一种分体式共晶焊吸嘴制造技术

本实用新型专利技术公开了一种分体式共晶焊吸嘴，包含安装座与吸嘴，安装座内部设有第一气路，吸嘴的内部设有与第一气路连通的第二气路，安装座的一端设有安装吸嘴尾部并与第一气路连通的连接孔，吸嘴头部设有吸嘴头，吸嘴头内部设有与第二气路连通的第三气路，第三气路的外端面为吸嘴孔，采用安装座与吸嘴分体式的共晶焊吸嘴，使得安装座的第一气路在进行生产时可采用两端分别钻孔的方式进行加工，有效的降低了加工难度，减少了一体式吸嘴加工时由于气路两端的孔大小深度不一造成需要使用特殊钻头进行加工的难度大、加工经验要求高等问题，连接孔用于密封、固定及定位吸嘴，可以有效保障吸嘴安装后的精度要求。吸嘴安装后的精度要求。吸嘴安装后的精度要求。

【技术实现步骤摘要】
一种分体式共晶焊吸嘴


[0001]本技术涉及共晶焊吸嘴领域，具体涉及一种分体式共晶焊吸嘴。

技术介绍

[0002]在现有半导体封装工艺中，对于小功率器件中的芯片和基板通常采用导电胶粘接的方式连接在一起，但对于高频、大功率器件中的芯片与基板连接，此种粘接方式却不在适用，主要是因为导电胶热传导系数低，芯片产生的热不能有效的传导出去，对大功率器件芯片可靠性影响非常大，在此种背景下，共晶焊技术得到一定程度的推广，共晶焊是通过高热传导率的共晶材料把芯片和基板连接在一起，除此之外共晶焊接还具有电阻小、可靠性强的特点，在已有的共晶焊技术中，多芯片共晶焊技术最具代表性，提升多芯片共晶焊技术有助于提高大功率、高频器件的制造技术，适用的生产工具有助于提高生产效率，提高成品率，降低生产成本，为了适配多芯片共晶焊技术，对共晶焊吸嘴提出了更高的要求，现有共晶焊吸嘴多是一体式结构，虽然在一定程度上保证了精度，但加工工艺复杂，加工周期长，成本高，特别是硬质合金材质，不利于新产品的快速投产以及大规模推广，为解决现有生产中的问题，设计了一种适用于共晶焊的吸嘴，已解决现有的技术问题。

