一种闪存块磨损度的评估方法及固态硬盘技术

本发明专利技术公开了一种闪存块磨损度的评估方法及固态硬盘，获取闪存块在刚注入电子后的电子泄漏程度值；获取已注入电子的闪存块的电子泄漏趋向值；根据闪存块的电子泄漏程度值和电子泄漏趋向值，评估闪存块的磨损度。可见，本申请从闪存块的电子泄漏程度值和电子泄漏趋向值两个维度评估闪存块的磨损度，相比于单一擦除次数作为磨损评估指标，从两个维度评估磨损度更为全面和精准，使得磨损均衡效果较好，进而增加了固态硬盘的整体寿命。而增加了固态硬盘的整体寿命。而增加了固态硬盘的整体寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种闪存块磨损度的评估方法及固态硬盘


[0001]本专利技术涉及固态存储领域，特别是涉及一种闪存块磨损度的评估方法及固态硬盘。

技术介绍

[0002]闪存包含多个闪存块(Block)，每个闪存块包含多个闪存页(Page)。闪存块是闪存擦除的基本单位，当一个闪存页被写入数据后，只有在所在闪存块进行了擦除操作之后，才可进行新的写入操作。
[0003]目前，对于基于闪存的固态硬盘(采用闪存芯片作为存储介质的固态硬盘)，各闪存块的磨损均衡是保证固态硬盘存储可靠性的关键因素。为了实现对各闪存块的磨损进行均衡控制，需准确评估各闪存块的磨损度，这也有助于基于各闪存块的磨损度评估固态硬盘的寿命。
[0004]现有技术中，通常基于闪存块的擦除次数评估闪存块的磨损度，闪存块的擦除次数越多，闪存块的磨损情况越严重。但是，只有单一擦除次数作为磨损评估指标不够全面和精准，从而影响磨损均衡效果，进而影响固态硬盘的整体寿命。
[0005]因此，如何提供一种解决上述技术问题的方案是本领域的技术人员目前需要解决的问题。

