一种半导体器件制造技术

本申请提供一种半导体器件，涉及半导体技术领域，包括：衬底；设置于衬底上的半导体叠层；依次设置于半导体叠层上的钝化层和第一介质层；源极金属、漏极金属和栅极金属依次贯穿第一介质层和钝化层以分别与半导体叠层接触；设置于钝化层和第一介质层之间的场板金属，场板金属位于栅极金属和漏极金属之间。场板金属能够辅助源极场板对栅脚处的电场进行调制，便于提高电场调制效果，并且有利于减小栅极金属的栅帽体积（栅场板体积），从而降低C

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件


[0001]本申请涉及半导体
，具体而言，涉及一种半导体器件。

技术介绍

[0002]对于射频GaN器件，在高频工作下，寄生电容对器件的射频性能有着显著影响，其中栅源之间的寄生电容（C
gs
）、栅漏之间的寄生电容（C
gd
）的大小，对器件的射频性能有着重要的影响。因此，通常来讲需要降低C
gs
和C
gd
从而提高器件射频性能。
[0003]现有器件为降低C
gd
，通常会将栅帽做的较小，这会导致栅脚处电场较为集中，峰值电场过高，造成器件耐压降低，使得器件可靠性受到影响。此外，现有器件通常通过制作源极场板来屏蔽来自介质层内的电势线，但是对于来自沟道的电势线屏蔽效果较差。

技术实现思路

[0004]本申请的目的在于，针对上述现有技术中的不足，提供一种半导体器件，能够在电场调制和降低C
gs
、C
gd
之间达到较好的平衡，同时，有效屏蔽沟道处来自漏极的电势线。
[0005]为实现上述目的，本申请实施例采用的技术方案如下：本申请实施例的一方面，提供一种半导体器件，包括：衬底；设置于衬底上的半导体叠层；依次设置于半导体叠层上的钝化层和第一介质层；还包括源极金属、漏极金属和栅极金属，源极金属、漏极金属和栅极金属依次贯穿第一介质层和钝化层以分别与半导体叠层接触；设置于钝化层和第一介质层之间的场板金属，场板金属位于栅极金属和漏极金属之间，且场板金属与栅极金属不接触。
[0006]可选的，半导体器件还包括设置于栅极金属上的第二介质层以及设置于第二介质层上的源极场板。
[0007]可选的，栅极金属在衬底的正投影与场板金属在衬底的正投影相交。
[0008]可选的，源极场板在衬底的正投影位于场板金属在衬底的正投影和漏极金属在衬底的正投影之间。
[0009]可选的，场板金属与源极场板或源极金属连接。
[0010]可选的，场板金属为浮空场板。
[0011]可选的，栅极金属包括相互连接的栅脚和栅帽，栅脚与半导体叠层接触，栅帽位于第一介质层上。
[0012]可选的，在第一介质层上设置有空腔，栅帽在衬底的正投影覆盖空腔在衬底的正投影。
[0013]可选的，场板金属部分位于空腔。
[0014]可选的，半导体器件包括多个场板金属，多个场板金属自栅极金属至漏极金属方向依次间隔设置。
[0015]本申请的有益效果包括：本申请提供了一种半导体器件，包括：衬底；设置于衬底上的半导体叠层；依次设
置于半导体叠层上的钝化层和第一介质层；还包括源极金属、漏极金属和栅极金属，源极金属、漏极金属和栅极金属依次贯穿第一介质层和钝化层以分别与半导体叠层接触；设置于钝化层和第一介质层之间的场板金属，场板金属位于栅极金属和漏极金属之间，且场板金属与栅极金属的间距小于场板金属与漏极金属的间距。通过场板金属能够辅助源极场板对栅脚处的电场进行调制，便于提高电场调制效果，从而提高器件的耐压和可靠性，并且有利于减小栅极金属的栅帽体积（栅场板体积），从而降低C
gd
和C
gs
，使得电场调制与C
gd
和C
gs
之间具有较好的平衡。由于场板金属位于栅极金属和漏极金属之间，还可以进一步的降低C
gd
，提升器件的射频性能，且由于场板金属靠近栅极金属设置，因此，还可以有效的屏蔽沟道处来自漏极的电势线，防止器件自激振荡。
附图说明
[0016]为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
[0017]图1为本申请实施例提供的一种半导体器件的制备状态示意图之一；图2为本申请实施例提供的一种半导体器件的制备状态示意图之二；图3为本申请实施例提供的一种半导体器件的制备状态示意图之三；图4为本申请实施例提供的一种半导体器件的制备状态示意图之四；图5为本申请实施例提供的一种半导体器件的制备状态示意图之五；图6为本申请实施例提供的一种半导体器件的制备状态示意图之六；图7为本申请实施例提供的一种半导体器件的结构示意图；图8为本申请实施例提供的另一种半导体器件的结构示意图；图9为本申请实施例提供的再一种半导体器件的结构示意图；图10为本申请实施例提供的又一种半导体器件的结构示意图。
[0018]图标：100
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衬底；110
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半导体叠层； 120
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源极欧姆金属；130
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漏极欧姆金属；140
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钝化层；150
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场板金属；160
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第一介质层；170
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栅极金属；180
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第二介质层；190
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源极场板；200
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源极互连金属；210
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漏极互连金属。
具体实施方式
[0019]为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
[0020]应当理解，虽然术语第一、第二等可以在本文中用于描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于区域分一个元件与另一个元件。例如，在不脱离本公开的范围的情况下，第一元件可称为第二元件，并且类似地，第二元件可称为第一元件。如本文所使用，术语“和/或”包括相关联的所列项中的一个或多个的任何和所有组合。
[0021]应当理解，当一个元件(诸如层、区域或衬底)被称为“在另一个元件上”或“延伸到
另一个元件上”时，其可以直接在另一个元件上或直接延伸到另一个元件上，或者也可以存在介于中间的元件。相反，当一个元件被称为“直接在另一个元件上”或“直接延伸到另一个元件上”时，不存在介于中间的元件。同样，应当理解，当元件(诸如层、区域或衬底)被称为“在另一个元件之上”或“在另一个元件之上延伸”时，其可以直接在另一个元件之上或直接在另一个元件之上延伸，或者也可以存在介于中间的元件。相反，当一个元件被称为“直接在另一个元件之上”或“直接在另一个元件之上延伸”时，不存在介于中间的元件。还应当理解，当一个元件被称为“连接”或“耦接”到另一个元件时，其可以直接连接或耦接到另一个元件，或者可以存在介于中间的元件。相反，当一个元件被称为“直接连接”或“直接耦接”到另一个元件时，不存在介于中间的元件。
[0022]除非另外定义，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底；设置于所述衬底上的半导体叠层；依次设置于所述半导体叠层上的钝化层和第一介质层；还包括源极金属、漏极金属和栅极金属，所述源极金属、所述漏极金属和所述栅极金属依次贯穿所述第一介质层和所述钝化层以分别与所述半导体叠层接触；设置于所述钝化层和所述第一介质层之间的场板金属，所述场板金属位于所述栅极金属和所述漏极金属之间，且所述场板金属不与所述栅极金属接触。2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括设置于所述栅极金属上的第二介质层以及设置于所述第二介质层上的源极场板。3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述栅极金属在所述衬底的正投影与所述场板金属在所述衬底的正投影相交。4.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述源极场板在所述衬底的正投影位于所述场板金属在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨天应，
申请(专利权)人：深圳市时代速信科技有限公司，
类型：发明
国别省市：