一种电阻加热的物理气相传输法单晶生长炉制造技术

本申请提供一种电阻加热的物理气相传输法单晶生长炉，包括：炉体，包括圆筒形侧壁、炉底和炉盖；位于炉体内部的保温层结构，包括圆筒形侧周保温层、下保温层和上保温层；位于保温层结构内部的电阻加热器结构，包括侧周加热器、底部加热器和顶部加热器；位于电阻加热器结构内部的坩埚，包括坩埚本体和坩埚盖，坩埚本体内中下部装有单晶生长的原料，坩埚盖内表面上固定有籽晶；底部加热器位于坩埚本体底部与下保温层之间，并与坩埚本体底部同轴，顶部加热器位于坩埚盖与上保温层之间，并与坩埚盖同轴；多个测温点，包括顶部测温点、底部测温点和侧壁测温点。可以更精确地测量和灵活调控原料和晶体的温度，提高了晶体的生长质量和原料的利用率。的利用率。的利用率。

【技术实现步骤摘要】
一种电阻加热的物理气相传输法单晶生长炉


[0001]本申请涉及单晶制备
，特别是涉及一种电阻加热物理气相传输法单晶生长炉。

技术介绍

[0002]物理气相传输法(PVT)单晶生长是指将坩埚中下部的原料升华成蒸气(固相
→
气相，简称“固
→
气”)，蒸气扩散传输到埚盖内表面温度较低的籽晶上，由于温度降低而过冷凝华(气相
→
固相，简称“气
→
固”)，长成与籽晶的晶格排列一致的晶体，从而得到单晶。其中，“固
→
气”原料蒸发界面的温度、“气
→
固”结晶界面的温度及温度分布、以及上述两个界面之间的温度分布是决定晶体生长过程和质量的关键参数。
[0003]在现有PVT法技术方案中，测温和控温点一般位于埚盖顶部和/或坩埚底部的中心。埚盖内壁固定籽晶，直接测得的盖顶中心温度一般小于籽晶表面温度。随着籽晶增厚长大成晶体，其表面温度与测得的盖顶中心温度之间的差距越来越大，因而在盖顶测得的温度越来越不能反映真实的“气
→
固”结晶界本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电阻加热的物理气相传输法单晶生长炉，其包括：炉体，包括圆筒形侧壁、炉底和炉盖；位于所述炉体内部的保温层结构，包括圆筒形侧周保温层、下保温层和上保温层；位于所述保温层结构内部的电阻加热器结构，包括侧周加热器、底部加热器和顶部加热器；位于所述电阻加热器结构内部的坩埚，包括坩埚本体和坩埚盖，坩埚本体内中下部装有单晶生长的原料，坩埚盖内表面上固定有籽晶；所述底部加热器位于坩埚本体底部与下保温层之间，并与坩埚本体底部同轴，所述顶部加热器位于坩埚盖与上保温层之间，并与坩埚盖同轴；多个测温点，包括顶部测温点、底部测温点和侧壁测温点，其中，顶部测温点能够测得坩埚盖中心位置的温度；底部测温点能够测得埚底中心位置的温度；侧壁测温点包含在垂直方向分布的三个测温点，分别用于测量与以下位置对应的坩埚侧壁的温度：1)坩埚盖上固定的籽晶或生长后晶体的侧面；2)坩埚本体内籽晶或晶体到料面之间的上部空间；3)坩埚中下部的原料处。2.根据权利要求1所述的单晶生长炉，其中，所述多个测温点的测温方式选自光学测温或者热电偶测温。3.根据权利要求1所述的单晶生长炉，其还包括冷却进气管路，所述冷却进气管路的出气口位于坩埚顶部与上保温层之间，将气体吹到埚顶中心。4.根据权利要求1所述的单晶生长炉，其中，所述上保温层在径向分成中心部分和外围部分，所述单晶生长炉内设有升降机构，能够使所述上保温层的中心部分在垂直方向升降。5.根据权利要求4所述的的单晶生长炉，其中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：倪代秦，周振翔，赵鹏，何敬晖，高崇，袁雷，陈建荣，黄存新，
申请(专利权)人：北京中材人工晶体研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：