一种低温漂复位点上电复位电路制造技术

本发明专利技术涉及一种低温漂复位点上电复位电路，包括：带隙基准Bandgap参考电压产生电路、MOS管、分压电阻和比较器。本发明专利技术提供的低温漂复位点上电复位电路，由于复位点电压变化小能较好的解决上电复位电路复位点电压的变化范围小的问题。围小的问题。围小的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种低温漂复位点上电复位电路


[0001]本专利技术涉及一种低温漂复位点上电复位电路，具体涉及一种用于芯片内电源上电时复位寄存器与存储模块的低温漂复位点电压的上电复位POR(Power On Reset)电路，属于集成电路设计


技术介绍

[0002]上电复位电路通常集成在需要初始状态确定寄存器或片内大量存储单元的SOC芯片内，比如FPGA等可编程逻辑器件、MCU和电源管理芯片。它的功能就是检测电源电压到达一定值（也就是复位点电压）时，产生复位信号。用来复位芯片内的寄存器与存储单元，使得他们在上电过程中状态是确定的，不会在
‘0’
与
‘1’
两个状态间来回跳。上电复位电路的复位点电压在大多情况下只要超过一定电压值，低于电源电压并在其的一个百分比范围内即可。但也有一些应用情况需要复位点电压是确定的，随温度工艺等变化很小。
[0003]中国专利CN201510654841.9中图1上电复位电路的复位点电压就是现有技术大多数情况的一个实例。该实例的复位点电压会随着MOS与电阻的不同工艺角及温度变化较大本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低温漂复位点上电复位电路，其特征在于，包括：带隙基准Bandgap参考电压产生电路、MOS管、分压电阻和比较器；所述带隙基准Bandgap参考电压产生电路的输出连接所述比较器的第一输入端；所述MOS管的源极连接电源；所述MOS管的漏极连接所述分压电阻的一端，所述分压电阻的另一端接地；所述MOS管的栅极接地；所述MOS管的漏极与所述分压电阻的连接节点连接所述比较器的第二输入端。2.根据权利要求1所述的低温漂复位点上电复位电路，其特征在于：所述比较器...

【专利技术属性】
技术研发人员：屈小钢，秋小强，高丽江，朱辰，
申请(专利权)人：北京中科胜芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：