技术实现思路

[0006]本专利技术的目的是提供一种闪存块磨损度的评估方法及固态硬盘，从闪存块的电子泄漏程度值和电子泄漏趋向值两个维度评估闪存块的磨损度，相比于单一擦除次数作为磨损评估指标，从两个维度评估磨损度更为全面和精准，使得磨损均衡效果较好，进而增加了固态硬盘的整体寿命。
[0007]为解决上述技术问题，本专利技术提供了一种闪存块磨损度的评估方法，包括：
[0008]获取闪存块在刚注入电子后的电子泄漏程度值；
[0009]获取已注入电子的所述闪存块的电子泄漏趋向值；
[0010]根据所述闪存块的电子泄漏程度值和电子泄漏趋向值，评估所述闪存块的磨损度。
[0011]优选地，获取闪存块在刚注入电子后的电子泄漏程度值，包括：
[0012]获取所述闪存块的擦除次数，并获取所述闪存块在刚注入电子后的初始错误比特评估值；
[0013]根据所述擦除次数和所述初始错误比特评估值，确定所述闪存块在刚注入电子后的电子泄漏程度值；其中，所述擦除次数和所述初始错误比特评估值与所述电子泄漏程度值之间呈正相关关系。
[0014]优选地，获取所述闪存块在刚注入电子后的初始错误比特评估值，包括：
[0015]获取所述闪存块在刚注入电子后的IRBER值或IFBC值，并获取所述闪存块在刚注
入电子后的温度值；
[0016]根据所述温度值相应对所述IRBER值或IFBC值进行修正，得到所述闪存块在刚注入电子后的IRBER修正值或IFBC修正值，并将所述IRBER修正值或所述IFBC修正值作为所述初始错误比特评估值。
[0017]优选地，根据所述擦除次数和所述初始错误比特评估值，确定所述闪存块在刚注入电子后的电子泄漏程度值，包括：
[0018]根据LL＝EPC*δ*IRBER或LL＝EPC*δ*IFBC计算所述闪存块在刚注入电子后的电子泄漏程度值LL；
[0019]其中，EPC为所述擦除次数；δ*IRBER为所述IRBER修正值；δ*IFBC为所述IFBC修正值；δ为所述温度值对应的第一温度补偿系数。
[0020]优选地，获取已注入电子的所述闪存块的电子泄漏趋向值，包括：
[0021]获取已注入电子的所述闪存块在预设时间内的单位错误比特增长评估值，并获取所述闪存块在所述预设时间内的平均温度值；
[0022]根据所述平均温度值对所述单位错误比特增长评估值进行修正，得到所述闪存块在所述预设时间内的电子泄漏趋向值。
[0023]优选地，获取已注入电子的所述闪存块在预设时间内的单位错误比特增长评估值，包括：
[0024]获取已注入电子的所述闪存块在预设时间内的RBER增长量或FBC增长量；
[0025]将所述RBER增长量或所述FBC增长量除以所述预设时间，相应得到所述闪存块在单位时间内的RBER增长速率或FBC增长速率，并将所述RBER增长速率或所述FBC增长速率作为所述单位错误比特增长评估值。
[0026]优选地，根据所述平均温度值对所述单位错误比特增长评估值进行修正，得到所述闪存块在所述预设时间内的电子泄漏趋向值，包括：
[0027]判断所述平均温度值是否大于预设标准温度；
[0028]若是，则根据或计算所述闪存块在所述预设时间内的电子泄漏趋向值LT；其中，
△
t为所述预设时间；ΔRBER为所述RBER增长量；
△
FBC为所述FBC增长量；
γ
为所述平均温度值对应的第二温度补偿系数，γ＜1；
[0029]若否，则根据或计算所述闪存块在所述预设时间内的电子泄漏趋向值LT。
[0030]优选地，所述闪存块磨损度的评估方法还包括：
[0031]将所述闪存块对应的预设纠错能力阈值RBER'或FBC'相应减去所述闪存块当前的RBER值或FBC值，得到所述闪存块当前的RBER增长余量或FBC增长余量；
[0032]将所述闪存块当前的RBER增长余量或FBC增长余量相应除以所述闪存块当前的RBER增长速率或FBC增长速率，得到所述闪存块当前的数据剩余保持时间。
[0033]优选地，根据所述闪存块的电子泄漏程度值和电子泄漏趋向值，评估所述闪存块的磨损度，包括：
[0034]根据Pa＝(α*LL，β*LT)计算所述闪存块的磨损度Pa；其中，LL为所述闪存块的电子
泄漏程度值；LT为所述闪存块的电子泄漏趋向值；Pa为LL和LT的二维值；α和β为用于调整LL和LT比例关系的比例因子；LL和LT越大，所述闪存块的磨损情况越严重。
[0035]为解决上述技术问题，本专利技术还提供了一种固态硬盘，包括：
[0036]闪存；
[0037]控制器，用于在执行所述计算机程序时实现上述任一种闪存块磨损度的评估方法的步骤。
[0038]本专利技术提供了一种闪存块磨损度的评估方法，获取闪存块在刚注入电子后的电子泄漏程度值；获取已注入电子的闪存块的电子泄漏趋向值；根据闪存块的电子泄漏程度值和电子泄漏趋向值，评估闪存块的磨损度。可见，本申请从闪存块的电子泄漏程度值和电子泄漏趋向值两个维度评估闪存块的磨损度，相比于单一擦除次数作为磨损评估指标，从两个维度评估磨损度更为全面和精准，使得磨损均衡效果较好，进而增加了固态硬盘的整体寿命。
[0039]本专利技术还提供了一种固态硬盘，与上述磨损度评估方法具有相同的有益效果。
附图说明
[0040]为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对现有技术和实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0041]图1为本专利技术实施例提供的一种闪存块磨损度的评估方法的流程图；
[0042]图2为本发本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种闪存块磨损度的评估方法，其特征在于，包括：获取闪存块在刚注入电子后的电子泄漏程度值；获取已注入电子的所述闪存块的电子泄漏趋向值；根据所述闪存块的电子泄漏程度值和电子泄漏趋向值，评估所述闪存块的磨损度。2.如权利要求1所述的闪存块磨损度的评估方法，其特征在于，获取闪存块在刚注入电子后的电子泄漏程度值，包括：获取所述闪存块的擦除次数，并获取所述闪存块在刚注入电子后的初始错误比特评估值；根据所述擦除次数和所述初始错误比特评估值，确定所述闪存块在刚注入电子后的电子泄漏程度值；其中，所述擦除次数和所述初始错误比特评估值与所述电子泄漏程度值之间呈正相关关系。3.如权利要求2所述的闪存块磨损度的评估方法，其特征在于，获取所述闪存块在刚注入电子后的初始错误比特评估值，包括：获取所述闪存块在刚注入电子后的IRBER值或IFBC值，并获取所述闪存块在刚注入电子后的温度值；根据所述温度值相应对所述IRBER值或IFBC值进行修正，得到所述闪存块在刚注入电子后的IRBER修正值或IFBC修正值，并将所述IRBER修正值或所述IFBC修正值作为所述初始错误比特评估值。4.如权利要求3所述的闪存块磨损度的评估方法，其特征在于，根据所述擦除次数和所述初始错误比特评估值，确定所述闪存块在刚注入电子后的电子泄漏程度值，包括：根据LL＝EPC*δ*IRBER或LL＝EPC*δ*IFBC计算所述闪存块在刚注入电子后的电子泄漏程度值LL；其中，EPC为所述擦除次数；δ*IRBER为所述IRBER修正值；δ*IFBC为所述IFBC修正值；δ为所述温度值对应的第一温度补偿系数。5.如权利要求1所述的闪存块磨损度的评估方法，其特征在于，获取已注入电子的所述闪存块的电子泄漏趋向值，包括：获取已注入电子的所述闪存块在预设时间内的单位错误比特增长评估值，并获取所述闪存块在所述预设时间内的平均温度值；根据所述平均温度值对所述单位错误比特增长评估值进行修正，得到所述闪存块在所述预设时间内的电子泄漏趋向值。6.如权利要求5所述的闪存块磨损度的评估方法，其特征在于，获取已注入电子的所述闪存块在预设时间内的单位错误比特增长评估值，包括：获取已注入电子的所述闪存块在...

【专利技术属性】
技术研发人员：方浩俊，黄运新，杨亚飞，
申请(专利权)人：深圳大普微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：