一种分子束外延生产设备中的衬底托板结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种分子束外延生产设备中的衬底托板结构，涉及半导体制造技术领域。该衬底托板结构包括本体，本体上一体地形成有同心的第一环形台阶和第二环形台阶，沿第一环形台阶的内侧壁的圆周方向设置有多个突出部，该多个突出部共同用于支撑衬底片，该多个突出部中的每个突出部的上表面高于第二环形台阶的上表面。通过多个突出部支撑衬底片，减小了衬底片与衬底托板之间的接触；通过第二环形台阶来阻挡分子束穿过衬底片与第一环形台阶的内侧壁之间的缝隙到达衬底片背面，确保衬底片背面不受分子束的影响，从而可以显著改善外延生长过程中衬底片的温度均匀性，提高了外延片产品的质量。产品的质量。产品的质量。

【技术实现步骤摘要】
一种分子束外延生产设备中的衬底托板结构


[0001]本技术涉及半导体制造
，具体涉及一种分子束外延生产设备中的衬底托板结构。

技术介绍

[0002]在分子束外延(MBE)的大规模生产中，用于承载衬底片的衬底托板的结构对外延片质量具有显著影响。在常规MBE生长中，衬底片的生长表面朝下放置于衬底托板上，分子束源从衬底托板的下方传送分子束至衬底片表面进行外延生长。
[0003]常规MBE设备中的衬底托板由一环形台阶承载衬底片，衬底片边缘与托板的环形台阶直接接触，由于衬底片边界附近的热分布与衬底片内部不一致，容易导致衬底片表面的外延生长层中出现各种位错缺陷，增加外延片产品的不合格率。为了减小外延片的缺陷，需要减小衬底托板与衬底片之间的接触，因此可以设计爪型台阶用于承载衬底片。然而，为了便于衬底片的取放操作，通常情况下，衬底片边缘与衬底托板爪型台阶的外环边缘之间存在一定的缝隙，在分子束从衬底托板的下方传递至衬底片表面时，会有一些粒子穿过所述缝隙到达衬底片背面并沉积，这些粒子会影响衬底片背面对热量的吸收，从而导致外延生长过程中衬底片温度不均匀本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种分子束外延生产设备中的衬底托板结构，所述衬底托板结构用于承载衬底片，其特征在于，所述衬底托板结构包括本体，所述本体上一体地形成有同心的第一环形台阶和第二环形台阶，所述第一环形台阶用于放置阻挡热辐射的圆环，所述第一环形台阶的上表面低于所述本体的上表面，所述第一环形台阶的内环直径比所述衬底片的直径大第一预设值；所述第二环形台阶的外环直径等于所述第一环形台阶的内环直径，所述第二环形台阶中间为圆形通孔，所述第二环形台阶的内环直径比所述衬底片的直径小第二预设值，沿所述第一环形台阶的内侧壁的圆周方向设置有多个突出部，所述多个突出部中的每个突出部从所述第一环形台阶的内侧壁所在曲面开始朝向所述第一环形台阶的圆心方向延伸，所述多个突出部共同用于支撑所述衬底片，所述多个突出部中的每个突出部的上表面比所述第一环形台阶的上表面低第三预设值，并且所述多个突出部中的每个突出部的上表面高于所述第二环形台阶的上表面，所述多个突出部中的每个突出部沿所述第二环形台阶的径向的长度比所述第二环形台阶的径向宽度大第四预设值；所述第一预设值在0.3mm至1mm的范围内；所述第二预设值在0.1mm至0.4mm的范围内；所述第三预设值在1.5mm至2mm的范围内；所述第四预设值在0.3mm至1mm的范围内。2.根据权利要求1所述的分子束外延生产设备中的衬底托板结构，其特征在于，所述多个突出部中的每个突出部的下表面高于所述本体的下表面。...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭帅，冯巍，杜全钢，谢小刚，
申请(专利权)人：新磊半导体科技苏州股份有限公司，
类型：新型
国别省市：