APF/SVG三电平I型IGBT硬件保护装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了APF/SVG三电平I型IGBT硬件保护电路，其可以实现APF/SVG控制器保护失效时，仍可对IGBT形成保护，且满足I型IGBT关断时序要求；其包括拓扑电路，所述拓扑电路包括外管IGBT、内管IGBT，其特征在于：其还包括信号处理电路、脉冲处理电路、保护延时电路，其中，所述信号处理电路用于产生PWM脉冲信号，实现所述外管IGBT和所述内管IGBT的关断；所述脉冲处理电路与所述信号处理电路相连，用于对PWM脉冲信号进行电平转换处理；所述保护延时电路，接于所述脉冲处理电路与所述拓扑电路之间，用于接收转换处理后的电平信号，形成对应IGBT的驱动信号，使得所述外管IGBT先于所述内管IGBT被关断。被关断。被关断。

【技术实现步骤摘要】
APF/SVG三电平I型IGBT硬件保护装置


[0001]本专利技术涉及电能质量治理
，具体为APF/SVG三电平I型IGBT硬件保护装置。

技术介绍

[0002]APF(Active Power Filter，电力有源滤波器)和SVG(Static VarGenerator，静止无功发生器)均采用IGBT(Insulated Gate BipolarTransistor，绝缘栅双极型晶体管)作为功率器件，目前是基于APF/SVG控制器对IGBT形成硬件电路保护，但从APF/SVG控制器确认故障到IGBT进行故障响应动作，时间约为10us左右，此时IGBT已承受“异常电流”数个us，此种状态会影响IGBT使用寿命，对其造成损伤，且在APF/SVG控制器保护失效时，IGBT及其设备就无法得到有效保护；另外，由于I型IGBT关断时“外管”、“内管”存在先后之分，如果将外管、内管一起关断或先关内管，内管就有可能需要承受整个母线电压(约800V)，可能会因过压导致IGBT损坏。

技术实现思路

[0003]针对上述问题，本专利技术提本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.APF/SVG三电平I型IGBT硬件保护装置，其包括拓扑电路，所述拓扑电路包括外管IGBT、内管IGBT，其特征在于：其还包括信号处理电路、脉冲处理电路、保护延时电路，其中，所述信号处理电路用于产生PWM脉冲信号，实现所述外管IGBT和所述内管IGBT的关断；所述脉冲处理电路与所述信号处理电路相连，用于对PWM脉冲信号进行电平转换处理；所述保护延时电路，接于所述脉冲处理电路与所述拓扑电路之间，用于接收转换处理后的电平信号，形成对应IGBT的驱动信号，使得所述外管IGBT先于所述内管IGBT被关断。2.根据权利要求1所述的APF/SVG三电平I型IGBT硬件保护装置，其特征在于：所述拓扑电路还包括续流二极管D1、D2、D3、D4以及钳位二极管D5、D6，所述外管IGBT包括IGBT管T1、IGBT管T4，所述内管IGBT包括IGBT管T2、IGBT管T3。3.根据权利要求1所述的APF/SVG三电平I型IGBT硬件保护装置，其特征在于：所述信号处理电路包括DSP处理器；所述脉冲处理电路包括比较器U1、U2、电阻R1；所述保护延时电路包括MOS管Q1、Q2、二极管D7、D8、电容C1、电阻R2～R5、收发器Buffer1、Buffer2；所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：李敬虔，梁海龙，
申请(专利权)人：江苏莱提电气股份有限公司，
类型：发明
国别省市：