一种真空灭弧室及其灭弧触头制造技术

本发明专利技术涉及一种真空灭弧室及其灭弧触头。灭弧触头包括导电杆、触头片、纵磁导体；纵磁导体设置多个，纵磁导体在导电杆的轴向上沿触头片周向旋转延伸，各纵磁导体沿触头片周向间隔布置并且各纵磁导体旋向一致；纵磁导体具有用于与触头片周向相邻的纵磁导体沿导电杆轴向压紧接触的导体接触段；灭弧触头上相邻的导体接触段在通流时接触，缩短了通流路径，减小了通流电阻，提高了通流能力，而在开断时，纵磁导体复位，相邻纵磁导体之间间隔阻止通流，通流路径被限制在纵磁导体的延伸路径上，由于纵磁导体旋转延伸，此时灭弧触头能够保证纵向磁场强度。本发明专利技术灭弧触头通过改变电流路径的方式，保证了纵向磁场强度，同时提高了通流能力。同时提高了通流能力。同时提高了通流能力。

【技术实现步骤摘要】
一种真空灭弧室及其灭弧触头


[0001]本专利技术涉及一种真空灭弧室及其灭弧触头。

技术介绍

[0002]真空断路器目前普遍应用于中低压领域的交流电网开断中，具有可靠性高、免维护、开断能力强等特点。其中真空灭弧室则是关系真空断路器能否成功开断故障电流的核心器件。
[0003]在真空灭弧室动静触头开断过程中产生燃弧，燃弧过程中的金属蒸汽燃烧形成电弧，大电流下电弧的收缩会降低真空灭弧室内部的弧后绝缘介质恢复强度，不利于真空断路器开断。目前提高电弧控制的方式普遍采用纵向磁场控制技术，真空电弧在纵向磁场的作用下可以维持在扩散态，减轻电弧对触头的烧蚀，但是在纵向磁场强度与触头的额定通流能力之间存在矛盾问题，纵向磁场强度较大时，触头的电流路径较长，电阻较大，通流能力较差，而通流路径较短时，通流能力较强，但纵向磁场强度较小。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种灭弧触头，用于在保证纵向磁场强度的前提下提高通流能力；另外，本专利技术的目的还在于提供一种真空灭弧室，用于提高真空灭弧室的通流能力。/>[0005]本专本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.灭弧触头，其特征在于，包括：导电杆（3）；触头片（4），用于与适配的触头导电接触；纵磁导体（5），用于导通导电杆（3）和触头片（4）；纵磁导体（5）设置多个，纵磁导体（5）在导电杆（3）的轴向上沿触头片（4）周向旋转延伸，各纵磁导体（5）沿触头片（4）周向间隔布置并且各纵磁导体（5）旋向一致；纵磁导体（5）具有用于与触头片（4）周向相邻的纵磁导体（5）沿导电杆（3）轴向压紧接触的导体接触段（51）；沿触头片（4）周向相邻的纵磁导体（5）满足：在灭弧触头与适配的触头通流时，一个纵磁导体（5）上的至少一个导体接触段（51）与另一个纵磁导体（5）上的导体接触段（51）在导电杆（3）轴向上压紧接触导通；在灭弧触头与适配的触头开断时，纵磁导体（5）复位，在灭弧触头与适配的触头通流时相接触的导体接触段（51）此时在导电杆（3）轴向上间隔设置。2.根据权利要求1所述的灭弧触头，其特征在于，所述灭弧触头包括弹性件（6），纵磁导体（5）依靠弹性件（6）复位，在灭弧触头与适配的触头通流时弹性件（6）被压缩。3.根据权利要求2所述的灭弧触头，其特征在于，所述弹性件（6）为沿导电杆（3）轴向延伸的弹簧。4.根据权利要求2所述的灭弧触头，其特征在于，各纵磁导体（5）上的导体接触段（51）分为至少两组，同一组导体接触段（51）满足：各导体接触段（51）在导电杆（3）轴向上布置且相邻的导体接触段（51）在灭弧触头与适配触头通流时压紧接触，至少一组导体接触段（51）中的各导体接触段（51）...

【专利技术属性】
技术研发人员：谭盛武，李启明，毕迎华，闫静，李旭旭，耿英三，赵晓民，杨帆，刘庆，孙广雷，马朝阳，李永林，龚炳正，胡锦汐，何创伟，王铭飞，李潇，刘先保，张航，
申请(专利权)人：西安交通大学，
类型：发明
国别省市：