一种低表面粗糙度透明电极的制作方法技术

本发明专利技术提供一种低表面粗糙度透明电极的制作方法，具体是一种采用丝网印刷技术制备大面积、低成本、图案化透明电极的方法，重点是解决丝网印刷图案粗糙度较高的问题，通过在基底上先涂覆一层平滑的导电材料，然后进行丝网印刷导电图案，最后再涂覆一层表面活性剂改性的复合导电材料并进行薄膜转印来得到低表面粗糙度的透明电极。本方法制备的透明电极在剥离后保持了原基底的光滑表面，具有极低的表面粗糙度，并显著提高了薄膜的转印成功率，可直接应用于各种光电器件，如太阳能电池、发光二极管、平板显示、以及电子传感器等。以及电子传感器等。以及电子传感器等。

【技术实现步骤摘要】
一种低表面粗糙度透明电极的制作方法


[0001]本专利技术涉及一种低表面粗糙度透明电极的制作方法，属于新一代信息技术产业领域。

技术介绍

[0002]随着太阳能电池、发光二极管、平板显示、以及电子传感器等领域的快速发展，要求所使用的透明电极具备低成本、高电导率、高透光率、低表面粗糙度等性能。丝网印刷技术在低成本、大面积、图案化薄膜的制备方面展示出巨大的优势，现有技术中透明电极的图案化的金属纳米结构的制备方法是直接在基底材料上通过丝网印刷形成图案化的金属纳米结构，如何降低丝网印刷图案的粗糙度仍是一个挑战性的难题，电极表面粗糙度对后续功能层的制备与最终的器件性能将产生很大影响，例如发光二极管的电极之上需进一步制备空穴传输层、发光层、电子传输层等，如电极表面粗糙度较高，会影响上层各功能层的制备质量，最终会降低发光效率，甚至会引起器件短路。因此，攻克这一难关对于高性能透明电极的制备具有重要的意义。

