电磁屏蔽构件电路的优化方法和电磁屏蔽构件技术

本发明专利技术公开一种电磁屏蔽构件电路的优化方法和电磁屏蔽构件，其中电磁屏蔽构件电路的优化方法包括以下步骤：在待优化可透光基板的面积S上截取待优化导电层的截面，以获取截面积A；通过xA＝B以获得B，其中所述x大于等于0.5；以及根据所述B设计出优化导电层，所述B为在优化可透光基板的面积S上的相同位置截取优化导电层的截面的截面积。本发明专利技术的技术方案旨在面对相同的待设计的电磁屏蔽构件电路时，都能设计出相同的电磁屏蔽电路，该电磁屏蔽电路具有电磁波转换电流卸载效果，电磁屏蔽电路使线路不可视同时具有等效屏蔽功能。线路不可视同时具有等效屏蔽功能。线路不可视同时具有等效屏蔽功能。

【技术实现步骤摘要】
电磁屏蔽构件电路的优化方法和电磁屏蔽构件


[0001]本专利技术涉及电磁屏蔽
，特别涉及一种电磁屏蔽构件电路的优化方法和电磁屏蔽构件。

技术介绍

[0002]电磁屏蔽构件的技术日益成熟，然而对电磁屏蔽构件中导电层的优化还处于凭经验进行设计，可以理解，每个人的经验是不同的，如此，设计出的导电层各有不同，良莠不齐。

技术实现思路

[0003]本专利技术的主要目的是提供一种电磁屏蔽构件电路的优化方法，旨在面对相同的待优化导电层时，都能设计出相同的优化导电层。
[0004]为实现上述目的，本专利技术提出的电磁屏蔽构件电路的优化方法包括以下步骤：
[0005]在待优化可透光基板的面积S上截取待优化导电层的截面，以获取截面积A；
[0006]通过xA＝B以获得B，其中所述x大于或等于0.5；以及
[0007]根据所述B设计出优化导电层，所述B为在优化可透光基板的面积S上的相同位置截取优化导电层的截面的截面积。
[0008]可选地，所述x的范围为大于或等于0.5，且小于或等于3。
[000本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种电磁屏蔽构件电路的优化方法，其特征在于，包括以下步骤：在待优化可透光基板的面积S上截取待优化导电层的截面，以获取截面积A；通过xA＝B以获得B，其中所述x大于或等于0.5；以及根据所述B设计出优化导电层，所述B为在优化可透光基板的面积S上的相同位置截取优化导电层的截面的截面积。2.如权利要求1所述的电磁屏蔽构件电路的优化方法，其特征在于，所述x的范围为大于或等于0.5，且小于或等于3。3.如权利要求1所述的电磁屏蔽构件电路的优化方法，其特征在于，所述根据所述B设计出优化导电层的步骤之后包括：通过xA＝B1+B2+B3...+B
n
设计优化导电层，以使所述优化导电层呈网格状，其中所述B包括B1、B2、B3...B
n
，B1、B2、B3...B
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为在所述优化可透光基板的面积S上的相同位置截取所述优化导电层的截面的截面积。4.如权利要求3所述的电磁屏蔽构件电路的优化方法，其特征在于，所述通过xA＝B1+B2+B3...+B
n
设计优化导电层的步骤之后包括：将所述优化导电层的第一网孔的孔口设计成多边形。5.如权利要求4所述的电磁屏蔽构件电路的优化方法，其特征在于，所述将所述优化导电层的第一网孔的孔口设计成多边...

【专利技术属性】
技术研发人员：苏伟，韦士彩，叶宗和，胡守荣，
申请(专利权)人：深圳市志凌伟业光电有限公司，
类型：发明
国别省市：