【技术实现步骤摘要】
高性能双栅LTPO面板结构及制备工艺
[0001]本专利技术属于显示背板
，具体涉及高性能双栅LTPO面板结构及制备工艺。
技术介绍
[0002]近年来，低温多晶硅氧化物LTPO薄膜晶体管在有源矩阵有机发光二极管显示背板技术中受到了广泛关注，在金属氧化物TFT中，非晶态铟镓锌氧化物a
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IGZOTFT是当下最受欢迎的，氧化物薄膜晶体管具有超低的关断漏电流小于10
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14A，较高的迁移率超过10cm2/V.s，可实现低频驱动降低功耗，且可以在低温下以较低的制造成本制造；另一方面，LTPS TFT具有高迁移率和优异的稳定性，易于实现超高分辨率显示面板制造，但其关态电流较高，在～10
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12A之间，无法实现低频驱动造成面板功耗较高，通过混合这两种TFT技术可以实现两面取利，生产出具备高分辨率且可实现低频驱动的面板，既保证高质量的显示效果又能实现低功耗。
[0003]一般来说，LTPS
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TFT和金属氧化物TFT背板工艺是不兼容的，LTPS>‑
TFT本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.高性能双栅LTPO面板结构，包括基板(1)，其特征在于：所述基板(1)上端设置有缓冲层(2)，缓冲层(2)上端设置有多晶硅层(3)，缓冲层(2)上端设置有第一栅极绝缘层(4)，且第一栅极绝缘层(4)成膜导电层上设置有第一栅极(5)和驱动电路走线，所述第一栅极(5)上端设置有第一中间绝缘层(6)，第一中间绝缘层(6)上端设置有Oxide有源层(7)，所述Oxide有源层(7)上端设置有第三栅极绝缘层(8)，所述第三栅极绝缘层(8)之上成膜导电层并图案化形成第二栅极(9)、桥接区(10)和栅极驱动线路，所述第二栅极(9)之上成膜第二中间绝缘层(11)，所述第二中间绝缘层(11)上端设置有第三金属层(12)，第三金属层(12)外部设置有钝化层(13)。2.根据权利要求1所述的高性能双栅LTPO面板结构，其特征在于：所述缓冲层(2)为无机氧化物或者绝缘性质的化合物，且缓冲层(2)膜厚范围为100um～500nm，所述多晶硅层(3)膜厚范围为20～200um，所述第一栅极绝缘层(4)为无机氧化物或者绝缘性质的化合物，膜厚范围为100um～400um。3.根据权利要求1所述的高性能双栅LTPO面板结构，其特征在于：所述成膜导电层可选用导电性优良金属一种或多种叠层，膜厚范围100um～400um，所述第一栅极绝缘层(4)上采用B2H6气体对LTPS
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TFT器件的源漏极接触区进行P+参杂，所述第一中间绝缘层(6)作为LTPS中间介质层以及Oxide
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TFT栅极绝缘层，膜厚范围100um～400um，且第一中间绝缘层(6)与所述第一栅极绝缘层(4)材质相同。4.根据权利要求1所述的高性能双栅LTPO面板结构，其特征在于：所述Oxide有源层(7)为IGZO、IGZTO、IGTO、Pr
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IZO和InO中的任意一种，所述第三栅极绝缘层(8)与所述第一栅极绝缘层(4)相同，所述第三栅极绝缘层(8)通过光罩对进行图案化，经蚀刻露出Oxide
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TFT器件源漏极接触区表面，所述第二中间绝缘层(11)与所述第一栅极绝缘层(4)材质相同，并蚀刻出通孔。5.根据权利要求1所述的高性能双栅LTPO面板结构，其特征在于：所述第一栅极(5)与第二栅极(9)通过桥接区(10)经由第三金属层(12)相连，所述钝化层(13)为无机绝缘氧化物和绝缘性质的化合物中的任意一种。6.根据权利要求1所述的高性能双栅LTPO面板结构，其特征在于：所述第一栅极(5)和第二栅极(9)内均设置有衬底(14)，衬底(14)上端通过物理溅射沉积有金属籽晶层(15)，金属籽晶层(15)可以为W以及MoW合金，厚度为2～30nm，金属籽晶层(15)上端沉积有金属Mo层(16)，厚度为100～400nm。7.一种权利要求1
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6所述的高性能双栅LTPO面板结构的制备工艺，其特征在于：具体包括以下步骤：S1、缓冲层制备：在基板之上制作第一绝缘层作为缓冲层(2)，材料可选无机氧化物或者绝缘性质的化合物，如SiOx、SiNx、氧化钛、氧化铝材料进行单层镀膜或多层镀膜100um～500nm，优选SiOx 300um；S2、p
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Si制备：成膜非晶硅层并在450℃以及N2环境下保存2h，进行脱H+处理，对非晶硅层进行blue
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laser
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annealing工艺处理使之晶化形成多晶硅层(3)p
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Si并图案化，膜厚范围20～200um，优选45um；S3、第一栅极绝缘层制备：在多晶硅层(3)之上制作第一栅极绝缘层(4)，材...
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