芳胺类化合物、电致发光器件和显示装置制造方法及图纸

一种芳胺类化合物、电致发光器件和显示装置，所述芳胺类化合物的结构通式为式I；其中，各个基团和取代基的含义与说明书中相同。本公开实施例的芳胺类化合物的极化率高，增大了折射率，可以作为光取出材料，提高器件的发光效率；而且，本公开实施例提供的芳胺类化合物的热稳定性好，可以保证采用蒸镀工艺形成光取出层的稳定性，延长器件的使用寿命；此外，本公开实施例提供的芳胺类化合物作为光取出材料可以有效保护器件免遭紫外光对内部器件的损伤。以有效保护器件免遭紫外光对内部器件的损伤。以有效保护器件免遭紫外光对内部器件的损伤。以有效保护器件免遭紫外光对内部器件的损伤。

【技术实现步骤摘要】
芳胺类化合物、电致发光器件和显示装置


[0001]本公开实施例涉及但不限于显示
，尤其涉及一种芳胺类化合物、电致发光器件和显示装置。

技术介绍

[0002]近年来，有机电致发光器件(Organic Light Emitting Device，OLED)作为一种新型的平板显示逐渐受到更多的关注。由于其具有主动发光、发光亮度高、分辨率高、宽视角、响应速度快、低能耗以及可柔性化等特点，成为目前市场上炙手可热的主流显示产品。随着产品不断的发展，客户对于产品的分辨率要求越来越高，功耗要求数值越来越低。因此需要开发高效率、低电压、长寿命的器件。
[0003]根据出光的方向不同，OLED器件可以分为底发射OLED器件和顶发射OLED器件。在底发射器件中，光线从基板发出，反射电极在有机发光层上面，透明电极在有机发光层下。底发射OLED器件中的薄膜晶体管部分不能透过光线，导致发光面积变小。在顶发射器件中，透明电极在有机发光层上，反射电极在有机发光层下，所以光线从基板相反的方向射出，从而增加了光线透过面积。因此目前的OLED器件以顶发射器件为主。为了提高顶发射OLED器件的发光效率，简单有效的方法是在透明电极上形成光取出层(又叫覆盖层，Capping Layer,CPL)作为功能层，以提高器件的光耦合效率。设置有光取出层的发光器件可以改善出光模式，使原本被限制在器件内部的光线能够射出器件，表现出更高的光取出效率。
[0004]OLED器件中的光取出层为一层折射率较高的有机或无机透明材料。光取出层材料的折射率越高，取光效果越明显，器件的性能优化也更好；而且在紫外区的吸收增加，也可以保护器件免遭紫外光对内部器件的损伤。然而，目前的光取出层材料在可见光范围的折射率较低，导致光取出效率较低，对提高OLED器件发光效率的作用有限；而且对紫外光的吸收较小，导致不能有效保护器件免受紫外光损伤。

