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本申请提供一种半导体器件，涉及半导体技术领域，包括：衬底；设置于衬底上的半导体叠层；依次设置于半导体叠层上的钝化层和第一介质层；源极金属、漏极金属和栅极金属依次贯穿第一介质层和钝化层以分别与半导体叠层接触；设置于钝化层和第一介质层之间的场板...
该专利属于深圳市时代速信科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市时代速信科技有限公司授权不得商用。

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