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改良的多段开关的结构制造技术

技术编号:3139222 阅读:159 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术关于一种改良的多段开关的结构,包含有一座体,其内部有一开口向上的容纳空间;并于其底壁左侧设一透孔;一电枢件;一桥接导电件,套设于电枢件,使电枢件周面环设等间隔排列若干桥接导电部及一绝缘部;电枢件及桥接导电件设于容纳空间中,得受拨转;至少三导电片,容设于容纳空间中,而以其触接端分别触接于电枢件周面;其中一、三导电片另一端各设一嵌槽;一二极管容设于座体中,其二端与二导电片嵌槽嵌接,且其底缘容置于透孔中。(*该技术在2007年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术是与多段开关有关,详而言之是指一种改良的多段开关的结构。习用一种多段开关是如附图说明图1所示,包含有一座体10,底面是向下延伸一容置部12,一电枢件14,容置于该座体10中,一导电桥接件15,设于该电枢件14的周面,使电枢件14具有二桥接导电部16、17以及一绝缘部18;三导电片19、20、21,是分别容设于该座体10中,而得分别与该电枢件14的该二桥接导电部16、17及该绝缘部18导接;其中该第二、第三导电片20、21的片身上是各向下延伸一插接部22,其是分别穿伸于座体10的槽孔101,而凸伸于该容置部12中;一二极管24,是容设于该座体10的该容置部12中,其二端并分别与该二插接部22所插接,使第二、第三导电片20、21呈导接状态。上述开关结构于三个切换位置中,恰完成高、低、关的三段输出电压。惟其仍有不尽完善之处,座体10底面须另行向下延伸该容置部12,增加材料及制造成本。开关的部份构件是装设于座体的顶面、部份构件则装设于座体底面,装设各构件的动作无法一贯,且欲使位于座体底面的二极管24与位于座体顶面的该二导电片20、21相连接,于装设上亦较为不便。该座体10另须开设该二槽孔101以供该二导电片20、21穿设,增加模具开发的困难及制造成本。此外,上述开关的体积相当大,不符合精简原则。为此,本申请人曾提出第96201135.5号“多段开关的改良结构”专利案,乃直接将二极管装设于开关的座体中,使所有的构件均是装设于座体的容纳空间中,便于组装各构件及使构件间利于连接,并可大幅减少开关的体积,藉以改进图1所示的开关的缺失。本技术的主要目的在于提供一种改良的多段开关的结构,其可提高开关的散热效果。本技术的另一目的在于提供一种改良的多段开关的结构,其可使开关的体积更为缩小。本技术的又一目的在于提供一种改良的多段开关的结构,可使电线装设在不同的位置。本技术的又一目的在于提供一种改良的多段开关的结构,其可使二极管更易与导电片组装连接。本技术改良的多段开关结构,包含有一座体,其内部具有一开口向上的容纳空间;该座体于右侧端是设一置线槽,于左侧端则设至少一置线槽;该等置线槽是与该容纳空间连通;一电枢件;一桥接导电件,是套设于电枢件,使该电枢件的周面环设等间隔排列的若干桥接导电部及一绝缘部;该电枢件及该桥接导电件是设于该容纳空间中,得受拨转而改变其角位置;至少三导电片,各具有一触接端,该三导电片是以其容设于容纳空间中,而以其触接端分别触接于该电枢件周面的该等桥接导电部及该绝缘部;该第一、第三导电片是为输入侧的导电片,其另一端均朝向该座体左侧,且各设一嵌槽;该第二导电片的另一端是朝向该座体右侧,为输出侧导电片;一输入电线,是设于该座体左侧端的置线槽,并与一输入侧导电片连接;一输出电线,是容置于座体右侧的置线槽,并与该第二导电片连接;一二极管,是容设于座体中,其二端是与该第一、第三导电片的嵌槽嵌接;其特征在于该座体于该容纳空间底壁左侧是设一贯穿的透孔,对应于该二极管;该二极管底缘是容设于该透孔中;其中该第一、第三导电片的嵌槽的开口是朝上;该二极管二端是由上往下嵌接于该等嵌槽;其中该座体左侧是设至少二置线槽;该二置线槽是分别与该第一、第三导电片的另一端相对应;该输入电线是容设于其中一置线槽中,与该第三导电片连接;其中该座体左侧是设至少二置线槽;该输入电线是容设于其中一置线槽中,与该第一导电片连接。为能进一步了解本技术的目的、特征及所达成的功效,以下兹举本技术一较佳实施例,并配合附图详细说明于后,其中,附图的安排为图1是现有一种多段开关的结构示意图。图2是显示本技术一较佳实施例的分解立体图。图3是图2的组合顶视图。图4是图3的4-4剖面图。首先请参阅图2,是本技术所提供的多段开关的改良结构30的一较佳实施例,包含有一座体40,其内部是设一开口朝上的容纳空间42,该容纳空间42的底壁左侧复设一预定大小且贯穿顶底的长形透孔43;而容纳空间42的底壁右侧是设一柱部44。该座体40的右侧端是设一置线槽45,而左侧端则设二置线槽46、47,分别与容纳空间42连通。一电枢件50,其周面是形成三棘齿状,而顶面是为一驱动部52。