【技术实现步骤摘要】
一种碲锌镉晶片的加工方法
[0001]本专利技术属于晶片加工的
,涉及一种碲锌镉晶片的加工方法。
技术介绍
[0002]碲锌镉(CZT)晶体是一种新型三元化合物半导体,由于其性能优异,具有较高的电阻率,较大的禁带宽度(随着掺杂锌含量的变化,禁带宽度从1.4eV至2.26eV连续变化),而对X射线及γ射线具有非常好的分别率,可用于天文、医学、军事等领域的各类探测器等器材中。同时,由于其结构与碲镉汞(MCT)及其匹配,因此是作为MCT最佳的衬底材料。
[0003]目前,CZT晶片的精密加工主要依靠国外的技术支持。用作红外探测器衬底材料的碲锌镉晶片在使用前需先进行定向切片、倒角、研磨、抛光、清洗这五道工序。由于CZT属于软脆型材料,在晶片加工过程中,尤其是在最初的晶棒切片过程中,一旦造成崩边情况,后续就需花费大量的时间及额外的费用去改善、修复,这导致出片率低,效益低。
[0004]为了减少碲锌镉边缘崩边问题,亟需开发出一种切割方法以减少晶片崩边,提高成品率。
技术实现思路
[0005]本专利技 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种碲锌镉晶片的加工方法,其特征在于,所述加工方法包括如下步骤:(1)将碲锌镉晶棒固定,然后切片;(2)将步骤(1)所得晶片沿(110)或(211)方向形成第一解理面;(3)在步骤(2)所得晶片表面刻出所需尺寸大小的矩形区域,所述矩形区域的其中一条边与所述第一解理面平行;(4)沿所述矩形区域的四条边形成解理面,得到矩形晶片;(5)对步骤(4)所得矩形晶片的边缘进行倒角处理。2.根据权利要求1所述的加工方法,其特征在于,所述步骤(1)中,采用多线切割机进行切片,所述多线切割机的切割线速度为200
‑
400m/min,工件切割速度为0.04
‑
0.07mm/min。3.根据权利要求1或2所述的加工方法,其特征在于,所述步骤(5)中,倒角处理的方法包括以下步骤:先进行粗磨,再进行精磨。4.根据权利要求3所述的加工方法,其特征在于,所述粗磨的转速为0.5<...
【专利技术属性】
技术研发人员:廖和杰,刘火阳,唐林锋,宋向荣,周铁军,马金峰,
申请(专利权)人:广东先导微电子科技有限公司,
类型:发明
国别省市:
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