具备倒装结构的垂直腔面发射激光器、垂直腔面发射激光器阵列制造技术

本实用新型专利技术提供一种具备倒装结构的垂直腔面发射激光器、垂直腔面发射激光器阵列，所述V C S E L包括衬底、设置于所述衬底之上的第一镜层、设置于所述第一镜层之上的活化层和设置于所述活化层之上的第二镜层，所述第二镜层之上设置钼金属层，所述第二镜层与所述钼金属层之间设置有上电极层，所述衬底与所述第一镜层之间设置有蚀刻制止层，所述蚀刻制止层材质不同于所述衬底材质，所述衬底设置光窗用于光线射出，且所述衬底的非光窗区域设置底部电极。所述V C S E L阵列包括至少2个所述V C S E L。本实用新型专利技术金属散热层制备简单，且适宜制作高功率阵列V C S E L芯片。L芯片。L芯片。

【技术实现步骤摘要】
具备倒装结构的垂直腔面发射激光器、垂直腔面发射激光器阵列


[0001]本技术涉及半导体领域，具体涉及具备倒装结构的VCSEL、 VCSEL阵列。

技术介绍

[0002]VCSEL是英文Vertical Cavity Surface Emitting Laser的简称，中文名称为垂直腔面发射激光器，又称垂直共振腔表面放射激光或者面射型激光。VCSEL的基本结构主要包括四部分，分别为衬底、设置于所述衬底之上的第一镜层、设置于所述第一镜层之上的活化层、和设置于所述活化层之上的第二镜层。
[0003]图1显示了VCSEL制作的主流工艺流程，第(1)步进行晶片外延生长，即在衬底100上外延生长第一镜层110，在第一镜层110上生长活化层120，在活化层120上生长第二镜层130；第(2)步进行刻蚀形成平台；第(3)步进行氧化，形成氧化限制层140；第(4)步在第二镜层 130上沉积形成第一电极150；第(5)步在第一镜层110上沉积形成第二电极160。当前高功率阵列VCSEL芯片的制作是一个主流方向，高功率阵列芯片的散热问题是必须解决的一个关键问本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.具备倒装结构的垂直腔面发射激光器，包括衬底、设置于所述衬底之上的第一镜层、设置于所述第一镜层之上的活化层和设置于所述活化层之上的第二镜层，其特征在于，所述第二镜层之上设置钼金属层，所述第二镜层与所述钼金属层之间设置有上电极层，所述衬底与所述第一镜层之间设置有蚀刻制止层，所述蚀刻制止层材质不同于所述衬底材质，所述衬底设置光窗用于光线射出，且所述衬底的非光窗区域设置底部电极。2.如权利要求1所述的具备倒装结构的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述钼金属层厚度为50～250微米。3.如权利要求2所述的具备倒装结构的垂直腔面发射激光器，其特征在于，所述第二镜层、所述活化层及靠近所述活化层的部分所述第一镜层设置载流子限制区。4.如权利要求3所述的具备倒装结构的垂直腔面发射激光器，...

【专利技术属性】
技术研发人员：方照诒，郭浩中，潘德烈，
申请(专利权)人：北京金太光芯科技有限公司，
类型：新型
国别省市：