四分裂导线电流检测方法、装置、计算机设备和存储介质制造方法及图纸

本申请涉及一种四分裂导线电流检测方法、装置、计算机设备和存储介质。方法包括：分别获取一个双轴TMR芯片和三个单轴TMR芯片的第一类磁感应强度的测量值；获取双轴TMR芯片的第二类磁感应强度的测量值；获取第一夹角的取值范围和选值间隔，确定第一夹角的预取值集合；确定第一夹角取不同预取值时，对应四分裂导线中每根导线上的电流预测值；根据电流预测值，确定第一夹角取不同预取值时，对应的第二类磁感应强度的计算值；将第二类磁感应强度的计算值与第二类磁感应强度的测量值进行对比，确定第一夹角的最优值；根据第一夹角的最优值，确定四分裂导线中每根导线上的电流目标值。采用本方法能够提高四分裂导线电流测量的精度。本方法能够提高四分裂导线电流测量的精度。本方法能够提高四分裂导线电流测量的精度。

【技术实现步骤摘要】
四分裂导线电流检测方法、装置、计算机设备和存储介质


[0001]本申请涉及电流检测的
，特别是涉及一种四分裂导线电流检测方法、装置、计算机设备和存储介质。

技术介绍

[0002]随着电力系统高压输电技术的发展，出现了分裂导线的架设输电方式，分裂导线的架设输电方式可以抑制电晕放电和减少线路电抗。在分裂导线进行输电过程中，导线上电流值的检测就显得尤为重要。
[0003]目前，电力系统的电流测量主要依靠基于电磁耦合原理的电流互感器。然而，基于电磁耦合原理的电流互感器需要防止互感器内铁芯饱和，存在测量精度低的问题。

