碳化硅晶片切割装置制造方法及图纸

本申请提供了一种碳化硅晶片切割装置，包括机架、承载台、切割刀具、三维移动平台和扫描仪。承载台与机架连接，承载台用于承载并定位碳化硅晶片。切割刀具用于切割碳化硅晶片。三维移动平台设于机架上，切割刀具与三维移动平台连接，三维移动平台用于带动切割刀具运动。扫描仪用于扫描碳化硅晶片的轮廓并能依据轮廓的参数信息得到切割路径；扫描仪与三维移动平台通信连接，用于控制三维移动平台运动，以使切割刀具沿切割路径运动。自动化程度高，效率高，安全性高。安全性高。安全性高。

【技术实现步骤摘要】
碳化硅晶片切割装置


[0001]本技术涉及半导体制备设备领域，具体而言，涉及一种碳化硅晶片切割装置。

技术介绍

[0002]随着第一代半导体Si、第二代半导体GaAs，InP等的发展日益成熟，碳化硅作为第三代半导体材料中的重要组成部分，其具有的宽禁带、高热导率、高临界击穿场强、高载流子饱和漂移速率、低相对介电常数、高抗辐射能力以及良好的化学稳定性等被人们所广泛关注研究。碳化硅因其独具的优越特性在高温、高频、大功率、微电子器件等方面和航天、军工、核能等极端环境应用有着不可替代的优势，也是微电子、电力电子和光电子等高新技术进入21世纪后赖以持续发展的重要半导体材料之一，随着技术的不断提高，第三代半导体技术的应用将在节能减排、信息技术、国防科技三大领域上催生出数以万计的潜在市场，且近年来迅速渗透到照明、电子电力器件、微波射频等领域的各个角落，市场规模快速提升，在新能源汽车、汽车灯照、通用照明、电动车、5G通讯应用等领域有着广泛的应用市场，将成为未来新能源发展的方向之一。碳化硅材料作为外延的衬底材料需要一系列的加工流程，其中机械减薄在碳化硅工艺流程中被大量使用，而机械减薄需要晶片表面的有足够的平整度，通常会对晶片进行薄膜树脂填充化处理，即对晶片进行贴片。然而贴片后的晶片薄膜尺寸残余较大，不利于树脂与晶片的充分包裹。需要切割多余部分薄膜，以增加薄膜与晶片的包裹性。
[0003]经专利技术人研究发现，现有的碳化硅晶片切割设备存在如下缺点：
[0004]劳动强度高，安全性低。

