【技术实现步骤摘要】
晶片持取装置的供气装置
[0001]本技术涉及晶片持取装置的供气装置。
技术介绍
[0002]目前外延设备，晶片持取有多种方式：背面持取，正面接触式持取，正面非接触式持取。正面非接触式持取是依靠取片器的气流，将晶片(吹)起来的，这样就需要一个取片管路过滤装置使取片管路装置打开时气流稳定，在新的取片管路装置过滤时减少颗粒产生。
[0003]外延设备在生产外延晶片的过程中整个反应腔体都是在真空的状态下，晶片的装载必须依靠晶片持取装置来将晶片放入反应腔体中。但由于晶片在持取的过程中，有一路氮气一直从取片管路装置吹向晶片传送腔，在这个过程中就会出现晶片表面颗粒问题，这样就需要改善取片管路装置配置，降低晶片表面颗粒概率。
技术实现思路
[0004]本技术的主要目的在于提供一种能够在持取过程中保证晶片表面整洁的供气机构。
[0005]为了实现上述目的，本技术提供一种晶片持取装置的供气装置，包括供气管道，其中，
[0006]供气管道的末端具有第一直管段，持取用气经第一直管段进入晶片持取装置，
[...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种晶片持取装置的供气装置，包括供气管道，其特征在于供气管道的末端具有第一直管段，持取用气经第一直管段进入晶片持取装置，第一过滤器，设置于第一直管段上，用于过滤经过的持取用气，外界管道与供气管道的连接位置设置在供气管道上除第一直管段外的其他位置上。2.如权利要求1所述的晶片持取装置的供气装置，其特征在于外界管道包括反应腔的吹扫管道，供气管道上与吹扫管道连接的位置上游设置有第二过滤器。3.如权利要求1所述的晶片持取装置的供气装置，其特征...
【专利技术属性】
技术研发人员：何航，张文，顾广安，
申请(专利权)人：上海晶盟硅材料有限公司，
类型：新型
国别省市：
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