一种半导体器件制造技术

本申请提供一种半导体器件，涉及半导体技术领域，包括：衬底；设置于衬底上的半导体叠层；依次设置于半导体叠层上的钝化层和第一介质层；源极金属、漏极金属和栅极金属依次贯穿第一介质层和钝化层以分别与半导体叠层接触；设置于钝化层和第一介质层之间的场板金属，场板金属位于栅极金属和漏极金属之间。场板金属能够辅助源极场板对栅脚处的电场进行调制，便于提高电场调制效果，并且有利于减小栅极金属的栅帽体积（栅场板体积），从而降低C

【技术实现步骤摘要】
一种半导体器件


[0001]本申请涉及半导体
，具体而言，涉及一种半导体器件。

技术介绍

[0002]对于射频GaN器件，在高频工作下，寄生电容对器件的射频性能有着显著影响，其中栅源之间的寄生电容（C
gs
）、栅漏之间的寄生电容（C
gd
）的大小，对器件的射频性能有着重要的影响。因此，通常来讲需要降低C
gs
和C
gd
从而提高器件射频性能。
[0003]现有器件为降低C
gd
，通常会将栅帽做的较小，这会导致栅脚处电场较为集中，峰值电场过高，造成器件耐压降低，使得器件可靠性受到影响。此外，现有器件通常通过制作源极场板来屏蔽来自介质层内的电势线，但是对于来自沟道的电势线屏蔽效果较差。

技术实现思路

[0004]本申请的目的在于，针对上述现有技术中的不足，提供一种半导体器件，能够在电场调制和降低C
gs
、C
gd
之间达到较好的平衡，同时，有效屏蔽沟道处来自漏极的电势线。
>[0005]为实现本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底；设置于所述衬底上的半导体叠层；依次设置于所述半导体叠层上的钝化层和第一介质层；还包括源极金属、漏极金属和栅极金属，所述源极金属、所述漏极金属和所述栅极金属依次贯穿所述第一介质层和所述钝化层以分别与所述半导体叠层接触；设置于所述钝化层和所述第一介质层之间的场板金属，所述场板金属位于所述栅极金属和所述漏极金属之间，且所述场板金属不与所述栅极金属接触。2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括设置于所述栅极金属上的第二介质层以及设置于所述第二介质层上的源极场板。3.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述栅极金属在所述衬底的正投影与所述场板金属在所述衬底的正投影相交。4.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述源极场板在所述衬底的正投影位于所述场板金属在所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨天应，
申请(专利权)人：深圳市时代速信科技有限公司，
类型：发明
国别省市：