【技术实现步骤摘要】
适用于PECVD设备的臭氧输送及喷淋双层石英管道
[0001]本技术涉及管式PEVCD领域。更具体地说,本技术涉及一种适用于PECVD设备的臭氧输送及喷淋双层石英管道。
技术介绍
[0002]用于解决背表面复合严重而发展出的隧穿氧化硅钝化接触(Topcon,Tunnel Oxide Passivated
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Contact structures),其是一种由超薄氧化硅和重掺杂多晶硅组成的叠层结构,具有全背面钝化的优点,避免了金属电极与硅衬底的直接接触,显著地降低了表面载流子地复合。同时由于场钝化地效果,因而TOPCon结构还具有载流子地选择性,即阻挡少子。
[0003]管式PECVD则是一种非常有前景的掺杂非晶硅制备技术,具有重大的量产推广价值。然而,目前工业上常见用热氧化法制备氧化层,即通过在600
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700℃高温下进行热氧化制备出2 nm左右的超薄氧化层;不过热氧化法却无法很好地兼容管式PECVD装备。主要原因如下所述:
[0004]由于管式PECVD装备采用石墨舟作为载 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种适用于PECVD设备的臭氧输送及喷淋双层石英管道,其特征在于,包括:内部中空的管体(1),所述管体(1)包括:内部中空的外管(11);以及内部中空的内管(12),所述内管(12)设于所述外管(11)内部;所述外管(11)与所述内管(12)之间限定出氮气通道(13),所述内管(12)内部设有臭氧通道(14),所述氮气通道(13)外接有氮气循环装置以使得氮气在所述氮气通道(13)内循环输送,所述臭氧通道(14)外接有臭氧存储装置,所述臭氧存储装置为所述臭氧通道(14)提供臭氧。2.如权利要求1所述的适用于PECVD设备的臭氧输送及喷淋双层石英管道,其特征在于,所述内管(12)的表面开设有至少两个第一喷淋孔(142),每个所述第一喷淋孔(142)沿所述内管(12)的延伸方向规则设置;所述外管(11)的表面开设有至少两个第二喷淋孔(143),每个所述第二喷淋孔(143)沿所述外管(11)的延伸方向规则设置;每个所述第一喷淋孔(142)与所述臭氧通道(14)相连通,且每个所述第一喷淋孔(142)还与相应一个所述第二喷淋孔(143)相连通。3.如权利要求2所述的适用于PECVD设备的臭氧输送及喷淋双层石英管道,其特征在于,沿所述内管(12)延伸方向设置的所述第一喷淋孔(142)的孔径逐渐增大,沿所述外管(11)延伸方向设置的所述第二喷淋孔(143)的孔径逐...
【专利技术属性】
技术研发人员:曾俞衡,周玉龙,孙烨,张庶,廖明墩,马典,
申请(专利权)人:苏州拓升智能装备有限公司,
类型:新型
国别省市:
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