【技术实现步骤摘要】
一种半导体二极管封装结构
[0001]本技术涉及半导体二极管
,尤其涉及一种半导体二极管封装结构。
技术介绍
[0002]半导体二极管是指利用半导体特性的两端电子器件。最常见的半导体二极管是PN结型二极管和金属半导体接触二极管。它们的共同特点是伏安特性的不对称性,即电流沿其一个方向呈现良好的导电性,而在相反方向呈现高阻特性。可用作为整流、检波、稳压、恒流、变容、开关、发光及光电转换等。利用高掺杂PN结中载流子的隧道效应可制成超高频放大或超高速开关的隧道二极管。
[0003]传统的半导体二极管封装结构,在进行二极管使用时,基本上无法通过封装结构对二极管的散射范围做到有效的调节,使其能够满足不同的使用环境,为此我们提出一种半导体二极管封装结构来解决上述问题。
技术实现思路
[0004]本技术的目的是为了解决现有技术中在进行二极管使用时,基本上无法通过封装结构对二极管的散射范围做到有效的调节,使其能够满足不同的使用环境的问题,而提出的一种半导体二极管封装结构。
[0005]为了实现上述目的,本技术 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体二极管封装结构,其特征在于,包括装置本体、以及设置在所述装置本体内的调节装置;所述调节装置包括齿牙(16)、齿轮(17)、螺纹杆(18)和透镜(19);所述齿牙(16)的内侧壁与所述齿轮(17)的外侧壁相啮合;所述齿轮(17)的端部与所述螺纹杆(18)的一端固定连接;所述螺纹杆(18)的外侧壁与所述透镜(19)的端部活动连接。2.根据权利要求1所述的一种半导体二极管封装结构,其特征在于,所述装置本体包括半导体二极管(1)、管道(2)、左管帽(3)、连接管(4)和右管帽(5);所述半导体二极管(1)的外侧壁与所述管道(2)的内侧壁相贴合;所述管道(2)的外侧壁与所述左管帽(3)的内侧壁活动连接;所述连接管(4)的外侧壁与所述管道(2)的内侧壁活动连接;所述右管帽(5)的内侧壁与所述连接管(4)的外侧壁相贴合。3.根据权利要求2所述的一种半导体二极管封装结构,其特征在于,所述管道(2)的内侧壁开设有凹槽(6),所述管道(2)的内侧壁设置有夹紧块(8),所述夹紧块(8)的顶部固定连接有夹紧弹簧(7),所述夹紧块(8)的底部开设有通孔(9),所述管道(2)的顶部开设有散热孔(10)。...
【专利技术属性】
技术研发人员:李雨晨,
申请(专利权)人:济南鑫硕电子科技有限公司,
类型:新型
国别省市:
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