技术实现思路

[0005]以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制本申请的保护范围。
[0006]本公开实施例提供一种芳胺类化合物，所述芳胺类化合物的结构通式为：
[0007][0008]其中，X为C(H)R2、O、N(H)、NR3、S中的任意一种；
[0009]Y为O、N(H)、NR4、S中的任意一种；
[0010]R1、R2、R3、R4各自独立地为氢、重氢、卤素、硝基、腈基、取代或未取代的C1至C30的烷基、取代或未取代的C2至C30的烯基、取代或未取代的C1至C30的烷氧基、取代或未取代的C1至C30的硫醚基、取代或未取代的C6至C50的芳基、取代或未取代的C2至C50的杂芳基中的任意一种；这里，取代的C1至C30的烷基、取代的C2至C30的烯基、取代的C1至C30的烷氧基、取代的C1至C30的硫醚基、取代的C6至C50的芳基、取代的C2至C50的杂芳基是指被一个或多个如下基团所取代：重氢、卤素、硝基、腈基、C1至C30的烷基、C2至C30的烯基、C1至C30的烷氧基、C1至C30的硫醚基、C6至C50的芳基和C2至C50的杂芳基；
[0011]Ar为取代基R5取代的C6至C60的芳基或取代基R6取代的C6至C60的杂芳基；这里，所述取代基R5、R6各自独立地为未取代的C6至C60的芳基、取代基R7取代的C6至C60的芳基、未取代的C6至C60的杂芳基和取代基R8取代的C6至C60的杂芳基中的任意一个或多个；这里，所述取代基R7、R8各自独立地为C6至C60的芳基中的任意一个或多个；
[0012]L1为单键、取代或未取代的C6至C50的亚芳基、取代或未取代的C2至C50的亚杂芳基中的任意一种，这里，取代的C6至C50的亚芳基、取代的C2至C50的亚杂芳基是指被一个或多个如下基团所取代：重氢、卤素、硝基、腈基、C6至C50的芳基、C2至C50的杂芳基。
[0013]在示例性实施例中，在通式I中，Ar可以为下述基团中的任意一种：
[0014][0015]在示例性实施例中，在通式I中，X可以为O、S、
‑
C(H)R2、NR3中的任意一种，R2为氢、苯基中的任意一种，R3为苯基、联苯基中的任意一种。
[0016]在示例性实施例中，在通式I中，Y可以为O、
‑
NR4、S中的任意一种，R4为苯基。
[0017]在示例性实施例中，在通式I中，R1可以为氢。
[0018]在示例性实施例中，在通式I中，L1可以为亚苯基、亚萘基中的任意一种。
[0019]在示例性实施例中，所述芳胺类化合物可以为下述化合物中的任意一种：
[0020][0021][0022][0023][0024][0025][0026]在示例性实施例中，
[0027]所述芳胺类化合物在460nm波长处的折射率可以在2.18至2.35范围内；
[0028]所述芳胺类化合物在530nm波长处的折射率可以在1.98至2.1范围内；
[0029]所述芳胺类化合物在620nm波长处的折射率可以在1.91至2.04范围内。
[0030]在示例性实施例中，所述芳胺类化合物在400nm波长处的吸光系数可以在0.841以上，在450nm波长及大于450nm波长处的吸光系数为零。
[0031]本公开实施例还提供了一种电致发光器件，所述电致发光器件包括光取出层，所述光取出层的材料包括如上所述的芳胺类化合物。
[0032]在示例性实施例中，所述电致发光器件还可以包括：阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极。
[0033]在示例性实施例中，所述空穴注入层的材料可以包括过渡金属氧化物；或者
[0034]所述空穴注入层的材料包括空穴传输材料和p型掺杂剂。
[0035]在示例性实施例中，所述过渡金属氧化物可以包括钼氧化物、钛氧化物、钒氧化物、铼氧化物、钌氧化物、铬氧化物、锆氧化物、铪氧化物、钽氧化物、银氧化物、钨氧化物、锰氧化物中的任意一种或多种。
[0036]在示例性实施例中，所述p型掺杂剂可以包括2,3,6,7,10,11
‑
六氰基
‑
1,4,5,8,9,12
‑
六氮杂苯并菲、2,3,5,6
‑
四氟
‑
7,7
’
,8,8
’‑
四氰基对苯醌、1,2,3
‑
三[(氰基)(4
‑
氰基
‑
2,3,5,6
‑
四氟苯基)亚甲基]环丙烷中的任意一种或多种；
[0037]所述空穴传输材料可以包括芳胺类空穴传输材料、二甲基芴类空穴传输材料、咔唑类空穴传输材料中的任意一种或多种。
[0038]在示例性实施例中，所述空穴传输层的材料可以包括芳胺类空穴传输材料、二甲基芴类空穴传输材料、咔唑类空穴传输材料中的任意一种或多种。
[0039]在示例性实施例中，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芳胺类化合物，其特征在于，所述芳胺类化合物的结构通式为：其中，X为C(H)R2、O、N(H)、NR3、S中的任意一种；Y为O、N(H)、NR4、S中的任意一种；R1、R2、R3、R4各自独立地为氢、重氢、卤素、硝基、腈基、取代或未取代的C1至C30的烷基、取代或未取代的C2至C30的烯基、取代或未取代的C1至C30的烷氧基、取代或未取代的C1至C30的硫醚基、取代或未取代的C6至C50的芳基、取代或未取代的C2至C50的杂芳基中的任意一种；这里，取代的C1至C30的烷基、取代的C2至C30的烯基、取代的C1至C30的烷氧基、取代的C1至C30的硫醚基、取代的C6至C50的芳基、取代的C2至C50的杂芳基是指被一个或多个如下基团所取代：重氢、卤素、硝基、腈基、C1至C30的烷基、C2至C30的烯基、C1至C30的烷氧基、C1至C30的硫醚基、C6至C50的芳基和C2至C50的杂芳基；Ar为取代基R5取代的C6至C60的芳基或取代基R6取代的C6至C60的杂芳基；这里，所述取代基R5、R6各自独立地为未取代的C6至C60的芳基、取代基R7取代的C6至C60的芳基、未取代的C6至C60的杂芳基和取代基R8取代的C6至C60的杂芳基中的任意一个或多个；这里，所述取代基R7、R8各自独立地为C6至C60的芳基中的任意一个或多个；L1为单键、取代或未取代的C6至C50的亚芳基、取代或未取代的C2至C50的亚杂芳基中的任意一种，这里，取代的C6至C50的亚芳基、取代的C2至C50的亚杂芳基是指被一个或多个如下基团所取代：重氢、卤素、硝基、腈基、C6至C50的芳基、C2至C50的杂芳基。2.根据权利要求1所述的芳胺类化合物，其特征在于，Ar为下述基团中的任意一种：3.根据权利要求1所述的芳胺类化合物，其特征在于，X为O、S、
‑
C(H)R2、NR3中的任意一种，R2为氢、苯基中的任意一种，R3为苯基、联苯基中的任意一种。4.根据权利要求1所述的芳胺类化合物，其特征在于，Y为O、
‑
NR4、S中的任意一种，R4为苯基。
5.根据权利要求1所述的芳胺类化合物，其特征在于，R1为氢。6.根据权利要求1所述的芳胺类化合物，其特征在于，L1为亚苯基、亚萘基中的任意一种。7.根据权利要求1所述的芳胺类化合物，其特征在于，所述芳胺类化合物为下述化合物中的任意一种：
8.根据权利要求1至7中任一项所述的芳胺类化合物，其特征在于，所述芳胺类化合物在460nm波长处的折射率在2.18至2.35范围内；所述芳胺类化合物在530nm波长处的折射率在1.98至2.1范围内；所述芳胺类化合物在620nm波长处的折射率在1.91至2.04范围内。9.根据权利要求1至7中任一项所述的芳胺类化合物，其特征在于，所述芳胺类化合物在400nm波长处的吸光系数在0.841以上，在450nm波长及大于450nm波长处的吸光系数为零。10.一种电致发光器件，其特征在于，包括光取出层，所述光取出层的材料包括根据权利要求1至9中任一项所述的芳胺类化合物。11.根据权利要求10所述的电致发光器件，其特征在于，还包括：阳极、空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层和阴极。
12.根据权利要求11所述的电致发光器件，其特征在于，所述空穴注入层的材料包括过渡金属氧化物；或者所述空穴注入层的材料包括空穴传...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈磊，梁丙炎，陈雪芹，张东旭，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：