【技术实现步骤摘要】
处理集成电路版图的方法、设备和计算机可读存储介质
[0001]本公开的实施例主要涉及集成电路领域,并且更具体地,涉及用于处理集成电路版图的方法、设备和计算机可读存储介质。
技术介绍
[0002]随着半导体制造程序继续进步,功能组件的尺寸不断地缩减。在当前先进技术下,光刻装置使用来自深紫外线(DUV)照明源的UV辐射而将设计布局投影至基板上,从而产生尺寸符合要求的个别功能组件。随着目标图案的临界尺寸日益减小,在晶片上再现目标图案变得愈发困难。
[0003]双重曝光技术(DPT)或多重曝光技术(MPT)允许将给定目标图案的特征分离到两个不同的掩模中、并接着独立成像来形成所需的图案,以使得在每个掩模中,最小设计节距能够足够大,以允许继续使用相应的照明源的辐射。对DPT或MPT而言,集成电路版图上的各个几何图形的几何图形信息是很重要的参数,这些几何图形信息包括每个几何图形的位置、尺寸以及各个几何图形之间的相对位置关系。要获知这些参数需要占用大量的计算资源。如何提升计算的速率,是设计者亟待解决的技术问题。
技术实现思路
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【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种处理集成电路版图的方法,包括:将包括多个几何图形的第一版图拆分成多个块,所述多个块沿所述第一版图的第一方向并排设置并且在第二方向上贯穿所述第一版图,所述第二方向垂直于所述第一方向;分别确定所述多个块中的每个块的几何图形信息,所述几何图形信息至少指示个体几何图形的位置、形状以及不同几何图形之间的相对位置;以及基于所述几何图形信息,将所述多个块合并成与所述第一版图相对应的第二版图。2.根据权利要求1所述的方法,其中确定所述几何图形信息包括:确定第一几何图形和第二几何图形之间的相对位置的第一图形表示,所述第一几何图形和所述第二几何图形位于所述多个块中的第一块中;确定第三几何图形和第四几何图形之间的相对位置的第二图形表示,所述第三几何图形和所述第四几何图形位于所述第一块中;以及如果确定所述第一图形表示与所述第二图形表示匹配,将所述第一几何图形和所述第二几何图形之间的相对位置信息确定为所述第三几何图形和所述第四几何图形之间的相对位置信息,并将所述相对位置信息作为所述几何图形信息的一部分。3.根据权利要求2所述的方法,其中确定所述第一图形表示包括:基于所述第一几何图形的一个点以及所述第二几何图形的一条边,确定第一三角形作为所述第一图形表示;以及其中确定所述第二图形表示包括:基于所述第三几何图形的一个点以及所述第四几何图形的一条边,确定第二三角形作为所述第二图形表示。4.根据权利要求1所述的方法,其中所述多个块中的每个块包括:主区域,位于所述块的中心;第一辅助区域,位于所述块的第一边缘;以及第二辅助区域,位于所述块的第二边缘,所述第一边缘与所述第二边缘沿所述第一方向相对。5.根据权利要求4所述的方法,其中基于所述几何图形信息将所述多个块合并成所述第二版图包括:基于所述多个块中的第二块的所述几何图形信息,确定第五几何图形的第一...
【专利技术属性】
技术研发人员:ꢀ七四专利代理机构,
申请(专利权)人:全芯智造技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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