一种零功耗欠压复位电路及用电设备制造技术

本实用新型专利技术提供了一种零功耗欠压复位电路及用电设备,包括:掉电检测电路、阈值控制电路、上电复位电路；所述掉电检测电路的输入端、及所述上电复位电路的输入端用于连接电源,所述掉电检测电路的输出端与所述阈值控制电路的输入端电气连接,所述阈值控制电路的输出端与所述上电复位电路的输入端电气连接,所述上电复位电路的输出端用于连接用电设备的复位端。解决了现有的复位电路在静态时存在功耗的问题。问题。问题。

【技术实现步骤摘要】
一种零功耗欠压复位电路及用电设备


[0001]本技术涉及集成电路领域,特别涉及一种零功耗欠压复位电路及用电设备.

技术介绍

[0002]随着集成电路工艺的发展，对芯片面积和功耗的要求不断的提高，而且随着芯片系统的不断复杂化，芯片的应用五花八门，收到各种各样的干扰，时有出现电源电压瞬间跌落的情况，跌落的值可大可小，总是会有可能跌落到接近最小工作电压值附近后重新上电的情况，测试芯片内部一些寄存器将会进入不确定状态，因此一个低功耗LVR电路对一个芯片来说显得越来越重要。
[0003]现有的技术方案中,(1)电流源+反相器结构,(2)比较器+分压电阻+基准电压；
[0004](1)电流源的电流I1通过二极管连接的MOS器件MN1，产生一个相对恒定的电压，作用在由MP1和MN2构成的反相器上，电源电压AVDD较低的时候，MP1上拉能力较差，LVR输出低电平，如果AVDD较高，则输出高电平，因此当AVDD下降的时候，LVR会产生低电平，作为电路的复位信号，LVR的变为低电平的AVDD的值通过MP1和MN2的尺寸可以进行调整。该结构的缺点是电源电压为正常电压的时候需要消耗静态功耗。
[0005](2)电路使用了比较器和基准电压，该电路相对第一种方案具有更为准确的LVR变低的AVDD的值，但是这种结构静态功耗更大，而且结构较为复杂。
[0006]有鉴于此，提出本申请。

