【技术实现步骤摘要】
一种复合型分立半导体晶体管
[0001]本专利技术涉及分立半导体器件领域，具体涉及一种复合型分立半导体晶体管。
技术介绍
[0002]分立半导体器件是指具有单独功能且功能不能拆分的电子器件，依据芯片结构和功能的不同可以分为半导体二极管、三极管、桥式整流器、光电器件等，其中三极管一般包括双极型晶体管、场效应晶体管和绝缘栅双极型晶体管。分立半导体器件主要由芯片、引线、封装外壳几部分组成，其中芯片决定器件功能，引线实现芯片与外部电路的连接以及热量的导出，封装外壳则为芯片及内部结构提供保护，保证其功能的稳定实现，并与散热等核心性能高度相关。
[0003]随着半导体产业的逐步发展，业界不断采用新技术，改进材料、结构设计、制造工艺和封装等，提高分立器件的性能。以射频低噪声分立晶体管为例，目前国内外多采用III
‑
V族化合物工艺如砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等来实现。使用此类工艺虽然带来了高增益、低噪声等更优性能，但是昂贵的价格制约了其进一步的广泛发展。硅基工艺作为低成本工艺的典型代表，具有更加成熟的技术...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种复合型分立半导体晶体管，其特征在于：包括两个金属
‑
氧化物半导体场效应晶体管级联的共源共栅结构、级间电感以及偏置电路；所述共源共栅结构中的两个晶体管分别为晶体管M1以及晶体管M2，所述晶体管M1的栅极和源极分别形成复合晶体管的栅极和源极；所述晶体管M1的漏极和晶体管M2的源级通过级间电感L连接在一起；所述晶体管M2的栅极通过电阻R与晶体管M2的漏极耦合在一起，并且共同形成复合晶体管的漏极；所述电阻R与电容C组成晶体管M2的栅极偏置电路。2.根据权利要求1所述的复合型分立半导体晶体管，其特征在于：所述复合型分立半导体晶体管的加工工艺包括如下步骤：步骤一：选取合适的晶体管尺寸及偏置状态；步骤二：选取合适的级间电感；步骤三：设计偏置电路；选取一...
【专利技术属性】
技术研发人员：马凯学，张进，傅海鹏，王勇强，闫宁宁，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。