适用于PECVD设备的臭氧输送及喷淋双层石英管道制造技术

技术编号:31426110 阅读:28 留言:0更新日期:2021-12-15 15:37
本实用新型专利技术公开了一种适用于PECVD设备的臭氧输送及喷淋双层石英管道,包括:内部中空的管体,所述管体包括:内部中空的外管;以及内部中空的内管,所述内管设于所述外管内部;所述外管与所述内管之间限定出氮气通道,所述内管内部设有臭氧通道,所述氮气通道外接有氮气循环装置以使得氮气在所述氮气通道内循环输送,所述臭氧通道外接有臭氧存储装置,所述臭氧存储装置为所述臭氧通道提供臭氧。根据本实用新型专利技术,其通过设置双层石英管道,在氮气通道内部流通氮气,在臭氧通道内流通臭氧,以使得内管的温度可降温至100℃以下,可有效的避免臭氧通道内臭氧在输送过程中被大量分解而影响氧化层的质量。响氧化层的质量。响氧化层的质量。

【技术实现步骤摘要】
适用于PECVD设备的臭氧输送及喷淋双层石英管道


[0001]本技术涉及管式PEVCD领域。更具体地说,本技术涉及一种适用于PECVD设备的臭氧输送及喷淋双层石英管道。

技术介绍

[0002]用于解决背表面复合严重而发展出的隧穿氧化硅钝化接触(Topcon,Tunnel Oxide Passivated

Contact structures),其是一种由超薄氧化硅和重掺杂多晶硅组成的叠层结构,具有全背面钝化的优点,避免了金属电极与硅衬底的直接接触,显著地降低了表面载流子地复合。同时由于场钝化地效果,因而TOPCon结构还具有载流子地选择性,即阻挡少子。
[0003]管式PECVD则是一种非常有前景的掺杂非晶硅制备技术,具有重大的量产推广价值。然而,目前工业上常见用热氧化法制备氧化层,即通过在600

700℃高温下进行热氧化制备出2 nm左右的超薄氧化层;不过热氧化法却无法很好地兼容管式PECVD装备。主要原因如下所述:
[0004]由于管式PECVD装备采用石墨舟作为载具,石墨舟无法在通常本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种适用于PECVD设备的臭氧输送及喷淋双层石英管道,其特征在于,包括:内部中空的管体(1),所述管体(1)包括:内部中空的外管(11);以及内部中空的内管(12),所述内管(12)设于所述外管(11)内部;所述外管(11)与所述内管(12)之间限定出氮气通道(13),所述内管(12)内部设有臭氧通道(14),所述氮气通道(13)外接有氮气循环装置以使得氮气在所述氮气通道(13)内循环输送,所述臭氧通道(14)外接有臭氧存储装置,所述臭氧存储装置为所述臭氧通道(14)提供臭氧。2.如权利要求1所述的适用于PECVD设备的臭氧输送及喷淋双层石英管道,其特征在于,所述内管(12)的表面开设有至少两个第一喷淋孔(142),每个所述第一喷淋孔(142)沿所述内管(12)的延伸方向规则设置;所述外管(11)的表面开设有至少两个第二喷淋孔(143),每个所述第二喷淋孔(143)沿所述外管(11)的延伸方向规则设置;每个所述第一喷淋孔(142)与所述臭氧通道(14)相连通,且每个所述第一喷淋孔(142)还与相应一个所述第二喷淋孔(143)相连通。3.如权利要求2所述的适用于PECVD设备的臭氧输送及喷淋双层石英管道,其特征在于,沿所述内管(12)延伸方向设置的所述第一喷淋孔(142)的孔径逐渐增大,沿所述外管(11)延伸方向设置的所述第二喷淋孔(143)的孔径逐...

【专利技术属性】
技术研发人员:曾俞衡周玉龙孙烨张庶廖明墩马典
申请(专利权)人:苏州拓升智能装备有限公司
类型:新型
国别省市:

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