相邻两个围板的连接示意图。
[0017]图标:1
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碳化硅粉体合成坩埚；10
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围板；101
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第一连接孔；103
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第三连接孔；11
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第一连接杆；110
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第一限位部；12
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第一围板；121
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第五连接孔；13
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第二连接杆；130
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第二限位部；14
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第二围板；141
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第六连接孔；15
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第三连接杆；150
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第三限位部；16
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第一端板；161
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第二连接孔；163
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第一安装槽；18
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第二端板；181
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第四连接孔；183
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第二安装槽。
具体实施方式
[0018]为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
[0019]因此，以下对在附图中提供的本技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0020]应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
[0021]在本技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该技术产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0022]此外，术语“水平”、“竖直”等术语并不表示要求部件绝对水平或悬垂，而是可以稍微倾斜。如“水平”仅仅是指其方向相对“竖直”而言更加水平，并不是表示该结构一定要完全水平，而是可以稍微倾斜。
[0023]在本技术的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0024]碳化硅(SiC)晶体需要通过合成的方法来获得，晶体生长的稳定性是生长高质量大尺寸碳化硅晶体的一个研究重点，也是批量生产高质量碳化硅晶体的重要前提。目前碳化硅(SiC)晶体的制备方法主要有物理气相沉积法(PVT)、高温化学气相沉积法、液相外延法等。其中物理气相沉积法(PVT)是发展最成熟的，应用最为广泛。其主要原理为：将SiC粉料加热到2300℃，在氩气等惰性气体气氛的下，升华结晶成为块状晶体。因此，为了生长碳
化硅晶体，需要合适堆积密度的高纯碳化硅粉体作为源。
[0025]然而，经专利技术人研究发现，现有技术中用于合成碳化硅粉体的坩埚通常是一体成型的圆柱形，其未使用放置时的占用空间较大。
[0026]针对上述存在的缺陷，专利技术人经研究提供了下述实施例进行改善。需要说明的是，在不冲突的情况下，下述的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0027]请参考图1和图2，本技术实施例提供了一种碳化硅粉体合成坩埚1，该坩埚碳化硅粉体合成1包括第一端板16、第二端板18和至少三个围板10。第一端板16和第二端板18相对且间隔设置。至少三个围板10顺次首尾可拆卸连接。第一端板16、第二端板18和至少三个围板10共同围成封闭的合成腔；其中，每个围板10分别与第一端本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅粉体合成坩埚，其特征在于，包括：相对且间隔设置的第一端板和第二端板；顺次首尾可拆卸连接的至少三个围板，所述第一端板、所述第二端板和至少三个所述围板共同围成封闭的合成腔；其中，每个所述围板分别与所述第一端板和所述第二端板可拆卸连接。2.根据权利要求1所述的碳化硅粉体合成坩埚，其特征在于，每个所述围板上靠近所述第一端板的一侧设置有第一连接部，所述第一端板上对应于每个所述围板的区域设置有与所述第一连接部可拆卸连接的第二连接部，每个所述围板靠近所述第二端板的一侧设置有第三连接部，所述第二端板上对应于每个所述围板的区域设置有与所述第三连接部可拆卸连接的第四连接部，每相邻两个围板的其中一个设置有第五连接部，每相邻两个围板的另一个设置有与所述第五连接部可拆卸连接的第六连接部。3.根据权利要求2所述的碳化硅粉体合成坩埚，其特征在于，每个所述围板靠近所述第一端板的一侧设置有至少一个第一连接孔，所述第一端板设置有所述第一连接孔一一对应的第二连接孔，每个所述第一连接孔和对应的一个所述第二连接孔共同穿设有一个第一连接杆，其中，所述第一连接孔为所述第一连接部，所述第二连接孔为所述第二连接部。4.根据权利要求3所述的碳化硅粉体合成坩埚，其特征在于，所述第一连接孔设置有内螺纹，所述第一连接杆设置用于穿设于所述第一连接孔内的部分设置有外螺纹，所述第一连接杆与所述第一连接孔螺纹配合；和/或，所述第一连接杆远离所述围板的一端设置有第一限位部，所述第一限位部被配置为沿所述第一连接杆的径向向外延伸，所述第一限位部与所述第一端板相抵持。5.根据权利要求2所述的碳化硅粉体合成坩埚，其特征在于，每个所述围板靠近所述第二端板的一侧设置有至少一个第三连接孔，所述第二端板设置有与所述第三连接孔一一对应的第四连接孔，每个所述第三连接孔和对应的一个所述第四连接孔共同穿设有一个第二连接杆，其中，所述第三连接孔为所述第三连接部，所述第四连接孔为所述第四...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓树军，张洁，周亮亮，
申请(专利权)人：福建北电新材料科技有限公司，
类型：新型
国别省市：