一种混合DC-DC升压变换器制造技术

本发明专利技术属于集成电路领域与开关电源技术领域，具体涉及一种混合DC

【技术实现步骤摘要】
一种混合DC
‑
DC升压变换器


[0001]本专利技术属于集成电路领域与开关电源
，具体涉及一种混合DC
‑
DC升压变换器。

技术介绍

[0002]随着科技的不断进步与发展，便携式和可穿戴电子设备已广泛普及，这些电子设备的电源管理变得非常重要，因为人们往往希望这些电子设备能长时间且准确地工作，因此起着能量控制和传输作用的电源管理芯片在电池供电的应用中变得很重要的作用。典型的便携式和可穿戴式设备使用了锂离子电池，尽管依赖于一个或多个串联的锂离子电池来提供主供电电压足以满足大多数应用的需求，但诸如发光二极管背光驱动(LED backlighting)、平板电脑和具有一些特定功能的其他移动设备需要更高的电压，若通过安置多个电池来提供高压则会影响这些设备的便携性；因而能提供高压，但又不会对设备的重量造成很大影响的升压变换器(Boost Converter)电路越来越多的被设计应用。图1所示为传统的升压变换器(Conventional Boost Converter)电路。传统的升压变换器并不能很好的应用在便携式本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种混合DC
‑
DC升压变换器，其特征在于，包括第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、飞电容C
F
、电感L、输出电容C
O
、负载电阻R
O
、第一PMOS管MSP1、第二PMOS管MSP2、第一自举电容C
Boot1
、第二自举电容C
Boot2
、第三自举电容C
Boot3
、第一驱动模块DRV1、第二驱动模块DRV2、第三驱动模块DRV3、第一LDO模块、第二LDO模块、二极管、第一电位平移模块LS1、第二电位平移模块LS2、第三电位平移模块LS3、第四电位平移模块LS4、第五电位平移模块LS5、第一反相器INV1、第二反相器INV2、第三反相器INV3、第四反相器INV4、第五反相器INV5、第六反相器INV6、第七反相器INV7、第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3、第四电容C4、第一与非门NAND1、第二与非门NAND2、第一延时模块DELAY1、第二延时模块DELAY2、第三延时模块DELAY3和第四延时模块DELAY4；第一NMOS管MN1的漏极为升压变换器的输出端输出电压V
OUT
，第一NMOS管MN1的漏极接输出电容C
O
的一端和负载电阻R
O
的一端，第一NMOS管MN1的栅极接第一驱动模块DRV1输出的第一驱动信号TG1；第一NMOS管MN1的源极接飞电容C
F
的一端和第二NMOS管MN2的漏极，定义该连接点为第一开关节点SW1；第二NMOS管MN2的栅极接第二驱动模块DRV2输出的第二驱动信号TG2；第二NMOS管MN2的源极接第三NMOS管MN3的漏极和输入电压V
IN
；第三NMOS管MN3的栅极接第三驱动模块DRV3输出的第三驱动信号TG3，其源极接电感L的一端和飞电容C
F
的另一端，定义该连接点为第二开关节点SW2；电感L的另一端、输出电容C
O
的另一端和负载电阻R
O
的另一端均与地相连；第一PMOS管MSP1的栅极接第四电平位移电路LS4的输出，源极接第四电平位移电路LS4的高电压域的高电平端、第一自举电容C
Boot1
的一端、第一电平位移电路LS1的高电压域的高电平端和第一驱动电路DRV1的电源端BST1，第一PMOS管MSP1的漏极接第二PMOS管MSP2的源极、第五电平位移电路LS5的高电压域的高电平端、第二自举电容C
Boot2
的一端、第二电平位移电路LS2的高电压域的高电平端和第二驱动电路DRV2的电源端BST2；第二PMOS管MSP2的栅极接第五电平位移电路LS5的输出，漏极接第二LDO模块的输出、第三自举电容C
Boot3
的一端、第三电平位移电路LS3的高电压域的高电平端和第三驱动电路DRV3的电源端BST3；第一电平位移电路LS1的输入接第二反相器INV2的输出端，第一电平位移电路LS1的输出接第一驱动电路DRV1的输入，低电压域的高电平端接VDD，低电压域的低电平端...

【专利技术属性】
技术研发人员：甄少伟，熊海亮，赵冰清，谢泽亚，杨芮，张波，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：