技术实现思路

[0003]本技术要解决的技术问题是现有共晶焊吸嘴多是一体式结构，虽然在一定程度上保证了精度，但加工工艺复杂，加工周期长，成本高，特别是硬质合金材质，不利于新产品的快速投产以及大规模推广，本技术提供一种分体式共晶焊吸嘴，采用安装座与吸嘴分体式的共晶焊吸嘴，使得安装座的第一气路在进行生产时可采用两端分别钻孔的方式进行加工，有效的降低了加工难度，减少了一体式吸嘴加工时由于气路两端的孔大小深度不一造成需要使用特殊钻头进行加工的难度大、加工经验要求高等问题，连接孔用于密封、固定及定位吸嘴，可以有效保障吸嘴安装后的精度要求，结构简单，便于使用，用以解决现有技术导致的缺陷。
[0004]为解决上述技术问题本技术提供以下的技术方案：
[0005]一种分体式共晶焊吸嘴，其中，包含安装座与吸嘴，所述安装座内部设有第一气路，所述吸嘴的内部设有与所述第一气路连通的第二气路，所述安装座的一端设有安装所述吸嘴尾部并与所述第一气路连通的连接孔，所述吸嘴头部设有吸嘴头，所述吸嘴头内部设有与所述第二气路连通的第三气路，所述第三气路的外端面为吸嘴孔，所述安装座上的所述第一气路可采用两端分别钻孔的方式进行加工，有效的降低了加工难度，减少了一体式吸嘴加工时由于气路两端的孔大小深度不一造成需要使用特殊钻头进行加工的难度大、加工经验要求高等问题。
[0006]上述的一种分体式共晶焊吸嘴，其中，所述第一气路背离于所述连接孔的一端贯穿至所述安装座的尾部。
[0007]上述的一种分体式共晶焊吸嘴，其中，所述吸嘴的尾部为插入所述连接孔的定位
柱，所述定位柱与所述吸嘴头部之间设有套设于所述吸嘴外围的限位环，所述连接孔用于密封、固定及定位所述吸嘴，可以有效保障吸嘴安装后的精度要求，所述限位环用于进行限位。
[0008]上述的一种分体式共晶焊吸嘴，其中，所述吸嘴头为正方形吸嘴头。
[0009]上述的一种分体式共晶焊吸嘴，其中，所述吸嘴头背离于所述吸嘴的一端设有避让槽。
[0010]上述的一种分体式共晶焊吸嘴，其中，所述吸嘴近所述吸嘴头的部分外围为斜面设置。
[0011]上述的一种分体式共晶焊吸嘴，其中，所述吸嘴内部还设有分别与所述第二气路、所述第三气路连通的第四气路。
[0012]上述的一种分体式共晶焊吸嘴，其中，所述第二气路的直径大于所述第三气路，所述第三气路与所述第四气路的直径一致，所述吸嘴头接触面的尺寸及特征和芯片相关，芯片一般都非常小，故所述第三气路的直径非常小，为了降低所述第三气路的加工难度，设计了所述第二气路，亦可以采用两端分别钻孔的方式加工，所述吸嘴头上的直边设计有利于在所述吸嘴吸取芯片后放入空间有限且较深的基板上，所述吸嘴斜面及斜边的设计有利于设备从侧上方观察共晶状态，所述吸嘴头的接触面尺寸及形状和芯片的特征相关，在本方案中，芯片有凸起特征，所述吸嘴头的接触面不能直接压在芯片上，故设有所述避让槽。
[0013]上述的一种分体式共晶焊吸嘴，其中，所述安装座、所述吸嘴、所述吸嘴头可以是不同的材质，所述安装座可以选择易加工的金属材质，而所述吸嘴与所述吸嘴头可以根据共晶芯片要求选择不同的材质，如要求所述吸嘴与所述吸嘴头耐磨、使用寿命长可以选择使用硬质合金，如要求所述吸嘴与所述吸嘴头不能划伤芯片，可以选择电木或者其他耐高温高级工程塑料。
[0014]依据上述本技术一种分体式共晶焊吸嘴提供的技术方案具有以下技术效果：
[0015]采用安装座与吸嘴分体式的共晶焊吸嘴，使得安装座的第一气路在进行生产时可采用两端分别钻孔的方式进行加工，有效的降低了加工难度，减少了一体式吸嘴加工时由于气路两端的孔大小深度不一造成需要使用特殊钻头进行加工的难度大、加工经验要求高等问题，连接孔用于密封、固定及定位吸嘴，可以有效保障吸嘴安装后的精度要求，结构简单，便于使用。
附图说明
[0016]图1为本技术一种分体式共晶焊吸嘴的透视结构示意图；
[0017]图2为本技术一种分体式共晶焊吸嘴的结构示意图；
[0018]图3为图2中A处的放大结构示意图。
[0019]其中，附图标记如下：
[0020]安装座101、吸嘴102、第一气路103、第二气路104、连接孔105、吸嘴头106、第三气路107、吸嘴孔108、定位柱109、限位环110、第四气路111、芯片112、斜面201、避让槽301、接触面302。
具体实施方式
[0021]为了使技术实现的技术手段、创造特征、达成目的和功效易于明白了解，下结合具体图示，进一步阐述本技术。
[0022]须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本技术可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本技术所揭示的
技术实现思路
得能涵盖的范围内。
[0023]同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本技术可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更
技术实现思路
下，当亦视为本技术可实施的范畴。
[0024]本技术提供一种分体式共晶焊吸嘴，目的是采用安装座与吸嘴分体式的共晶焊吸嘴，使得安装座的第一气路在进行生产时可采用两端分别钻孔的方式进行加工，有效的降低了加工难度，减少了一体式吸嘴加工时由于气路两端的孔大小深度不一造成需要使用特殊钻头进行加工的难度大、加工经验要求高等问题，连接孔用于密封、固定及定位吸嘴，可以有效保障吸嘴安装后的精度要求，结构简单，便于使用。
[0025]如图1
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3所示，一种本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种分体式共晶焊吸嘴，其特征在于，包含安装座与吸嘴，所述安装座内部设有第一气路，所述吸嘴的内部设有与所述第一气路连通的第二气路，所述安装座的一端设有安装所述吸嘴尾部并与所述第一气路连通的连接孔，所述吸嘴头部设有吸嘴头，所述吸嘴头内部设有与所述第二气路连通的第三气路，所述第三气路的外端面为吸嘴孔。2.如权利要求1所述的一种分体式共晶焊吸嘴，其特征在于，所述第一气路背离于所述连接孔的一端贯穿至所述安装座的尾部。3.如权利要求2所述的一种分体式共晶焊吸嘴，其特征在于，所述吸嘴的尾部为插入所述连接孔的定位柱，所述定位柱与所述吸嘴头部之间设有套设于所述吸嘴外围的限位环。4.如权利要求1
...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡海龙，李俊锋，袁春俭，谢少波，朱轩，
申请(专利权)人：上海爵企电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：