技术实现思路

[0004]基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够提高测量精度的四分裂导线电流检测方法、装置、计算机设备和存储介质。
[0005]一种四分裂导线电流检测方法，所述方法包括：
[0006]分别获取一个双轴隧道磁电阻芯片和三个单轴隧道磁电阻芯片的第一类磁感应强度的测量值；其中，所述双轴隧道磁电阻芯片和三个所述单轴隧道磁电阻芯片均匀分布在一个圆环的边界上；第一类磁感应的磁敏感方向与相应隧道磁电阻芯片所在位置处的圆环半径相垂直；
[0007]获取所述双轴隧道磁电阻芯片的第二类磁感应强度的测量值；其中，所述第二类磁感应的磁敏感方向与所述双轴隧道磁电阻芯片所在位置处的圆环半径相平行；
[0008]获取所述圆环的半径和四分裂导线中两相邻导线之间的距离；其中，所述四分裂导线中的第一导线位于所述圆环的内部，第二导线、第三导线和第四导线与所述第一导线分别位于同一个矩形的四个顶点处；
[0009]获取第一夹角的取值范围和选值间隔，确定所述第一夹角的预取值集合；所述第一夹角为所述双轴隧道磁电阻芯片位置处圆环半径所在的直线与所述第一导线和所述第四导线连线所在直线的夹角；
[0010]将所述第一类磁感应强度的测量值、所述圆环的半径、所述四分裂导线中两相邻导线之间的距离和所述第一夹角四种参数进行线性变换，确定所述第一夹角取不同预取值时，对应的四分裂导线中每根导线上的电流预测值；
[0011]根据所述电流预测值，确定所述第一夹角取不同预取值时，对应的第二类磁感应强度的计算值；
[0012]将所述第一夹角取不同预取值时对应的第二类磁感应强度的计算值，分别与所述第二类磁感应强度的测量值进行对比，确定第一夹角的最优值；
[0013]根据所述第一夹角的最优值，确定所述四分裂导线中每根导线上的电流目标值。
[0014]一种四分裂导线电流装置，所述装置包括：
[0015]获取模块，用于分别获取一个双轴隧道磁电阻芯片和三个单轴隧道磁电阻芯片的第一类磁感应强度的测量值；其中，所述双轴隧道磁电阻芯片和三个所述单轴隧道磁电阻芯片均匀分布在一个圆环的边界上；第一类磁感应的磁敏感方向与相应隧道磁电阻芯片所在位置处的圆环半径相垂直；
[0016]所述获取模块，还用于获取所述双轴隧道磁电阻芯片的第二类磁感应强度的测量值；其中，所述第二类磁感应的磁敏感方向与所述双轴隧道磁电阻芯片所在位置处的圆环半径相平行；
[0017]所述获取模块，还用于获取所述圆环的半径和四分裂导线中两相邻导线之间的距离；其中，所述四分裂导线中的第一导线位于所述圆环的内部，第二导线、第三导线和第四导线与所述第一导线分别位于同一个矩形的四个顶点处；
[0018]所述获取模块，还用于获取第一夹角的取值范围和选值间隔，确定所述第一夹角的预取值集合；所述第一夹角为所述双轴隧道磁电阻芯片位置处圆环半径所在的直线与所述第一导线和所述第四导线连线所在直线的夹角；
[0019]确定模块，用于将所述第一类磁感应强度的测量值、所述圆环的半径、所述四分裂导线中两相邻导线之间的距离和所述第一夹角四种参数进行线性变换，确定所述第一夹角取不同预取值时，对应的四分裂导线中每根导线上的电流预测值；
[0020]所述确定模块，还用于根据所述电流预测值，确定所述第一夹角取不同预取值时，对应的第二类磁感应强度的计算值；
[0021]所述确定模块，还用于将所述第一夹角取不同预取值时对应的第二类磁感应强度的计算值，分别与所述第二类磁感应强度的测量值进行对比，确定第一夹角的最优值；
[0022]所述确定模块，还用于根据所述第一夹角的最优值确定所述四分裂导线中每根导线上的电流目标值。
[0023]一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述各方法中的步骤。
[0024]一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述各方法中的步骤。
[0025]上述四分裂导线电流检测方法、装置、计算机设备和存储介质，分别获取一个双轴隧道磁电阻芯片和三个单轴隧道磁电阻芯片的第一类磁感应强度的测量值，以及双轴隧道磁电阻芯片的第二类磁感应强度的测量值。根据第一类磁感应强度与四分裂导线中每根导线上电流值之间的关系、以及第一夹角的取值范围和选值间隔，得到第一夹角取不同预取值时，对应的四分裂导线中每根导线上的电流预测值。根据四分裂导线中每根导线上的电流预测值与第二类磁感应强度的关系，确定第一夹角取不同预取值时，对应的第二类磁感应强度的计算值。将第一夹角取不同预取值时对应的第二类磁感应强度的计算值，分别与第二类磁感应强度的测量值进行对比，确定第一夹角的最优值。根据第一夹角的最优值，确定当前第一类磁感应强度的测量值对应的四分裂导线中每根导线上电流值。这样，基于隧道磁电阻芯片的非侵入式电流测量方法，通过空间磁场的离散测量反演四分裂导线的电流，提高了四分裂导线电流测量的精度。
附图说明
[0026]图1为一个实施例中四分裂导线电流检测方法的应用环境图；
[0027]图2为一个实施例中四分裂导线电流检测方法的流程示意图；
[0028]图3为一个实施例中四分裂导线电流在双轴隧道磁电阻芯片处的磁感应强度的原理示意图；
[0029]图4为另一个实施例中四分裂导线电流在第一单轴隧道磁电阻芯片处的磁感应强度的原理示意图；
[0030]图5为另一个实施例中四分裂导线电流在第二单轴隧道磁电阻芯片处的磁感应强度的原理示意图；