一桥接导电件60,具有一底部62以及二自该底部62周缘向上延伸的第一、第二桥接导电部64、66,于该二导电部64、66部间是具有一缺口,导电部64、66及该缺口是呈三等分排列。该桥接导电件60是套设于该电枢件70,使该二导电部64、66平贴于该电枢件50周面的二棘齿,该底部62则贴靠于电枢件50底面,而电枢件50的周面对应于该缺口的另一棘齿是为一绝缘部54。该电枢件50连同该桥接导电件60是容设于该座体40的容纳空间42中,以该底部62的穿孔63及电枢件50的轴孔55枢设于容纳空间42的柱部44,如图4所示,而可受旋动。三导电片70、72、74,各具有一弧状的触接端71、73、75,该第一、第三导电片72、74的片身另一端并分别设一开口向上的嵌槽76、77。该三导电片是容设于该容纳空间42中,受适当定位,并分别以其触接端71、73、75触接于该电枢件50的周面,其中,该第二导电片72是位于容纳空间42右侧,为一输出侧导电片;该第一、第三导电片70、74则位于容纳空间42左侧,概呈并列状态,其另一端并分别对应于该二置线槽46、47,其是为输入侧导电片。该二导电片70、74的嵌槽76、77是相对应,恰位于该透孔43轴向二端之外。二电线78、79,电线78是以其裸线连接于第三导电片74的片身,其线身是容置于置线槽47中,作为一电源输入端。电线79则连接于第二导电片72的片身,并容置于置线槽45中,作为一电源输出端。一二极管80,是容设于该容纳空间42中,其二端82并分别嵌接于第一、第三导电片70、74的嵌槽76、77,使该二导电片70、74呈导通状。二极管80底缘并容置于该透孔43中,如图4所示。本技术于使用时,是于座体40顶面盖设一盖板90,该盖板90上复设一旋动构件95,可与该电枢件50的驱动部52触接,以旋动该电枢件50。该盖板及旋动构件是为现有结构,容不赘述。本技术的作动状态,请配合图3所示,于图上所示的第一位置时,该电枢件50周面上的第一、第二桥接导电部64、66是分别与第二、第三导电片72、74的触接端73、75触接,而该绝缘部54则与第一导电片70的触接端71接触,使电流不会流经第一导电片70。此时,电源是自电线78输入,经由第三导电片74而传导至第一导电部64,复经桥接导电件60的底部62而传导至第二导电部66,经由第二导电片72及电线79输出。则电源并未经该二极管80的压降,为全功率的输出。旋动该旋动构件95,使该电枢件50顺时针旋动于下一个步进位置时,该绝缘部54是与第二导电片72接触,而该二导电部64、66则分别与该第一、第三导电片70、74触接,此时,电源无法经导线输出,形成关状态。将该电枢件50再顺时针旋动至下一步进位置时,该绝缘部54是触接于第三导电片74,而该二导电部64、66则分别触接于第一、第二导电片70、72,此时,电流并无法流经第三导电片74,而该第一导电片70于此时是形成一经由该二极管80压降的电流分路,电流经本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种改良的多段开关的结构,包含有:一座体,其内部具有一开口向上的容纳空间;该座体于右侧端是设一置线槽,于左侧端则设至少设一置线槽;该等置线槽是与该容纳空间连通;一电枢件;一桥接导电件,是套设于电枢件,使该电枢件的周面环设等间隔排 列的若干桥接导电部及一绝缘部;该电枢件及该桥接导电件是设于该容纳空间中,得受拨转而改变其角位置;至少三导电片,各具有一触接端,该三导电片是以其容设于容纳空间中,而以其触接端分别触接于该电枢件周面的该等桥接导电部及该绝缘部;该第一、第三导 电片是为输入侧的导电片,其另一端均朝向该座体左侧,且各设一嵌槽;该第二导电片的另一端是朝向该座体右侧,为输出侧导电片;一输入电线,是设于该座体左侧端的置线槽,并与一输入侧导电片连接;一输出电线,是容置于座体右侧的置线槽,并与该第二导电片连接;一二极管,是容设于座体中,其二端是与该第一、第三导电片的嵌槽嵌接;其特征在于:该座体于该容纳空间底壁左侧是设一贯穿的透孔,对应于该二极管;该二极管底缘是容设于该透孔中。

【技术特征摘要】
1.一种改良的多段开关的结构,包含有一座体,其内部具有一开口向上的容纳空间;该座体于右侧端是设一置线槽,于左侧端则设至少设一置线槽;该等置线槽是与该容纳空间连通;一电枢件;一桥接导电件,是套设于电枢件,使该电枢件的周面环设等间隔排列的若干桥接导电部及一绝缘部;该电枢件及该桥接导电件是设于该容纳空间中,得受拨转而改变其角位置;至少三导电片,各具有一触接端,该三导电片是以其容设于容纳空间中,而以其触接端分别触接于该电枢件周面的该等桥接导电部及该绝缘部;该第一、第三导电片是为输入侧的导电片,其另一端均朝向该座体左侧,且各设一嵌槽;该第二导电片的另一端是朝向该座体右侧,为输出侧导电片;一输入电线,是设于该座体左侧端的置线槽,并与一输入侧导电片连接;一输出电线,是容置于座体右侧的置线槽,并与该第二导...

【专利技术属性】
技术研发人员:洪文辉
申请(专利权)人:洪文辉
类型:实用新型
国别省市:71[中国|台湾]

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