【技术实现步骤摘要】
可变激发光源入射角度的PL波长的量测方法及装置
本专利技术涉及半导体器件
,具体涉及一种针对VCSEL激光器输出波长的可变激发光源入射角度的PL波长量测方法及量测装置。
技术介绍
光致发光光谱(PhotoluminescenceSpectroscopy,简称PL谱)是指物质在光的激励下,电子从价带跃迁至导带并在价带留下空穴,电子和空穴在各自的导带和价带中通过弛豫达到各自未被占据的最低激发态,成为准平衡态,准平衡态下的电子和空穴再通过复合发光,形成不同波长光的强度或能量分布的光谱图。在激发光能量不是非常大的情况下,PL光致发光光谱量测可以快速、便捷地表征半导体材料的缺陷、杂质以及材料的发光性能。PL光致发光光谱量测通常可用紫外、可见或红外辐射激发半导体材料中的电子发光,通过对其光谱的量测,分析研究材料特性,改进其缺陷,提高半导体器件性能的可靠性。现有技术中,公告号为CN103913439B的中国专利技术专利提供了一种光致发光光谱测试装置及方法,所述装置包括具有步进扫描功能的傅立叶变换红外光谱仪、作为激发光源的泵浦光系统、 ...
【技术保护点】
1.一种可变激发光源入射角度的PL波长的量测方法,所述激发光源进入PL量测系统,对VCSEL的不同发光波长进行PL量测,其特征在于,增设可改变激发光源入射角度及光致发光的收光镜组的位置及角度调整机构,所述位置及角度调整机构包括分光仪或PL收光镜头,分光仪或PL收光镜头可调收光镜头轨道轨迹,实现可变激发光源入射角度的VCSEL不同发光波长PL量测。/n
【技术特征摘要】
1.一种可变激发光源入射角度的PL波长的量测方法,所述激发光源进入PL量测系统,对VCSEL的不同发光波长进行PL量测,其特征在于,增设可改变激发光源入射角度及光致发光的收光镜组的位置及角度调整机构,所述位置及角度调整机构包括分光仪或PL收光镜头,分光仪或PL收光镜头可调收光镜头轨道轨迹,实现可变激发光源入射角度的VCSEL不同发光波长PL量测。
2.如权利要求1所述的可变激发光源入射角度的PL波长的量测方法,其特征在于,所述位置及角度调整机构启动,伺服马达带动旋转载盘运行,激发光源在其旋转载盘内VCSEL全结构外延片MQW层的落点沿半径移动,随着激发光源入射角度的改变,获得整片VCSEL全结构外延片MQW层的激发光源波长分布状态。
3.如权利要求2所述的可变激发光源入射角度的PL波长的量测方法,其特征在于,所述位置及角度调整机构设有可正向旋转或可逆向旋转的激发光源角度调整旋转轴、可高低调整的高度平移螺杆和可远近调整的远近平移螺杆,三者装配连接并与PL量测系统的控制器相连接,激发光源通过旋转轴的正向旋转或逆向旋转,和/或螺杆的高或低平移,和/或螺杆的远或近平移,实现入射方向的多角度调整。
4.如权利要求3所述的可变激发光源入射角度的PL波长的量测方法,其特征在于,以X、
Y、为坐标,实现激发光源测量点径向轨迹扫描,以及分光仪或PL收光镜头可调收光镜头
轨道轨迹扫描。
5.一种可变激发光源入射角度的PL波长的量测装置,采用如权利要求1至4中任一项所述的可变激发光...
【专利技术属性】
技术研发人员:方照诒,潘德烈,
申请(专利权)人:北京金太光芯科技有限公司,
类型:发明
国别省市:北京;11
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