技术实现思路

[0005]本技术的目的在于提供一种碳化硅晶片切割装置，其能够降低劳动强度，提高作业安全性。
[0006]本技术的实施例是这样实现的：
[0007]本技术提供一种碳化硅晶片切割装置，包括：
[0008]机架；
[0009]承载台，承载台与机架连接，承载台用于承载并定位碳化硅晶片；
[0010]用于切割碳化硅晶片的切割刀具；
[0011]三维移动平台，三维移动平台设于机架上，切割刀具与三维移动平台连接，三维移动平台用于带动切割刀具运动；
[0012]以及扫描仪，扫描仪用于扫描碳化硅晶片的轮廓并能依据轮廓的参数信息得到切割路径；扫描仪与三维移动平台通信连接，用于控制三维移动平台运动，以使切割刀具沿切割路径运动。
[0013]在可选的实施方式中，机架包括支座和均与支座连接的第一安装件和第二安装件，承载台与第一安装件连接；三维移动平台以及扫描仪均与第二安装件连接。
[0014]在可选的实施方式中，承载台设有用于定位碳化硅晶片的真空吸附口。
[0015]在可选的实施方式中，承载台包括基体以及载片台，载片台凸设于基体的一侧面上，载片台背离基体的一侧面用于承载碳化硅晶片；载片台设有真空吸附口，真空吸附口的一端口位于载片台用于承载碳化硅晶片的侧面上。
[0016]在可选的实施方式中，载片台设置为圆台。
[0017]在可选的实施方式中，承载台还包括吸附台，吸附台与基体连接且与载片台位于基体的同一侧；吸附台上设置有真空吸附口。
[0018]在可选的实施方式中，吸附台设置有多个，多个吸附台间隔排布，载片台位于多个吸附台围成的区域中。
[0019]在可选的实施方式中，基体设有气道，多个真空吸附口均与气道连通。
[0020]在可选的实施方式中，切割刀具包括电机和刀体，电机与三维移动平台连接，刀体与电机的输出轴连接。
[0021]在可选的实施方式中，三维移动平台包括依次连接的基台、第一平台、第二平台和第三平台，基台与机架连接，第一平台与基台在第一方向上滑动配合，第二平台与第一平台在第二方向上滑动配合，第三平台与第二平台在第三方向上滑动配合，第一方向、第二方向以及第三方向两两垂直；切割刀具与第三平台连接。
[0022]本技术实施例的有益效果是：
[0023]综上所述，本实施例提供了一种碳化硅晶片切割装置，将待切割的碳化硅晶片置于承载台上并利用承载台定位。碳化硅晶片定位完成后，启动扫描仪，扫描仪扫描碳化硅晶片的轮廓信息，并确定碳化硅晶片的切割线，也即确定切割刀具的切割路径。扫描仪控制三维移动平台运动，三维移动平台带动切割刀具沿切割路径运动，从而按要求切割碳化硅晶片，最终获得所需形状的碳化硅晶片。切割过程中，切割刀具通过三维移动平台实现自动化控制，降低劳动强度，提高作业效率，且操作者与切割刀具或碳化硅晶片的接触少，切割安全性高。
附图说明
[0024]为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0025]图1为本技术实施例的碳化硅晶片切割装置的结构示意图；
[0026]图2为本技术实施例的三维移动平台的结构示意图。
[0027]图标:
[0028]100
‑
机架；110
‑
支座；120
‑
第一安装件；130
‑
第二安装件；200
‑
承载台；210
‑
基体；220
‑
载片台；230
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吸附台；240
‑
真空吸附口；300
‑
切割刀具；400
‑
三维移动平台；410
‑
基台；420
‑
第一平台；430
‑
第二平台；440
‑
第三平台；500
‑
扫描仪。
具体实施方式
[0029]为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新
型实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本技术实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
[0030]因此，以下对在附图中提供的本技术的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本技术的范围，而是仅仅表示本技术的选定实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0031]应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
[0032]在本技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该技术产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅晶片切割装置，其特征在于，包括：机架；承载台，所述承载台与所述机架连接，所述承载台用于承载并定位所述碳化硅晶片；用于切割所述碳化硅晶片的切割刀具；三维移动平台，所述三维移动平台设于所述机架上，所述切割刀具与所述三维移动平台连接，所述三维移动平台用于带动所述切割刀具运动；以及扫描仪，所述扫描仪用于扫描所述碳化硅晶片的轮廓并能依据所述轮廓的参数信息得到切割路径；所述扫描仪与所述三维移动平台通信连接，用于控制所述三维移动平台运动，以使所述切割刀具沿所述切割路径运动。2.根据权利要求1所述的碳化硅晶片切割装置，其特征在于：所述机架包括支座和均与所述支座连接的第一安装件和第二安装件，所述承载台与所述第一安装件连接；所述三维移动平台以及所述扫描仪均与所述第二安装件连接。3.根据权利要求1所述的碳化硅晶片切割装置，其特征在于：所述承载台设有用于定位所述碳化硅晶片的真空吸附口。4.根据权利要求3所述的碳化硅晶片切割装置，其特征在于：所述承载台包括基体以及载片台，所述载片台凸设于所述基体的一侧面上，所述载片台背离所述基体的一侧面用于承载所述碳化硅晶片；所述载片台设有所述真空吸附口，所述真空吸附口的一端口位于所述载片台用于承载所述碳化硅晶片...

【专利技术属性】
技术研发人员：张广，张洁，王泽隆，林武庆，
申请(专利权)人：福建北电新材料科技有限公司，
类型：新型
国别省市：