一种空气场板结构及其制作方法技术

技术编号:31381738 阅读:34 留言:0更新日期:2021-12-15 11:30
本申请提供了一种空气场板结构及其制作方法,涉及半导体制造技术领域。该空气场板结构包括本体层,本体层设置有凹槽结构;隔离层,位于凹槽结构内与凹槽结构外,隔离层包括位于凹槽结构内的第一隔离层与位于凹槽结构外的第二隔离层,第一隔离层与第二隔离层连续,且第一隔离层与本体层连接,第二隔离层与本体层间隔设置;电极金属层,位于第一隔离层与第二隔离层的一侧。本申请提供的空气场板结构及其制作方法具有能够提升器件的性能和可靠性的优点。优点。优点。

【技术实现步骤摘要】
一种空气场板结构及其制作方法


[0001]本申请涉及半导体制造
,具体而言,涉及一种空气场板结构及其制作方法。

技术介绍

[0002]对于射频器件,电极金属通常采用“T”形结构,例如栅极,以使电极金属完全填充在介质层形成的凹槽结构中;同时,凹槽结构底部两侧区域形成具有一定尺寸的金属板结构,对凹槽结构底部附近电场线进行调制。同时,还可以使用电极盖帽下方为空气层的空气场板结构降低栅极寄生电容。
[0003]然而,现有的空气场板结构,电极金属在凹槽开口处断裂、连续性差,电极金属在器件使用过程中通过裂隙会向凹槽介质层中扩散,导致器件的可靠性较差。

技术实现思路

[0004]本申请的目的在于提供一种空气场板结构及其制作方法,以解决现有技术中存在器件可靠性较差的问题。
[0005]为了实现上述目的,本申请实施例采用的技术方案如下:第一方面,本申请实施例提供了一种空气场板结构,所述空气场板结构包括:本体层,所述本体层设置有凹槽结构;隔离层,位于所述凹槽结构内与所述凹槽结构外,所述隔离层包括位于所述凹槽结构内的第一隔离层与本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种空气场板结构,其特征在于,所述空气场板结构包括:本体层,所述本体层设置有凹槽结构;隔离层,位于所述凹槽结构内与所述凹槽结构外,所述隔离层包括位于所述凹槽结构内的第一隔离层与位于所述凹槽结构外的第二隔离层,所述第一隔离层与所述第二隔离层连续,且所述第一隔离层与所述本体层连接,所述第二隔离层与所述本体层间隔设置;电极金属层,位于所述第一隔离层与所述第二隔离层的一侧。2.如权利要求1所述的空气场板结构,其特征在于,所述本体层包括晶圆衬底、半导体层以及介质层,所述晶圆衬底与所述半导体层连接;所述介质层位于所述半导体层的一侧,所述凹槽结构设置在所述介质层上。3.如权利要求1所述的空气场板结构,其特征在于,所述第一隔离层包括底壁层与侧壁层,所述底壁层与所述侧壁层连接。4.如权利要求1所述的空气场板结构,其特征在于,所述第一隔离层包括侧壁层,位于所述凹槽结构内的电极金属层与所述本体层连接。5.如权利要求 1所述的空气场板结构,其特征在于,制作所述隔离层的材料包括Ni、Pt、Pd、W、TiW中的一种或多种的组合及其合金。6.如权利要求1所述的空气场板结构,其特征在于,所述电极金属层包括接触金属层与互连金属层,所述接触金属层位于所述第一隔离层与所述第二...

【专利技术属性】
技术研发人员:杨天应刘丽娟吴文垚
申请(专利权)人:深圳市时代速信科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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