一种补偿式无触点市电稳压装置制造方法及图纸

技术编号:31317084 阅读:31 留言:0更新日期:2021-12-12 23:56
本发明专利技术涉及一种补偿式无触点市电稳压装置,包括自耦变压器、补偿变压器、控制器、第一可控硅补偿器、第二可控硅补偿器和第三可控硅补偿器,自耦变压器包括三个绕组连接端,补偿变压器包括多个第一初级绕组端、一个第二初级绕组端及两个次级绕组端;首个绕组连接端与火线电连接,末个绕组连接端与零线电连接,三个绕组连接端均通过第二可控硅补偿器与第三可控硅补偿器电连接,第二初级绕组端通过第一可控硅补偿器分别与火线和零线电连接,每个第一初级绕组端均与第三可控硅补偿器电连接;两个次级绕组端串联在火线上。本发明专利技术通过对各可控硅的通断控制来实现市电稳压,为无触点的补偿稳压方式,解决了现有基于继电器的市电稳压技术中的缺陷。术中的缺陷。术中的缺陷。

【技术实现步骤摘要】
一种补偿式无触点市电稳压装置


[0001]本专利技术涉及市电治理
,尤其涉及一种补偿式无触点市电稳压装置。

技术介绍

[0002]市电即我们平常所使用的交流电(AC),在实际市电供电系统中,经常因供电线路过长或供电线路负荷不稳定而出现市电波动的问题,而市电波动会加速电气设备老化,降低寿命,严重的可使电气设备烧坏;还会降低输变电设备容量,降低供电线路充电功率;部分设备(如医疗设备)对电压精度要求极高。因此,降低市电波动,实现稳压至关重要。
[0003]在现有市电波动的稳压技术中,主要是通过继电器来改变变压器的抽头或者碳刷来移动接触点,该方式虽然是通过改变变压器的输入输出匝数比以达到稳压的目的,但由于是有触点的稳压方式,且市电220V电压会直接施加到电路中,因此存在效率低、抗干扰能力差、响应速度慢、输出电压电流的谐波分量高等一系列问题;同时该方式所对应的稳压装置通常体积较大,使用和安装极其不方便。

技术实现思路

[0004]本专利技术所要解决的技术问题是针对上述现有技术的不足,提供一种补偿式无触点市电稳压装置,基于控制本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种补偿式无触点市电稳压装置,包括自耦变压器和补偿变压器,其特征在于,所述自耦变压器包括依次设置的三个绕组连接端,所述补偿变压器包括依次设置的多个第一初级绕组端和一个第二初级绕组端,所述补偿变压器还包括依次设置的两个次级绕组端;所述补偿式无触点市电稳压装置还包括控制器、用于控制补偿电压方向的第一可控硅补偿器以及用于控制补偿电压大小的第二可控硅补偿器和第三可控硅补偿器;所述控制器分别与三相市电、所述第一可控硅补偿器、所述第二可控硅补偿器和所述第三可控硅补偿器电连接;所述自耦变压器的首个绕组连接端与所述三相市电任一相的火线电连接,所述自耦变压器的末个绕组连接端与所述三相市电任一相的零线电连接,所述自耦变压器的三个绕组连接端还均通过所述第二可控硅补偿器与所述第三可控硅补偿器的一端电连接;所述补偿变压器的第二初级绕组端通过所述第一可控硅补偿器分别与所述三相市电任一相的火线和零线电连接,所述补偿变压器的每个第一初级绕组端均与所述第三可控硅补偿器的另一端电连接;所述补偿变压器的两个次级绕组端串联在所述三相市电任一相的火线上。2.根据权利要求1所述的补偿式无触点市电稳压装置,其特征在于,所述第一可控硅补偿器包括第一可控硅控制电路和第二可控硅控制电路;所述第一可控硅控制电路的输入端与所述三相市电任一相的火线电连接,所述第二可控硅控制电路的输入端与所述三相市电任一相的零线电连接,所述第一可控硅控制电路的输出端和所述第二可控硅控制电路的输出端均与所述补偿变压器的第二初级绕组端电连接,所述第一可控硅控制电路的控制端和所述第二可控硅控制电路的控制端均与所述控制器电连接。3.根据权利要求2所述的补偿式无触点市电稳压装置,其特征在于,所述第二可控硅补偿器包括三个所述第三可控硅控制电路;三个所述第三可控硅控制电路的输入端与所述自耦变压器的三个绕组连接端一一对应电连接,每个所述第三可控硅控制电路的输出端均与所述第三可控硅补偿器的一端电连接,每个所述第三可控硅控制电路的控制端均与所述控制器电连接。4.根据权利要求3所述的补偿式无触点市电稳压装置,其特征在于,所述第三可控硅补偿器包括多个第四可控硅控制电路;所述第四可控硅控制电路的数量与所述补偿变压器的第一初级绕组端的数量相同,且所有所述第四可控硅控制电路的输出端与所有第一初级绕组端一一对应电连接,每个所述第四可控硅控制电路的输入端均分别与三个所述第三可控硅控制电路的输出端电连接,每个所述第四可控硅控制电路的控制端均与所述控制器电连接。5.根据权利要求4所述的补偿式无触点市电稳压装置,其特征在于,所述第一可控硅控制电路、所述第二可控硅控制电路、每个第三可控硅控制电路和每个所述第四可控硅控制电路均包括可控硅、触发变压器U22、三极管Q3、第一二极管D14、第二二极管D15、第三二极管D16、第一电阻R97、第二电阻R98、第三电阻R93、第四电阻R94、第五电阻R90、压敏电阻VR10和电容C64;所述第一三极管Q3的基极通过所述第一电阻R97与所述控制器电连接,所述第一三极管Q3的基极...

【专利技术属性】
技术研发人员:罗锐许毅干霖周澳琦
申请(专利权)人:武汉精伦电气有限公司
类型:发明
国别省市:

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