芯片上电复位电路制造技术

本发明专利技术公开了一种芯片上电复位电路，第一电阻、第二电阻串接在第一NMOS管漏端同工作电源之间；第一NMOS管漏端、栅端及第二NMOS管栅端短接；第二NMOS管漏端接第三PMOS管漏端；第三PMOS管漏端、栅端及第四PMOS管栅端短接；第四PMOS管漏端接第五NMOS管漏端；第五NMOS管栅端接第一电阻、第二电阻的串接点及第一电容的一端；第一NMOS管、第二NMOS管及第五NMOS管的源端及第一电容的另一端接地；第三PMOS管及第四PMOS管的源端接工作电源；输出驱动电路接第四PMOS管漏端。该芯片上电复位电路，在不影响上电工作电源电压检测精度以及功耗的情况下，大幅减小了上电复位电路所需芯片面积。大幅减小了上电复位电路所需芯片面积。大幅减小了上电复位电路所需芯片面积。

【技术实现步骤摘要】
芯片上电复位电路


[0001]本专利技术涉及半导体电路技术，特别是涉及一种芯片上电复位电路。

技术介绍

[0002]在各种芯片的架构中，为了实时监测电源电压，需要上电复位电路通过对比电源电压，输出复位信号，确保芯片工作时的电源电压在芯片最低工作电压之上。
[0003]传统的上电复位电路架构如图1所示，由电阻分压电路、采样迟滞电路、放电电路、及输出驱动电路构成。电阻分压电路由第一电阻R1和第二电阻R2构成，通过改变第一R1与第二R2的比值，可以调节分压点电压V1与工作电源VDD电压的比值，从而改变输出驱动电路输出端RSTB的电压。第一电阻R1和第一电容C1构成采样迟滞电路，以确保分压点电压V1变化慢于工作电源VDD的电压变化，使得输出驱动电路输入端电压初始值为工作电源VDD的电压，输出驱动电路输出端RSTB输出一个复位信号。第三电阻R3和第一NMOS管M1构成放电电路，当第一电阻R1、第二电阻R2串接点(分压点)V1电压大于第一NMOS管M1的阈值电压时，输出驱动电路输入端电压被第一NMOS管M1放电到0V。
[0004]当芯片上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片上电复位电路，其特征在于，其包括第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第一NMOS管(M1)、第二NMOS管(M2)、第三PMOS管(M3)、第四PMOS管(M4)、第五NMOS管(M5)、第一电容(C1)及输出驱动电路；第一电阻(R1)、第二电阻(R2)串接在第一NMOS管(M1)漏端同工作电源VDD之间；第一NMOS管(M1)漏端、栅端及第二NMOS管(M2)栅端短接；第二NMOS管(M2)漏端接第三PMOS管(M3)漏端；第三PMOS管(M3)漏端、栅端及第四PMOS管(M4)栅端短接；第四PMOS管(M4)漏端接第五NMOS管(M5)漏端；第五NMOS管(M5)栅端接所述第一电阻(R1)、第二电阻(R2)的串接点及第一电容(C1)的一端；第一NMOS管(M1)、第二NMOS管(M2)及第五NMOS管(M5)的源端及第一电容(C1)的另一端接地；第三PMOS管(M3)及第四PMOS管(M4)的源端接工作电源VDD；所述输出驱动电路接第四PMOS管(M4)漏端，当第四...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈鹏，
申请(专利权)人：普冉半导体上海股份有限公司，
类型：发明
国别省市：