[0031]图6为另一个实施例中四分裂导线电流在第三单轴隧道磁电阻芯片处的磁感应强度的原理示意图；
[0032]图7为一个实施例中四分裂导线电流检测装置的结构框图；
[0033]图8为一个实施例中计算机设备的内部结构图。
具体实施方式
[0034]为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。
[0035]本申请提供的四分裂导线电流检测方法，可以应用于如图1所示的应用环境中。应用环境中包括四分裂导线电流传感器110、四分裂导线120和计算机设备130。其中，四分裂导线电流传感器110通过网络与本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种四分裂导线电流检测方法，其特征在于，所述方法包括：分别获取一个双轴隧道磁电阻芯片和三个单轴隧道磁电阻芯片的第一类磁感应强度的测量值；其中，所述双轴隧道磁电阻芯片和三个所述单轴隧道磁电阻芯片均匀分布在一个圆环的边界上；第一类磁感应的磁敏感方向与相应隧道磁电阻芯片所在位置处的圆环半径相垂直；获取所述双轴隧道磁电阻芯片的第二类磁感应强度的测量值；其中，所述第二类磁感应的磁敏感方向与所述双轴隧道磁电阻芯片所在位置处的圆环半径相平行；获取所述圆环的半径和四分裂导线中两相邻导线之间的距离；其中，所述四分裂导线中的第一导线位于所述圆环的内部，第二导线、第三导线和第四导线与所述第一导线分别位于同一个矩形的四个顶点处；获取第一夹角的取值范围和选值间隔，确定所述第一夹角的预取值集合；所述第一夹角为所述双轴隧道磁电阻芯片位置处圆环半径所在的直线与所述第一导线和所述第四导线连线所在直线的夹角；将所述第一类磁感应强度的测量值、所述圆环的半径、所述四分裂导线中两相邻导线之间的距离和所述第一夹角四种参数进行线性变换，确定所述第一夹角取不同预取值时，对应的四分裂导线中每根导线上的电流预测值；根据所述电流预测值，确定所述第一夹角取不同预取值时，对应的第二类磁感应强度的计算值；将所述第一夹角取不同预取值时对应的第二类磁感应强度的计算值，分别与所述第二类磁感应强度的测量值进行对比，确定第一夹角的最优值；根据所述第一夹角的最优值，确定所述四分裂导线中每根导线上的电流目标值。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述三个单轴隧道磁电阻芯片分为第一单轴隧道磁电阻芯片、第二单轴隧道磁电阻芯片和第三单轴隧道磁电阻芯片，所述双轴隧道磁电阻芯片和三个所述单轴隧道磁电阻芯片均匀分布在一个圆环的边界上，包括：所述双轴隧道磁电阻芯片、所述第一单轴隧道磁电阻芯片、所述第二单轴隧道磁电阻芯片和所述第三单轴隧道磁电阻芯片依次分布在所述圆环的边界上；所述双轴隧道磁电阻芯片所在位置处的半径与所述第一单轴隧道磁电阻芯片所在位置处的半径之间的夹角为90度；所述双轴隧道磁电阻芯片所在位置处的半径与所述第二单轴隧道磁电阻芯片所在位置处的半径之间的夹角为180度；所述第一单轴隧道磁电阻芯片所在位置处的半径与所述第三单轴隧道磁电阻芯片所在位置处的半径之间的夹角为180度。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一类磁感应强度的测量值包括：所述双轴隧道磁电阻芯片的第一类磁感应强度的测量值、所述第一单轴隧道磁电阻芯片的第一类磁感应强度的测量值、所述第二单轴隧道磁电阻芯片的第一类磁感应强度的测量值、以及所述第三单轴隧道磁电阻芯片的第一类磁感应强度的测量值；所述双轴隧道磁电阻芯片的第一类磁感应强度的测量值，由所述第一导线、所述第二导线、所述第三导线和所述第四导线，分别在所述双轴隧道磁电阻芯片位置处的第一类磁感应强度分量线性相加得到；
所述第一单轴隧道磁电阻芯片的第一类磁感应强度的测量值，由所述第一导线、所述第二导线、所述第三导线和所述第四导线，分别在所述第一单轴隧道磁电阻芯片位置处的第一类磁感应强度分量线性相加得到；所述第二单轴隧道磁电阻芯片的第一类磁感应强度的测量值，由所述第一导线、所述第二导线、所述第三导线和所述第四导线，分别在所述第二单轴隧道磁电阻芯片位置处的第一类磁感应强度分量线性相加得到；所述第三单轴隧道磁电阻芯片的第一类磁感应强度的测量值，由所述第一导线、所述第二导线、所述第三导线和所述第四导线，分别在所述第三单轴隧道磁电阻芯片位置处的第一类磁感应强度分量线性相加得到；其中，由所述双轴隧道磁电阻芯片的第一类磁感应强度、所述第一单轴隧道磁电阻芯片的第一类磁感应强度、所述第二单轴隧道磁电阻芯片的第一类磁感应强度和所述第三单轴隧道磁电阻芯片的第一类磁感应强度进行联合，所构成的四元一次方程组，用于确定四分裂导线中每根导线上的电流值。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一导线在所述双轴隧道磁电阻芯片位置处的第一类磁感应强度分量，是由所述四分裂导线中第一导线上的第一电流、所述圆环半径、所述第一夹角以及常数进行线性变换得到；其中，所述常数是真空磁导率与2π的比值；所述第二导线在所述双轴隧道磁电阻芯片位置处的第一类磁感应强度分量，是由所述四分裂...

【专利技术属性】
技术研发人员：李鹏，刘仲，吕前程，田兵，韦杰，孙宏棣，林力，刘昌龙，唐斌，韦良，
申请(专利权)人：广西电网有限责任公司南宁供电局，
类型：发明
国别省市：