技术实现思路

[0003]技术问题：本专利技术目的在于提供一种低表面粗糙度透明电极的制作方法，以解决现有技术中的透明电极在制造成本、表面粗糙度、转印成功率上存在的不足，且本专利技术制作的透明电极在透光率、导电性能、大面积等性能上具有明显的优势，可同时满足太阳能电池、发光二极管、平板显示、以及电子传感器等光电器件对透明电极性能的要求。
[0004]技术方案：为实现上述目的，本专利技术提供的一种低表面粗糙度透明电极的制作方法，通过在基底上先涂覆一层平滑的导电材料，然后进行丝网印刷导电图案，最后再涂覆一层表面活性剂改性的复合导电材料并通过液态基底进行薄膜转印，来得到低表面粗糙度的透明电极，如图1所示，所述透明电极的制作具体步骤为：步骤S1：在表面光滑A基底1上通过刮涂或旋涂技术涂覆一层平滑的导电材料2，并进行烘干处理；步骤S2：采用丝网印刷油墨在所述导电材料2上层进一步印刷，所述印刷为丝网印刷，形成丝网印刷图案3，并进行烘干处理；步骤S3：在步骤S2处理后的所述丝网印刷图案3上层刮涂一层复合导电材料4，并进行烘干处理；步骤S4：将液态的B基底5材料涂覆到步骤S3处理后的所述复合导电材料4上层，使整个下层导电材料包括导电材料2、丝网印刷图案3、复合导电材料4全部嵌入到B基底5材料中，并采用真空除泡和加热固化过程使B基底5材料形成固态薄膜，此处采用液态的基底材料目的在于使整个下层导电材料全部嵌入到B基底材料中，便于后期透明电极的剥离；步骤S5：将B基底5连带步骤S1中所述导电材料2、步骤S2中丝网印刷图案3和步骤S3中复合导电材料4从A基底上剥离，即得到所述透明电极。
[0005]所述A基底优选为玻璃、聚对苯二甲酸乙二醇酯PET、聚酰亚胺PI或硅片中的任意一种。
[0006]所述B基底优选为聚二甲基硅氧烷PDMS或者氢化苯乙烯
‑
丁二烯嵌段共聚物SEBS中的任意一种。
[0007]步骤S1中，所述在A基底上涂覆的导电材料优选为银纳米线、铜纳米线、聚3，4
‑
乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐PEDOT:PSS、石墨烯中的任意一种。
[0008]所述丝网印刷油墨优选为银纳米线油墨、铜纳米线油墨、银纳米颗粒油墨、铜纳米颗粒油墨、聚3，4
‑
乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐PEDOT:PSS油墨、石墨烯油墨中的任意一种。
[0009]所述复合导电材料优选为银纳米线+聚3，4
‑
乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐PEDOT:PSS、银纳米线+石墨烯、铜纳米线+聚3，4
‑
乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐PEDOT:PSS、铜纳米线+石墨烯中的任意一种。
[0010]为了进一步提高转印效果，所述复合导电材料为经非离子表面活性剂改性的复合导电材料，所述非离子表面活性剂优选为长链脂肪醇聚氧乙烯醚、烷基酚聚氧乙烯醚、脂肪酸聚氧乙烯酯、聚氧乙烯烷基胺、聚氧乙烯烷基酰胺和聚醚类中的任意一种。
[0011]有益效果：本专利技术通过在丝网印刷之前先在基底上涂覆一层平滑的导电材料，然后再通过涂覆改性复合导电材料和转印技术将丝网印刷的图案转移到另一基底上，使所述导电材料与B基底之间的粘合力远远大于导电材料与A基底的粘合力，保证转印成功率，且本方法制备的透明电极在剥离原A基底后保持了与A基底接触面的原始光滑表面，具有极低的表面粗糙度，从而提高了透明电极的性能；此外，在本专利技术制备的所述透明电极的光滑表面涂覆其他功能层以构成光电器件如太阳能电池、发光二极管、平板显示、以及电子传感器等，将提高光电器件的整体制备质量，从而提高光电器件的性能。
[0012]综上，本专利技术制备的透明电极具备极低的表面粗糙度、成本低廉，光电性能优异，满足各种光电器件，如太阳能电池、发光二极管、平板显示、以及电子传感器等，对高性能透明电极的要求，具有重要的产业化优势。
附图说明
[0013]图1为本专利技术所述透明电极的制备流程示意图；图2为实施例1所述制备方法获得的透明电极照片；图3为实施例1所述制备方法获得的透明电极在光学显微镜下的照片。
[0014]其中：1
‑
A基底；2
‑
导电材料；3
‑
丝网印刷图案；4
‑
复合导电材料；5
‑
B基底。
具体实施方式
[0015]下面结合附图及具体实施例对本专利技术作更进一步的说明，但本专利技术并不限于以下实施例，下述方法中如无特别说明，所述方法均为常规方法。
[0016]实施例1：1）在PET基底上通过刮涂技术涂覆一层平滑的银纳米线薄膜，厚度为0.3μm，并在120
°
进行烘干处理；2）通过丝网印刷技术在银纳米线薄膜上层印刷制备银纳米线网格，网
格边长为3.5mm，网格厚度为1μm，并在120
°
进行烘干处理；3）在银纳米线网格上层刮涂一层银纳米线+聚3，4
‑
乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐PEDOT:PSS+非离子表面活性剂长链脂肪醇聚氧乙烯醚的复合导电材料，厚度为0.2μm，其中，银纳米线与PEDOT:PSS的质量比为0.4:1，并在120
°
进行烘干处理；4）将液态的PDMS均匀涂覆到复合导电材料上层，并经过真空除泡和加热固化过程使PDMS形成固态薄膜；5）将PDMS基底从PET基底上剥离，得到透明导电电极。
[0017]通过这一方法制备的银纳米线透明电极具有很低的表面粗糙度2.7nm，薄膜方阻低至18Ω sq
‑1，透光率高达91%。丝网印刷透明电极在转印后的照片如图2所示，丝网印刷透明电极在转印后的光学显微镜照片如图3所示。
[0018]实施例2：1）在PET基底上通过刮涂技术涂覆一层平滑的银纳米线薄膜，厚度为0.3μm，并在120
°
进行烘干处理；2）通过丝网印刷技术在银纳米线薄膜上层印刷制备银纳米线网格，网格边长为3mm，网格厚度为1μm，并在120
°
进行烘干处理；3）在银纳米线网本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种低表面粗糙度透明电极的制作方法，其特征在于，所述制作方法具体步骤为：步骤S1：在表面光滑的A基底上涂覆一层平滑的导电材料，并进行烘干处理；步骤S2：采用丝网印刷油墨在步骤S1所述导电材料上层进一步印刷，所述印刷为丝网印刷，形成丝网印刷图案，并进行烘干处理；步骤S3：在步骤S2处理后的所述丝网印刷图案上层刮涂一层复合导电材料，并进行烘干处理；步骤S4：将液态的B基底材料涂覆到步骤S3处理后的所述复合导电材料上层，使步骤S1中所述的导电材料、步骤S2中所述的丝网印刷图案、步骤S3中所述复合导电材料全部嵌入到B基底材料中，并采用真空除泡和加热固化过程使B基底材料形成固态薄膜；步骤S5：将B基底连带步骤S1中所述导电材料、步骤S2中所述丝网印刷图案和步骤S3中所述复合导电材料从A基底上剥离，即得到所述透明电极。2.根据权利要求1所述的一种低表面粗糙度透明电极的制作方法，其特征在于，所述A基底是玻璃、聚对苯二甲酸乙二醇酯PET、聚酰亚胺PI或硅片中的任意一种。3.根据权利要求1所述的一种低表面粗糙度透明电极的制作方法，其特征在于，所述B基底是聚二甲基硅氧烷PDMS或者氢化苯乙烯
‑
丁二烯嵌段共聚物SEBS中的任意一种。4.根据权利要求1所述的一种低表面粗糙度透明电极的制作方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：李东东，
申请(专利权)人：南京邮电大学，
类型：发明
国别省市：