技术实现思路

[0007]本技术提供了一种零功耗欠压复位电路及用电设备，旨在解决现有的复位电路在静态时存在功耗的问题。r/>[0008]本技术提第一实施例一种零功耗欠压复位电路,包括:掉电检测电路、阈值控制电路、上电复位电路；
[0009]所述掉电检测电路的输入端、及所述上电复位电路的输入端用于连接电源,所述掉电检测电路的输出端与所述阈值控制电路的输入端电气连接,所述阈值控制电路的输出端与所述上电复位电路的输入端电气连接,所述上电复位电路的输出端用于连接用电设备的复位端。
[0010]优选地,所述掉电检测电路包括储能电路、第一翻转电路以及第一施密特触发器；
[0011]其中，所述储能电路的输入端与所述电源电气连接，所述第一翻转电路的第一输入端与所述电源电气连接，所述第一翻转电路的第二输入端与所述储能电路的输出端电气连接，所述第一翻转电路的输出端与所述第一施密特触发器的输入端电气连接，所述第一施密特触发器的输出端与所述阈值控制电路的输入端电气连接。
[0012]优选地,第一翻转电路包括：第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管、第四场效应管；
[0013]其中，所述第一场效应管的S极与所述电源电气连接，所述第一场效应管的G极与
所述储能电路的输出端电气连接，所述第二场效应管的S极与所述储能电路的输出端电气连接，所述第一场效应管的D极与所述第三场效应管的D极电气连接，所述第三场效应管的S极接地，所述第三场效应管的G极与所述第四场效应管的G极电气连接，所述第四场效应管的S极接地,所述第四场效应管的D极与所述第二场效应管的D极电气连接，所述第二场效应管的G极与所述电源电气连接，所述第一场效应管的D极与所述第一施密特触发器的输入端电气连接。
[0014]优选地,所述阈值控制电路包括:第一反相器、可控开关、第五场效应管、第二施密特触发器；
[0015]所述第一施密特触发器的输出端通过所述第一反相器与所述可控开关的控制端电气连接，所述可控开关的输入端用于连接偏置电流源，所述可控开关的输出端与所述第五场效应管的D极和G极电气连接，所述第五场效应管的S极接地，所述第五场效应管的G极与所述第二施密特触发器的输入端电气连接，所述第二施密特触发器的输出端与上电复位电路的输入端电气连接。
[0016]优选地,所述上电复位电路包括：第二翻转电路、反馈电路、以及逻辑输出电路；
[0017]其中，所述第二翻转电路的控制端与所述第二施密特触发器的输出端电气连接，所述第二翻转电路的输入端与所述电源电气连接，所述第二翻转电路的输出端与所述逻辑输出电路的输入端电气连接，所述逻辑输出电路的输出端与所述用电设备的复位端电气连接，所述反馈电路并在所述逻辑输出电路的输出端和所述第二翻转电路的输入端之间。
[0018]优选地,所述第二翻转电路包括：第六场效应管、第七场效应管、第八场效应管、第九场效应管、第十场效应管、第一电容、第二电容及二极管，
[0019]所述第六场效应管、第七场效应管、第八场效应管的S极与所述电源电气连接，第六场效应管的G极与所述第九场效应管的G极电气连接，第六场效应管的D极与所述第九场效应管的D极电气连接,所述第九场效应管的S极与所述第十场效应管的S极电气连接，所述第九场效应管的D极与所述第十场效应管的G极电气连接,所述第十场效应管的D极与所述第八场效应管的D极电气连接，所述第十场效应管的G极与所述第七场效应管的D极电气连接，所述第七场效应管的D极与所述第八场效应管的G极电气连接，所述第七场效应管的G极与所述第二施密特触发器的输出端电气连接，所述第一电容并在所述第九场效应管的S极与G极之间，所述第二电容并在所述第十场效应管的S极与D极之间,所述二极管的正极与所述第九场效应管的D极电气连接,所述二极管的负极与所述第九场效应管的S极电气连接。
[0020]优选地,所述逻辑输出电路包括：第三施密特触发器、第三电容、第二反相器、缓冲器、延时器，
[0021]其中，所述第三施密特触发器的输入端与所述第十场效应管的D极电气连接，所述第三施密特触发器的输出端与所述第二反相器的输入端电气连接，所述电源通过所述第三电容与所述第三施密特触发器的输出端电气连接，所述第二反相器的输出端与所述缓冲器的输入端电气连接，所述缓冲器的输出端与所述延时器的输入端电气连接，所述延时器的输出端与所述储能电路的控制端电气连接，所述缓冲器的输出端与所述用电设备的复位端电气连接。
[0022]本技术提第二实施例一种用电设备，包括：电源、控制器及如上任意一项所述的一种零功耗欠压复位电路，所述电源与所述掉电检测电路的输入端、及所述上电复位电
路的输入端电气连接，所述控制器的复位端与所述上电复位电路的输出端电气连接。
[0023]基于本技术提供的一种零功耗欠压复位电路极用电设备，通过所述掉电检测电路采集电源的电压值，在判断到电压掉电时，翻转输出的电平时，阈值控制电路用于接收掉电检测电路输出的电平状态，同时可以调整电路上mos器件的长宽比，可以调整复位信号在接收到什么电平时输出至上电复位电路，其中，上电复位电路在电源上电之后，且接收到复位信号时，输出一电信号至用电设备的复位端，实现上电复位。
附图说明
[0024]图1是本技术实施例提供的一种零功耗欠压复位电路模块示意图；
[0025]图2是本技术实施例提供的掉电检测电路示意图；
[0026]图3是本技术实施例提供的阈值控制电路示意图；
[0027]图4是本技术实施本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种零功耗欠压复位电路,其特征在于,包括:掉电检测电路、阈值控制电路、上电复位电路；所述掉电检测电路的输入端、及所述上电复位电路的输入端用于连接电源,所述掉电检测电路的输出端与所述阈值控制电路的输入端电气连接,所述阈值控制电路的输出端与所述上电复位电路的输入端电气连接,所述上电复位电路的输出端用于连接用电设备的复位端。2.根据权利要求1所述的一种零功耗欠压复位电路,其特征在于,所述掉电检测电路包括储能电路、第一翻转电路以及第一施密特触发器；其中，所述储能电路的输入端与所述电源电气连接，所述第一翻转电路的第一输入端与所述电源电气连接，所述第一翻转电路的第二输入端与所述储能电路的输出端电气连接，所述第一翻转电路的输出端与所述第一施密特触发器的输入端电气连接，所述第一施密特触发器的输出端与所述阈值控制电路的输入端电气连接。3.根据权利要求2所述的一种零功耗欠压复位电路,其特征在于,第一翻转电路包括：第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管、第四场效应管；其中，所述第一场效应管的S极与所述电源电气连接，所述第一场效应管的G极与所述储能电路的输出端电气连接，所述第二场效应管的S极与所述储能电路的输出端电气连接，所述第一场效应管的D极与所述第三场效应管的D极电气连接，所述第三场效应管的S极接地，所述第三场效应管的G极与所述第四场效应管的G极电气连接，所述第四场效应管的S极接地,所述第四场效应管的D极与所述第二场效应管的D极电气连接，所述第二场效应管的G极与所述电源电气连接，所述第一场效应管的D极与所述第一施密特触发器的输入端电气连接。4.根据权利要求2所述的一种零功耗欠压复位电路,其特征在于,所述阈值控制电路包括:第一反相器、可控开关、第五场效应管、第二施密特触发器；所述第一施密特触发器的输出端通过所述第一反相器与所述可控开关的控制端电气连接，所述可控开关的输入端用于连接偏置电流源，所述可控开关的输出端与所述第五场效应管的D极和G极电气连接，所述第五场效应管的S极接地，所述第五场效应管的G极与所述第二施密特触发器的输入端电气连接，所述第二施密特触发器的输出端与上电复位电路的输入端电气连接。5.根据权利要求4所述的一种零功耗欠压复位电路,其特征在于,所述上电复位电路包括：第二翻转电路、反馈电路、以及逻辑输出电路；其中，所述第二翻转电路的控...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄聪城，
申请(专利权)人：厦门极深微电子技术有限公司，
类型：新型
国别省市：