【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电子发射元件以及电子显微镜
[0001]本专利技术涉及一种用于发射电子的电子发射元件以及使用该电子发射元件的电子显微镜。
技术介绍
[0002]以往,作为将电子从原子发射到外部的电子发射元件(也称为“电子源”),已知冷阴极型电子源和热阴极型电子源。冷阴极型电子源通过在阴极与阳极间施加高电压,向电子提供从阴极飞出的能量。关于冷阴极型电子源的技术例如在平面型显示器装置、照明、氢发生装置等领域中正在进行开发。
[0003]再者,作为用于电子显微镜的电子发射元件,如下的电子源等被实用化:提高温度而取出固体中的电子的热电子源、通过场致发射从顶端尖锐的钨针取出电子的场致发射电子源、在钨针的顶端吸附有氧化锆的结构的肖特基电子源。作为决定作为电子显微镜的性能之一的分辨率(resolving power)的一个要素,有色像差。色像差主要由从电子源发射的电子的能量散度ΔE决定。ΔE由电子源的电子发射机理决定,因此在各种方式的电子源中已大致确定范围。热传电子源的工作温度为1900~2800K,能量散度为2~4eV。场致发射电子源的工作温度 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种电子发射元件,其特征在于,所述电子发射元件具备:第一电极、由绝缘膜构成的电子加速层以及第二电极依次层叠而成的层叠结构,所述第二电极为供电子透过、从表面发射电子的电极,发射出的电子的能量散度为100meV以上且600meV以下。2.根据权利要求1所述的电子发射元件,其特征在于,所述第二电极为1层以上且20层以下的石墨烯。3.根据权利要求1或2所述的电子发射元件,其特征在于,所述绝缘膜为六方晶系的氮化...
【专利技术属性】
技术研发人员:村上胜久,长尾昌善,
申请(专利权)人:国立研究开发法人产业技术综合研究所,
类型:发明
国别省市:
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